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CMOS deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 547件
NOISE CANCELING DEVICE AND METHOD IN CMOS IMAGE SENSOR例文帳に追加
CMOS画像センサにおける雑音キャンセル装置及び方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF CMOS DEVICE ON DISTORTED SILICON ON GLASS例文帳に追加
ガラス上の歪シリコン上のCMOSデバイスの製造方法 - 特許庁
CMOS TRANSISTOR TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
CMOSトランジスタ型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
SIGNAL TRANSMISSION CIRCUIT, CMOS DEVICE AND CIRCUIT SUBSTRATE例文帳に追加
信号伝送回路、CMOS半導体デバイス、及び回路基板 - 特許庁
TRANSMISSION CIRCUIT, CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING例文帳に追加
伝送回路、CMOS半導体デバイス、及び設計方法 - 特許庁
To reduce a rolling shutter distortion of CMOS imaging device.例文帳に追加
CMOS撮像素子のローリングシャッタ歪みを低減化する。 - 特許庁
METHOD OF FORMING HIGH PERFORMANCE CMOS DEVICE WITH REDUCED COST例文帳に追加
高性能で低コストのCMOSデバイスを形成する方法 - 特許庁
The selection device may be implemented in silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology.例文帳に追加
選択デバイスは、シリコン−オン−絶縁物(SOI)相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術で実装される。 - 特許庁
The CMOS device is therefore enabled to operate normally without using the CMOS device having high breakdown voltage, and while an increase in chip size is suppressed, the CMOS device can operate normally.例文帳に追加
したがって高耐圧のCMOSデバイスを用いることなく、CMOSデバイスの正常動作を可能にし、チップサイズの増大を抑制しながらも、CMOSデバイスを正常に動作させられる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND CMOS TRANSISTOR例文帳に追加
半導体装置およびその製造方法並びにCMOSトランジスタ - 特許庁
CMOS DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD AND MASK DATA FORMING METHOD例文帳に追加
CMOSデバイス,その製造方法及びマスクデータ生成方法 - 特許庁
To provide a noise-reduced CMOS solid-state imaging device.例文帳に追加
低ノイズ化のCMOS方式固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
DUAL GATE CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
デュアルゲートCMOS型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
CMOS IMAGE PICKUP DEVICE PROVIDED WITH A/D CONVERTER FOR EVERY PIXEL例文帳に追加
画素毎のA/D変換器を備えるCMOS撮像装置 - 特許庁
DUAL-GATE TYPE CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
デュアルゲート型CMOS半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の製造方法及びCMOS半導体装置の製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD TO SPEED-UP CMOS CIRCUIT例文帳に追加
半導体集積回路装置とCMOS回路の高速化方法 - 特許庁
The CMOS imaging device 43 progressively outputs the image signal.例文帳に追加
CMOS撮像素子43は画像信号をプログレッシブ出力する。 - 特許庁
The imaging device 10 is composed on a CMOS of a single chip.例文帳に追加
撮像装置10は、1チップのCMOS上に構成されている。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME (HIGH-K METAL GATE CMOS)例文帳に追加
半導体デバイスとその形成方法(高k金属ゲートCMOS) - 特許庁
To enough activate substrate contact regions of a support substrate with little changing the conventional SOI-CMOS device forming process.例文帳に追加
従来のSOI-CMOSデバイス形成プロセスをほとんど変更することなく、支持基板の基板コンタクト領域を充分活性化する。 - 特許庁
To materialize a countermeasure against a reversal region in a CMOS semiconductor device, without changing the manufacturing process of a CMOS semiconductor device.例文帳に追加
CMOS半導体装置において、反転領域対策を、CMOS半導体装置の製造工程を変えないで実現することを課題とする。 - 特許庁
Bi-CMOS SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
Bi−CMOS型半導体集積回路装置及びその製造方法 - 特許庁
VARIABLE NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICE COMPATIBLE WITH CMOS, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加
