「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウム インジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 12, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor region 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor region 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

窒化ガリウム基板２の表面に形成されている第１の窒化ガリウム層４の一部を窒化ガリウム基板２に達しない深さまでエッチングする。例文帳に追加

Firstly, a part of a first nitride gallium layer 4 formed on a surface of a nitride gallium substrate 2 is etched up to a depth not reaching the nitride gallium substrate 2. - 特許庁

バッファ層１３の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n type semiconductor region 14 made of gallium an active layer 15 made of gallium, a p type semiconductor region 16 made of gallium nitride are successively formed on the buffer layer 13. - 特許庁

ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, a light emitting layer 15 made of gallium indium nitride and a p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are formed in sequence on the DBR layer 12. - 特許庁

ＤＢＲ反射層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 14 formed of gallium nitride, a light emitting layer 15 formed of gallium nitride indium, and a p-type semiconductor region 16 formed of gallium nitride, are formed on the DBR reflection layer 12 one by one. - 特許庁

基層１表面上に、触媒ＣＶＤ法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層２を得る窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。例文帳に追加

In this forming method of a gallium nitride epitaxial layer, a gallium nitride epitaxial layer 2 is obtained by performing crystal growth for gallium nitride by a catalytic CVD method on a surface of a base layer 1. - 特許庁

所望の低キャリア濃度を有するｎ^−型窒化ガリウム膜をｎ型窒化ガリウム基板上に実現できる構造を有する縦型窒化ガリウム半導体装置のためのエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical gallium nitride semiconductor device structured to be able to realize an n-type gallium nitride film that has a desired low carrier concentration on an n-type gallium nitride substrate, and an epitaxial substrate for the vertical gallium nitride semiconductor device. - 特許庁

ボイド３５は、窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけられており、窒化ガリウム膜１７の各高欠陥エリア１７ｅは窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅの一つに関連づけられている。例文帳に追加

The void 35 is related to the high-defect area 15e of the gallium nitride substrate 15, and each high-defect area 17e in the gallium nitride film 17 is related to one of high-defect areas 15e of the gallium nitride substrate 15. - 特許庁

この窒化シリコン層上に窒化ガリウム層のような窒化物半導体層１３を形成する。例文帳に追加

Then a nitride semiconductor layer 13 like a gallium nitride layer is formed on the silicon nitride layer 12. - 特許庁

高品質の窒化ガリウム、窒化アルミニウム等のIII族元素窒化物を効率良く製造する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing efficiently a group III element nitride, e.g. gallium nitride or aluminum nitride, with high quality. - 特許庁

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。例文帳に追加

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide. - 特許庁

発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。例文帳に追加

Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。例文帳に追加

In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped. - 特許庁

本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing gallium nitride system semiconductor comprises the steps of preparing a gallium oxide substrate (S1); modifying the front surface of a gallium oxide substrate into nitride, and forming a surface nitride layer having Ga-N engagement by physical and chemical pretreatment to the front surface of a gallium oxide substrate (S2); and forming a gallium nitride system semiconductor layer on the surface nitride layer (S4). - 特許庁

酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化ガリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製造方法例文帳に追加

GALLIUM OXIDE SINGLE-CRYSTAL COMPLEX, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM USING THE SAME - 特許庁

酸化ガリウム単結晶基板の結晶方位（０１０）または（００１）面を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。例文帳に追加

The light emitting element is formed by nitriding the crystal orientation (010) or field (001) of gallium oxide single crystal substrate, and forming a gallium nitride crystal on a surface of the gallium oxide single crystal substrate. - 特許庁

第１の犠牲基板を設け、この第１の犠牲基板上に窒化ガリウムの層を形成し、この窒化ガリウムの層上に、格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの第１の層を形成し、この格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの層に、代替基板を装着し、犠牲基板および窒化ガリウムの層を除去する。例文帳に追加

