「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen. - 特許庁

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。例文帳に追加

When a gallium nitride semiconductor containing at least indium is produced by organo-metallic CVD system, contamination of organic metal compound is reduced by employing nitrogen as a carrier gas for gasifying the organic metal compound of an indium source and employing hydrogen for the organic metal compound other than indium source. - 特許庁

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。例文帳に追加

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order. - 特許庁

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５の表面を含む領域に形成された金属化合物領域６と、金属化合物領域６上に形成された窒化アルミニウム層７と、窒化アルミニウム層７上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層８と、反応源供給層８上に形成された発光機能層９とを備えている。例文帳に追加

The light emitting element 1 comprises a silicon substrate 5, a metal compound region 6 formed on a region including the surface of the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 7 formed on the metal compound region 6, a reaction source supply layer 8 formed on the aluminum nitride layer 7 and containing gallium and indium, and a light emitting function layer formed on the reaction source supply layer 8. - 特許庁

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。例文帳に追加

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals. - 特許庁

表面に保護膜を形成することなく、かつ表面にダメージを与えることなく、所望箇所のみに微細なエッチングを、十分なエッチング速度で行うことができ、かつ、低温で分解する窒化インジウムなどの化合物半導体に対しても適用できる窒化ガリウム系半導体のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method of a gallium nitride based semiconductor capable of executing fine etching only at a desired part at a sufficient etching speed without forming a protective film on a surface and without damaging the surface, and capable of applying even to a compound semiconductor of indium nitride or the like to be decomposed at a low temperature. - 特許庁

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride based semiconductor layer which solves the problem that can not make a GaN based semiconductor layer having a uniform orientation sufficiently stable even if forming a group III GaN nitride semiconductor layer on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer, its manufacturing method, a compound semiconductor element using it, and a luminous element thereof. - 特許庁

窒素ガス雰囲気下、ガリウム、アルミニウム等のIII族元素と、ナトリウム等のアルカリ金属を坩堝に入れ、加熱加圧して溶融し、単結晶を育成する際に、前記坩堝として（Ａ）融点若しくは分解温度が２１００℃以上の窒素非含有材質製の坩堝若しくは（Ｂ）希土類酸化物、アルカリ土類金属酸化物、Ｗ、ＳｉＣ、ダイヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボンからなる群から選択される少なくとも一つの材質製の坩堝を使用する。例文帳に追加

A group III element such as gallium or aluminum and an alkali metal such as sodium are put into a crucible in a nitrogen gas atmosphere and thermally melted under pressure, thus growing a single crystal. - 特許庁

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。例文帳に追加

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion. - 特許庁

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b. - 特許庁

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a. - 特許庁

工業用として市販されている粗アンモニアまたは窒化ガリウム系化合物半導体プロセスから回収された粗アンモニアを、酸化マンガンまたはニッケルを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が４〜１０Å相当の合成ゼオライトと接触させて、粗アンモニアに不純物として含まれる酸素、二酸化炭素、水を除去する。例文帳に追加

Oxygen, carbon dioxide and water contained in crude ammonia as impurities are removed by contacting commercial crude ammonia for industrial use or crude ammonia recovered from the process for gallium nitride type compound semiconductor, with the catalyst having manganese or nickel oxide as the effective component, followed by further contacting the crude ammonia with synthetic zeolite of 4-10 Å equivalent pore diameter. - 特許庁

基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。例文帳に追加

The carbon concentration within a buffer layer 13 is controlled by introducing material gas of hydrocarbon or organic compounds containing carbon such as propane as an additive in forming the buffer layer 13 by introducing trimethylgallium (TMGa) and ammonium (NH_3) as gaseous nitride compound semiconductor materials into a chamber in which a substrate is disposed. - 特許庁

スイッチング素子である電界効果トランジスタに並列に接続されており、夫々炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる２つのショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）について、順方向に導通し始めるオン電圧の高低に応じて、順方向の電圧に対する電流の変化率が大小となるようにする。例文帳に追加

