| 意味 | 例文 (8件) |
Atomic layer etchingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
To improve the etching resistance of a silicon nitride film formed by low-temperature atomic layer deposition.例文帳に追加
低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁
To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加
複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
In this case, a high adhesion strength of the MoN layer 45 to the photosensitive resin 4 can be obtained by setting the N2 content in the MoN film 45 from 5 atomic % to 30 atomic %, and the degradation of the etching rate can be suppressed.例文帳に追加
その場合、ＭoＮ膜４５におけるＮ_2の含有量を５原子％以上で且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。 - 特許庁
In that case, high adhesion of the MoN layer 45 to the photosensitive resin 44 can be obtained and also an etching rate is prevented from decreasing by maintaining N_2 concentration in the MoN film 45 to ≥5 atomic % and ≤30 atomic %.例文帳に追加
その場合、ＭoＮ膜４５におけるＮ_2の含有量を５原子％以上で且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。 - 特許庁
At this time, a nitride of tungsten (especially, the preferable composition ratio of nitrogen is 0 to 50 atomic %) is used as a material of the mask layer, thereby etching at a place just below the mask layer is suppressed.例文帳に追加
ここで、該マスク層の材料をタングステン窒化物（特に窒素の組成比率は０〜５０atm％が好ましい）として、マスク層直下のエッチングを抑制する。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁
To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加
ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁
Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加
キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁
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