The method of manufacturing the gallium nitride device substrate comprises providing a first sacrificial substrate, forming a layer of gallium nitride over the first sacrificial substrate, forming a first layer of gallium nitride containing an additional lattice parameter altering element over the layer of gallium nitride, attaching a substitute substrate to the layer of gallium nitride containing the additional lattice parameter altering element, and removing the sacrificial substrate and the layer of gallium nitride. - 特許庁

蒸気相の高純度三塩化ガリウムを窒化ガリウムの反応器に供給するための装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment which supplies a high purity gallium trichloride in vapor phase to a reactor of a gallium nitride. - 特許庁

半導体材料としては、炭化珪素、ガリウム砒素、窒化ガリウム、ダイヤモンド、またはこれらを複合した材料を用いる。例文帳に追加

Silicon carbide, gallium arsenide, gallium nitride, diamond, or their compound material are used as the semiconductor material. - 特許庁

酸化ガリウム単結晶基板上に、窒化ガリウム柱状結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。例文帳に追加

The light emitting device is characterized in that gallium nitride columnar crystal is formed on a gallium oxide single-crystal substrate. - 特許庁

アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板１０の面１０ａに窒化ガリウム(GaN)３０がエピタキシャル成長を開始する(b)。例文帳に追加

When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b). - 特許庁

この傾斜により、酸化ガリウム支持基体主面３２ａ上にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系半導体は平坦な表面を有する。例文帳に追加

Because of the inclination, a gallium nitride semiconductor epitaxially grown on the principal surface 32a of the gallium oxide support base has a flat surface. - 特許庁

直径40〜50ナノメートルの窒化ガリウムナノワイヤーを乾燥空気中で、700〜1200℃に12〜24時間加熱して、酸化ガリウム層で被覆された窒化ガリウムナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

The gallium nitride nanowire coated with the gallium oxide layer is manufactured by heating gallium nitride nanowire having 40-50 nanometer diameter at 700-1,200°C for 12-24 hr in dry air. - 特許庁

その水素化ガリウムガスの発生に伴って発生する水分子由来の酸素を、窒化ガリウムの結晶を成長させる工程においてｎ型ドーパントとして窒化ガリウム結晶にドープする。例文帳に追加

Oxygen derived from water molecules generating associated with generation of the gallium hydride gas is used as a n-dopant to dope the gallium nitride crystal in a process of growing the gallium nitride crystal. - 特許庁

表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積し、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成し、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる。例文帳に追加

A metal film deposited on a substrate having a gallium nitride single crystal on its surface, the substrate deposited with the metal film is heat-treated to form voids in the gallium nitride crystal on the substrate, gallium nitride is further deposited on the substrate having the voids in the gallium nitride crystal to bury the voids, and then a nearly flat single crystalline gallium nitride film is grown on the metal film. - 特許庁

基板上に窒化ガリウム厚膜単結晶を成長させ、窒化ガリウム厚膜単結晶をスライスして複数枚の窒化ガリウム基板を製造する窒化ガリウム基板の製造方法において、窒化ガリウム厚膜単結晶をスライスする際に、平均砥粒径９．５μｍ以上１４μｍ以下の砥粒を用いる方法である。例文帳に追加

In the method of manufacturing the gallium nitride substrate, with which the gallium nitride thick-film single crystal is grown on a substrate and then sliced to manufacture a plurality of sheets of gallium nitride substrates, abrasive grains of 9.5 to 14 μm in average grain size are used, when the gallium nitride thick-film single crystal is sliced. - 特許庁

前記半導体薄膜として窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムホウ素、窒化アルミニウムガリウム、窒化ホウ素ガリウムなどのIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれを用いる。例文帳に追加

Any of a compound of a group III atom and a nitrogen atom such as aluminum nitride, boron nitride, aluminum boron nitride, aluminum gallium nitride and boron gallium nitride, boron carbon nitride and diamond is used for the semiconductor thin film. - 特許庁

窒素化合物の存在下にて金属ガリウム粉末またはガリウム化合物粉末を粉砕することによって、窒素元素とガリウム元素を含む粉末を製造する。例文帳に追加

A powder containing nitrogen and gallium elements is produced by pulverizing a metal gallium powder or a gallium compound powder in the presence of a nitrogen compound. - 特許庁

