「Deep layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Deep impurity diffused layer parts 34, 35, isolated from the ends of gate electrodes 29 at source and drain regions, are formed first, then sidewall spacers formed in a laminate structure on the sidewalls of the gate electrodes 29 are partly removed, and shallow impurity diffused layers 36, 37 adjacent the gate electrodes 29 are later formed to allow the diffused layers 36, 37 to be heat treated at low temp.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域のゲート電極２９の端部から離隔した深い不純物拡散層部分３４、３５を先に形成し、その後ゲート電極２９の側壁に形成した積層構造のサイドウォールスペーサ３２の一部を除去し、ゲート電極２９に隣接する浅い不純物拡散層３６、３７を後から形成することにより、不純物拡散層３６、３７の低温での熱処理を可能とする。 - 特許庁

To provide an alkalinity recovering agent and an alkalinity recovering method which can recover alkalinity not only to the surface layer of a neutralized concrete molded body but also to the deep part thereof, thus maintains the alkaline environment in the concrete molded body by periodically performing application or the like to an existing building, effectively suppresses deterioration in the strength caused by the corrosion of the steel at the inside, and can improve the durability of the concrete molded body.例文帳に追加

中性化コンクリート成型体の表面層だけでなく深部にまでアルカリ性を回復させることができ、そのため、既存の建造物に定期的に塗布等を行なうことでコンクリート成型体中のアルカリ性環境が維持され、内部の鋼材の腐蝕による強度低下が効果的に抑制され、コンクリート成型体の耐久性を向上させることができるアルカリ性回復剤及びアルカリ性回復方法を提供する。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

The display device is constituted by curving this panel at prescribed curvature in such a manner that the display pattern displayed in the display section focuses at the retina in the deep part of the eyeball by taking the refractive index relating to the medium of the crystalline lens existing in an air layer between the display section and the eyeball and in the anterior portion of the eyeball into consideration.例文帳に追加

眼球前面に所定間隔にて配置されコヒーレント光を発する多数の発光素子が配列されたパネルから構成する表示部を有し、当該表示部と前記眼球との間の空気層及び前記眼球前部に位置する水晶体の媒質に係わる屈折率を考慮して、前記表示部に表示される表示パターンが前記眼球奥部の網膜に焦点が合うように前記パネルを所定の曲率にて湾曲させたことを特徴とするヘッドマウントディスプレーである。 - 特許庁