Two Schottky barrier diodes (SBDs) which are connected in parallel to a field effect transistor that is a switching element, and composed of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), respectively, are configured to vary a rate of change of a current with respect to a forward voltage in accordance with the level of an ON voltage which is started to be conducted forward. - 特許庁

転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a light emitting element which can increase an internal quantum efficiency using a gallium-nitride compound semiconductor having a reduced dislocation density, and also to provide a method for manufacturing a light emitting element which can avoid cracks in the light emitting element and increase a light output efficiency by simplifying a step of forming a substrate having an unevenness structure. - 特許庁

透光性半導体基板上の１層の窒化ガリウム系化合物半導体層内に発光波長の異なる発光層を複数層並べて形成することにより、色度、色調の経時的な変化、及び発光層同士での光の吸収を抑えることができる多波長発光型の発光素子、及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-wavelength light-emitting type light-emitting element and a manufacturing method thereof which suppress the age-based changes of coloramaticity and color tone and the optical absorptions by light-emitting layers, by forming a plurality of aligned light-emitting layers having different light-emitting wavelengths in a one-layer gallium-nitride-based compound semiconductor layer which is present above the light transmitting type semiconductor substrate. - 特許庁

炭化珪素からなる半導体基板上に炭化珪素または窒化ガリウムの半導体エピタキシャル成長層を半導体層として備える半導体装置であって、小さなオン抵抗を実現するため前記半導体基板の厚さを薄くしても、半導体基板の強度を維持し、ウエハプロセスにおけるウエハ割れを少なくできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having the semiconductor epitaxial growth layer of silicon carbide or nitride gallium as a semiconductor layer on a semiconductor substrate composed of the silicon carbide, capable of maintaining the strength of the semiconductor substrate even when the thickness of the semiconductor substrate is reduced in order to realize small on-state resistance and reducing wafer breaking in a wafer process, and its manufacturing method. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体のような高温で腐食性の高いガスを用いた気相成長反応を行なう場合であっても、半導体膜の品質に悪影響を与えることなく、ヒータの断線等を抑制することができ、長期間にわたり安定した成膜が可能な気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase growth apparatus that is capable of forming films stably for a long time without giving negative influences on a quality of a semiconductor film even in performing a vapor-phase growing reaction employing a furiously corrosive gas with an elevated temperature for a gallium nitride compound semiconductor or the like so that breaking of wire, etc. of a heater is inhibited. - 特許庁

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト（ＳｉＣ）、ダイヤモンド、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。例文帳に追加

This plasma display device is provided with the sustaining circuit supplying a sustaining pulse voltage to electrodes of a plasma display panel and switching elements which are made of a wide band-gap semiconductor such as silicon carbide (SiC), diamond, gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) whose band gaps are wider as compared with that of a silicon semiconductor are used in the sustaining circuit. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a new structure in which light distribution characteristics directly above a light-emitting device is improved and which can highly maintain emission intensity in the light-emitting device in which a substrate made of a gallium nitride based compound semiconductor is used and the substrate rear side which is not formed with a layered structure including a light emission layer serves as the main light-emitting side. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level. - 特許庁

且つ、効果的に、ｐ型金属電極とｐ型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。例文帳に追加

In addition, contact uniformity in a surface direction of the p-type metal electrode p and the p-type gallium-nitride ohmic-contact layer are reinforced, thereby local light-emitting caused by unevenness of the second contact spreading metal layer in the third contact spreading metal layer is effectively prevented, and driving voltage is reduced, thereby making outer quantum efficiency improved. - 特許庁

ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層１３と、前記半導体層のｐ側もしくはｎ側に位置する導電性の基板１１と、半導体層と基板との間に位置し、基本的に不純物をドープしないことにより基板と半導体層とに比べて高抵抗とした反射層１２とを備えるように構成したものである。例文帳に追加