CMOS互換の可変負性微分抵抗装置及びその動作方法 - 特許庁
To rationalize ion implanting process for CMOS semiconductor device.例文帳に追加
CMOS半導体装置におけるイオン注入工程の合理化を図る。 - 特許庁
CMOS INTEGRATED CIRCUIT AND TIMING SIGNAL GENERATING DEVICE PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加
CMOS集積回路及びこれを用いたタイミング信号発生装置 - 特許庁
CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH DOUBLE WORK FUNCTION METALLIC GATE STACK例文帳に追加
二重仕事関数金属ゲートスタックを備えるCMOS半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, CMOS TYPE REGULATOR AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
半導体装置及びその製造方法、CMOS型レギュレータ、電子機器 - 特許庁
To materialize the speed up of a semiconductor device by increasing the drive current of a CMOS device.例文帳に追加
CMOSデバイスの駆動電流を増加させて、半導体装置の高速化を実現する。 - 特許庁
ACTIVE ELEMENT AND CMOS CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE USING THE ACTIVE ELEMENT例文帳に追加
能動素子、これを用いたCMOS回路及びこれを用いた表示装置 - 特許庁
To provide a CMOS semiconductor device which has a simple structure and can be downsized.例文帳に追加
簡易な構造で、かつ小型化が可能なCMOS半導体装置を得る。 - 特許庁
To increase the dynamic range of a CMOS imaging device when a rolling shutter is operated.例文帳に追加
ローリングシャッタ動作のCMOS撮像装置でダイナミックレンジを拡大する。 - 特許庁
FIN FET CMOS, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME例文帳に追加
フィンFETCMOSとその製造方法及びそれを備えるメモリ素子 - 特許庁
CMOS DEVICE OF DOUBLE VERTICAL CHANNEL THIN FILM TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ダブルバーティカルチャネル薄膜トランジスタのCMOS装置及びその製造方法 - 特許庁
IMAGE PICKUP DEVICE, CMOS TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加
撮像装置並びにCMOS型固体撮像素子及びその駆動方法 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a CMOS device on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上へCMOSデバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁
ACTIVITY ELEMENT, CMOS CIRCUIT USING THE ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加
能動素子、これを用いたCMOS回路及びこれを用いた表示装置 - 特許庁
CMOS DEVICE HAVING HYBRID CHANNEL ORIENTATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING CMOS DEVICE HAVING HYBRID CHANNEL ORIENTATION USING FACET EPITAXY PROCESS例文帳に追加
ハイブリッド・チャネル配向を有するCMOSデバイスおよびファセット形成エピタキシを用いてハイブリッド・チャネル配向を有するCMOSデバイを作製するための方法 - 特許庁
To provide a method of forming CMOS semiconductor device having a dual gate.例文帳に追加
デュアルゲートを有するCMOS半導体装置形成方法を提供する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR CMOS IMAGE SENSOR例文帳に追加
半導体装置の製造方法およびCMOSイメージセンサーの製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF COMPLEMENTARY METAL-OXIDE- SEMICONDUCTOR (CMOS) SENSOR DEVICE例文帳に追加
相補形金属−酸化物−半導体(CMOS)センサデバイスの製造方法 - 特許庁
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TYPE SOLID IMAGING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC INFORMATION DEVICE例文帳に追加
CMOS型固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 - 特許庁
CMOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
CMOS型半導体装置の製造方法および、CMOS型半導体装置 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR ADJUSTING EXPOSURE TIME IN CMOS IMAGE SENSOR例文帳に追加
CMOSイメ—ジセンサにおける露出時間を調節するための装置及び方法 - 特許庁
To provide a method for forming a CMOS transistor in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置においてCMOSトランジスタを形成する方法を提供する。 - 特許庁
PRODUCTION OF COMPLEMENTARY TYPE METAL-OXIDE- SEMICONDUCTOR (CMOS) PHOTOSENSITIVE DEVICE例文帳に追加
相補形金属−酸化物—半導体(CMOS)感光性デバイスの製造方法 - 特許庁
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