「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化ガリウム結晶基板の製造方法と窒化ガリウム結晶基板及びそれを備えた窒化ガリウム系半導体素子例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板、単結晶窒化ガリウム基板の製造方法および窒化ガリウム成長用下地基板例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND BASE SUBSTRATE FOR GROWING GALLIUM NITRIDE - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, CRYSTAL GROWTH METHOD FOR SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE, AND PRODUCTION METHOD FOR SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム結晶育成用材料、窒化ガリウム結晶の製造方法、窒化ガリウム結晶および積層体例文帳に追加

MATERIAL FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, AND LAMINATED MATERIAL - 特許庁

窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE FOR GROWING GALLIUM NITRIDE, METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR GROWING GALLIUM NITRIDE AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。例文帳に追加

A gallium nitride film is obtained on the substrate, and a gallium nitride thick film grows on the gallium nitride film on the substrate. - 特許庁

割れ難い窒化ガリウム系基板、窒化ガリウム系基板の評価方法及び窒化ガリウム系基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate which is hardly broken, and to provide an evaluation method and a manufacturing method of the gallium nitride substrate. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体基板例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体例文帳に追加

METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

その水素化ガリウムガスを含窒素化合物と反応させることで、窒化ガリウムの結晶を成長させる。例文帳に追加

The gallium hydride gas is made to react with a nitrogen-containing compound to grow a gallium nitride crystal. - 特許庁

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。例文帳に追加

The epitaxial substrate E includes a gallium nitride substrate 11 and a gallium nitride epitaxial film 13. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

少なくとも一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。例文帳に追加

At least one column thus formed contains a gallium nitride top section and gallium nitride sidewalls. - 特許庁

窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶の製造方法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム基板の製造方法、および窒化ガリウム基板ならびに半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

次に第１の窒化ガリウム層４の表面に第２の窒化ガリウム層６を形成する。例文帳に追加

Secondly, a second nitride gallium layer 6 is formed on a surface of the first nitride gallium layer 4. - 特許庁

窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, ITS PRODUCING PROCESS, GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

窒化ガリウム系単結晶の育成方法およびそれにより得られる窒化ガリウム系単結晶例文帳に追加

GROWING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL OBTAINED BY IT - 特許庁

窒化ガリウム結晶体を形成する方法、基板、および窒化ガリウム基板を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, SUBSTRATE, AND METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウムエピタキシャル膜６５は、窒化ガリウム基板６３上に設けられている。例文帳に追加

A gallium nitride eptiaxial film 65 is provided on a gallium nitride substrate 63. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法例文帳に追加

MELT COMPOSITION FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び窒化ガリウム柱状構造の形成装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE COLUMNAR STRUCTURE AND APPARATUS FOR FORMING GALLIUM NITRIDE COLUMNAR STRUCTURE - 特許庁

前記III族元素は、ガリウムが好ましく、えられるIII族窒化物としては、窒化ガリウムが好ましい。例文帳に追加

The group III element is preferably gallium, and the yielded group III nitride is preferably gallium nitride. - 特許庁

次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。例文帳に追加

A p-type second nitride gallium layer 8 is formed on the surface of the first nitride gallium layer 6. - 特許庁

窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL BODY AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

製造装置、結晶製造方法、基板製造方法、窒化ガリウム結晶及び窒化ガリウム基板例文帳に追加

PRODUCING APPARATUS, CRYSTAL PRODUCING METHOD, SUBSTRATE PRODUCING METHOD, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法例文帳に追加

SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND CRYSTAL GROWTH METHOD OF THE SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体素子の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子及びランプ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LAMP - 特許庁

窒化ガリウム焼結体または窒化ガリウム成形体ならびにそれらの製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SINTERED BODY OR GALLIUM NITRIDE MOLDED ARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING THEM - 特許庁

高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a gallium nitride crystal by which a gallium nitride substrate having high quality can be produced. - 特許庁

窒化ガリウム系エピタキシャルウエハ、および窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法例文帳に追加

NITRIDE GALLIUM-BASED EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE GALLIUM-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for growing gallium nitride and a method for preparing the substrate for growing gallium nitride. - 特許庁

可視光に透明な窒化ガリウムウエハの表裏を識別可能な窒化ガリウムウエハを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride wafer capable of distinguishing its front and back although it is transparent to visible light. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体面発光素子、および窒化ガリウム系半導体面発光素子を作製する方法例文帳に追加

NITRIDE GALLIUM-BASED SEMICONDUCTOR SURFACE LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF FABRICATING SAME - 特許庁

エピタキシャルウエハ、窒化ガリウム系半導体デバイスを作製する方法、窒化ガリウム系半導体デバイス、及び酸化ガリウムウエハ例文帳に追加

EPITAXIAL WAFER, METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GALLIUM OXIDE WAFER - 特許庁

酸化ガリウムウエハ上設けられ平坦なｃ面を有する窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based semiconductor device including a gallium nitride semiconductor film provided on a gallium oxide wafer and having a flat (c) surface. - 特許庁

このガリウムと窒素源とが反応して窒化ガリウムが高効率で製造される。例文帳に追加

The active gallium is reacted with the nitride source to produce the gallium telluride in high efficiency. - 特許庁

窒化ガリウム基板１０は、ガリウム極性のｃ面１０_Gaと窒素極性のｃ面１０_Nを有する（１．Ａ）。例文帳に追加

A gallium nitride substrate 10 has a gallium polarity c surface 10_Ga and a nitrogen polarity c surface 10_N (1.A). - 特許庁

窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法例文帳に追加

ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