シリコンとトリメチルガリウムの反応により、メルトバックエッチングが生じ、小領域上に選択的に窒化ガリウム層１３が成長する。例文帳に追加

By the reaction of silicon and the trimethyl gallium, meltback etching occurs and the gallium nitride layer 13 is selectively grown on the small areas. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶をフラックス法によって育成するために、ガリウム、ナトリウム、バリウムおよびリチウムを含有させた融液組成物を使用する。例文帳に追加

A melt composition containing gallium, sodium, barium and lithium is used for growing a gallium nitride single crystal by the flux method. - 特許庁

ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate which can reduce the rate of crack incidence during the operation of precision polishing after practising the rough polishing of a gallium polarity surface. - 特許庁

エピタキシャル成長装置（有機金属気相成長装置）に搬入し、ガリウム極性面１０_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。例文帳に追加

A gallium nitride epitaxial layer is formed on the gallium polarity plane 10_Ga, by transportation into an epitaxial growth device (organic metal vapor-phase growth device). - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体及び窒化ガリウム自立基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GALLIUM NITRIDE SELF-SUPPORTING SUBSTRATE - 特許庁

第１の発明のガリウム砒素半導体の表面処理方法は、ガリウム砒素半導体表面を、窒素あるいはアンモニアプラズマに接触させ、表面に窒化ガリウムの層を形成する。例文帳に追加

In the surface treatment method for a gallium arsenide semiconductor in the first invention, the surface of the gallium arsenic semiconductor is brought into contact with nitric or ammonium plasma, so as to form a gallium nitride layer on the surface. - 特許庁

ガリウムトリイソプロポキシドを含有する溶液を基板に塗布してガリウムトリイソプロポキシド薄膜を形成する工程と、前記ガリウムトリイソプロポキシド薄膜をアンモニアガス雰囲気下で窒化反応させる工程とを含む、窒化ガリウム薄膜の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the thin gallium nitride film includes a process of forming a thin gallium triisopropoxide film by applying a solution containing gallium triisopropoxide to a substrate and a process of bringing the thin gallium triisopropoxide film into a nitriding reaction under a gaseous ammonia atmosphere. - 特許庁

窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。例文帳に追加

A gallium metal-permeated gallium nitride molded article is characterized in that gallium nitride and gallium metal exist as different phases in the molded article, and the molar ratio of Ga/(Ga + N) in the whole molded article is 55-80%. - 特許庁

窒化物半導体装置、エピタキシャル基板および窒化ガリウム系エピタキシャル膜を形成する方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL FILM - 特許庁

窒化物半導体結晶とその成長方法、材料、および窒化ガリウム単結晶基板例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, ITS GROWING METHOD, MATERIAL AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

この窒化ガリウム領域１５は、III族窒化物支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。例文帳に追加

The gallium nitride region 15 is formed on the main surface 13a of the group III nitride support substrate 13. - 特許庁

自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法例文帳に追加

FREE-STANDING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１を用いる。例文帳に追加

An AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 is used as a group III nitride type compound semiconductor element substrate. - 特許庁

不純物の少ない高品質の金属窒化物、特に窒化ガリウムを効率よく得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently obtaining high-quality metal nitride containing a small amount of impurities, particularly gallium nitride. - 特許庁

ガリウム融液を滴下供給するためのガリウム供給管先端の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for producing gallium nitride crystals which can prevent the clogging of the tip of a gallium feed tube for dropping and feeding a gallium melt. - 特許庁

母材基板１１の上に、活性層を含む窒化ガリウムからなる第１の窒化物半導体層１２と、厚さが約２５ｎｍの窒化アルミニウムガリウムからなる第２の窒化物半導体層１３を順次形成する。例文帳に追加

There are formed sequentially on a host material substrate 11 a first nitride semiconductor layer 12 comprising gallium nitride including an active layer, and a second nitride semiconductor layer 13 comprising aluminum gallium nitride having a thickness of about 25 nm. - 特許庁