The light emitting element is constituted having a nitride gallium compound semiconductor layer 13 with a p-n junction, a conductive substrate 11 located in a p-side or an n-side of the semiconductor layer, and a reflection layer 12 which is located between the semiconductor layer and the substrate and has high resistance when compared to a substrate and a semiconductor layer being basically undoped with impurities. - 特許庁

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。例文帳に追加

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。例文帳に追加

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer. - 特許庁

第１の半導体層及び第２の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第２の半導体層にゲート電極３６が形成され、第１の半導体層に第２の電極３９が形成され、ゲート電極３６及び第２の電極３９で第１の半導体層及び第２の半導体層を挟むよう構成している。例文帳に追加

The first and the second semiconductor layers are configured by nitride gallium compound semiconductor layers, a gate electrode 36 is formed on the second semiconductor layer, a second electrode 39 is formed on the first semiconductor layer, and the gate electrode 36 and second electrode 39 are configured to sandwich the first and the second semiconductor layers. - 特許庁

アルミナに銀を含有する触媒粒子(A)と、アルミナ粒子及び／又はガリウム、タングステン、インジウム、コバルト、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するアルミナ粒子(B)を物理的に混合した、水蒸気と過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、還元剤を使用して、窒素酸化物を選択的に還元除去するための触媒。例文帳に追加

The catalyst for selectively reducing and removing nitrogen oxide by using a reducing agent in an oxygen environment containing water vapor and excessive oxygen is prepared by physically mixing: catalyst particles (A) comprising alumina which contains silver; and alumina particles and/or alumina particles (B) containing at least one kind metal selected from a group consisting of gallium, tungsten, indium, cobalt and iron. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element, and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level. - 特許庁

基板上に第１の窒化物半導体層とガリウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層形成されており、第１の窒化物半導体層に接合する第１のアノード電極と、第２の窒化物半導体層のみに接合する第２のアノード電極を構成する電極金属を適宜選択することによって、第１および第２のアノード電極それぞれのショットキーバリアの高さが異なるように構成している。例文帳に追加

A first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer not containing gallium are laminated and formed on a substrate, and by appropriately selecting electrode metals constituting a first anode electrode bonded to the first nitride semiconductor layer and a second anode electrode bonded only to the second nitride semiconductor layer, the heights of the Schottky barriers of the respective first and second anode electrodes are made different. - 特許庁

典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。例文帳に追加

A typical semiconductor film comprises a substrate and a graded gallium nitride layer deposited on the substrate having a varying composition of a substantially continuous grade from an initial composition to a final composition formed from a supply of at least one precursor in a growth chamber without any interruption in the supply. - 特許庁

典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。例文帳に追加

A typical method comprises providing a substrate and depositing a graded gallium nitride layer on the substrate having a varying composition of a substantially continuous grade from an initial composition to a final composition formed from a supply of at least one precursor in a growth chamber without any interruption in the supply. - 特許庁

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。例文帳に追加

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence. - 特許庁

半導体レーザ集積素子１は、主面１１ａを有する窒化ガリウム系半導体基板１１と、主面１１ａ上に設けられ、一対の共振端面１０ａ，１０ｂを有する光共振器１０と、主面１１ａ上に設けられ、一対の共振端面５０ａ，５０ｂを有する光共振器５０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser integrated element 1 includes: a gallium nitride-based semiconductor substrate 11 having a main surface 11a; an optical resonator 10 provided on the main surface 11a and having a pair of resonant end surfaces 10a, 10b; and an optical resonator 50 provided on the main surface 11a and having a pair of resonant end surfaces 50a, 50b. - 特許庁

半導体レーザ集積素子１は、主面１１ａ及び裏面１１ｂを有する窒化ガリウム系半導体基板１１と、主面１１ａ上に設けられ、一対の共振端面１０ａ，１０ｂを有する光共振器１０と、裏面１１ｂ上に設けられ、一対の共振端面５０ａ，５０ｂを有する光共振器５０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser integrated element 1 includes a gallium nitride-based semiconductor substrate 11 having a main surface 11a and a rear surface 11b, an optical resonator 10 provided on the main surface 11a and having a pair of resonant end surfaces 10a, 10b, and an optical resonator 50 provided on the rear surface 11b and having a pair of resonant end surfaces 50a, 50b. - 特許庁

半導体レーザ素子１Ａは、ＧａＮ基板１１上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層１７と、屈折率分布層１７上に設けられた活性層２７と、屈折率分布層１７と活性層２７との間に設けられたＩｎＧａＮからなる歪緩和層２５とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser element 1A has a refractive index distribution layer 17 provided on a GaN substrate 11 and composed of a gallium nitride based semiconductor with a periodic refractive index distribution extended in one dimension or two dimensions, an active layer 27 provided on the refractive index distribution layer 17, and a distortion relaxation layer 25 composed of InGaN and provided between the refractive index distribution layer 17 and the active layer 27. - 特許庁

主面１１ａ及び裏面１１ｂと、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、光共振器１０は、主面１１ａ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層１７を有しており、光共振器５０は、裏面１１ｂ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層５７を有している。例文帳に追加

An angle formed by the main surface 11a and the rear surface 11b, and a c-plane of the gallium nitride-based semiconductor crystal is ≥45° and ≤135°, and the optical resonator 10 has an active layer 17 containing indium and epitaxially grown on the main surface 11a, and the optical resonator 50 has an active layer 57 containing indium and epitaxially grown on the rear surface 11b. - 特許庁

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。例文帳に追加

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film. - 特許庁

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。例文帳に追加

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of about 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded onto the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12. - 特許庁

複数個直列に接続された二次電池１と、各二次電池１にそれぞれ並列接続され、スイッチング素子２を有するバイパス回路１０とを備えた二次電池装置において、スイッチング素子２をワイドギャップ半導体、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、または、ＧａＮ（窒化ガリウム）、または、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）にて形成するものである。例文帳に追加

In the secondary battery device is equipped with a plurality of secondary batteries 1 connected in series, and with by-pass circuits 10 respectively connected in parallel with each second battery 1 and provided with switching elements 2, the switching element 2 is formed by a wide-gap semiconductor, SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride) or DLC (diamond-like carbon). - 特許庁

該素子は、活性層２５から離れた位置において、活性層１５よりもバンドギャップエネルギーが高い層１８、２０中に、活性層１５とほぼバンドギャップが等しく、かつＡｓ、ＰおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む窒化ガリウム系半導体層１９を有する。例文帳に追加

The device has a gallium-nitride-based semiconductor layer 19 containing at least one type that has nearly the same band gap as the active layer 15 and is selected from a group consisting of As, P, and Sb in layers 18 and 20 having a higher band gap energy than the active layer 15 at a position separated from an active layer 25. - 特許庁

しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。例文帳に追加

Further, since the ridge or the like in the hard cubic structure 14 having the facet 15 has characteristic crystal orientation and is also clear, the cut line 21 of the gallium nitride crystal body 27 subjected to cutting in parallel with the ridge or the like of the cubic structure 14 can be used for the orientation flat as the reference line of device working. - 特許庁

半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor substrate 10 has a single crystal silicon substrate 11, a dislocation layer 12 formed in a surface region excluding the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, a buffer layer 13 formed on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, and a gallium nitride layer 14 formed on the surface of the buffer layer 13. - 特許庁

多結晶金属基板１１の結晶性に関する情報が窒化ガリウム系結晶層１０に伝えられないので、多結晶金属基板の結晶性に関する情報の影響を受けることなく、非晶質中間層１２の非晶質性に関する情報に基づいて、良好な結晶配向性を有して形成される。例文帳に追加

The gallium nitride crystal layer having a good crystal orientation is formed based on the informations related to the amorphous properties of the amorphous intermediate layer 12 without being influenced by the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate because the propagation of the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate 11 to the gallium nitride crystal layer 10 is suppressed. - 特許庁

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。例文帳に追加

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13. - 特許庁