「Deep layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a soil-, soil-nature-, and ground-improving machine with a bucket mixer having a stirring facilitating means that makes more effective construction management of fluidized soil produced when mixing the deep layer soil and shallow layer soil in soil-, soil-nature-, and ground-improving work.例文帳に追加

土壌や土質および地盤改良工事における深層及び浅層の各混合時の流動化処理土の施工管理を、より効果的にする撹拌促進手段を備えたバケットミキサー付き土壌や土質および地盤改良機械を提供する。 - 特許庁

In the intake for the cooling water, the impervious slab for cutting off an upper layer water section on the front section of an channel port is connected between an anchor placed on the bottom having an opening section for a deep layer water intake and a floating body in a tiltable manner.例文帳に追加

本発明の冷却水のための取水口においては水路口の前面部の上層水部を遮る遮水版を、深層水取水用の開口部を設けた水底に配置したアンカーと、浮体の間に傾動自在に連結する。 - 特許庁

The average particle diameter of copper particles 157 in a shallow place of the coating layer 152 is larger than that of the copper particles 156 in the deep place and is smaller than that of the inorganic material particles 154 constituting the metalized metal layer 151.例文帳に追加

被覆層１５２の浅部に存在する銅粒子１５７の平均粒径は、深部に存在する銅粒子１５６の平均粒径よりも大きくかつメタライズ金属層１５１を構成する無機材料粒子１５４の平均粒径よりも小さい。 - 特許庁

An overflow barrier 15 which restricts the overflow of signal charge stored in photosensors 1 is formed in an epitaxial growth substrate 19 at a very deep point, and a first getter layer 16 and a second getter layer 22 are formed at a deeper point than the overflow barrier 15.例文帳に追加

エピタキシャル成長基板１９の深層部には、各フォトセンサ部１に蓄積した信号電荷のオーバフローを制限するオーバフローバリア１５が形成され、その深層側に第１のゲッタ層１６と第２のゲッタ層２２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode material for a cold-cathode fluorescent lamp in which a discharge layer is formed at the inner surface of a cup shaped electrode base material by making thickness homogeneous and strengthening an adhering strength, and in which the discharge layer is not peeled-off even if deep drawing is carried out.例文帳に追加

カップ状の電極機材の内面に、厚さを均一にしかつ付着強度を強固にして放電層を形成し、深絞りを行っても放電層が剥離しない冷陰極蛍光ランプ用電極材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the epitaxial layer 5, a heavily doped embedded region 16 having an impurity concentration higher than that of the epitaxial layer 5 is formed between the deep trench 6 and a portion facing the source region 14 in the depth direction.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層５には、ソース領域１４に対して深さ方向に対向する部分とディープトレンチ６との間に、エピタキシャル層５の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度埋込領域１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a wastewater treatment apparatus of a type aerating a medium-deep layer with a water depth of about 3-10 m capable of putting a beneficcal point capable of reducing the arranging area of a conventional deep layer aeration tank to practical use while ensuring a benefical point of a vertical surface aeration aerator simple in arrangement and the easiness of the maintenance of the aerator.例文帳に追加

縦軸型の表面曝気エアレータを使用してその設置が簡便である利点とメンテナンスの容易さとを確保しながら、従来の深層曝気槽の設置面積を少なくできる利点を活用することができるようにした、水深３ｍを越え１０ｍ程度まであるいはそれ以上の中深層曝気型排水処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

With such a structure, an inversion layer is formed for a p-type base region 3 by turning only the first gate electrode 8a out of the first and second gate electrodes 8a, 8b, but the inversion layer may be formed not deep enough to connect an n^-type drift layer 2 and an n^+-type impurity region 4.例文帳に追加

このような構造では、第１、第２ゲート電極８ａ、８ｂのうちの第１ゲート電極８ａのみをオンさせることで、ｐ型ベース領域３に対して反転層を形成しながらも、その反転層がｎ^-型ドリフト層２とｎ^+型不純物領域４とを繋ぐ深さまでは形成されないようにすることができる。 - 特許庁

To solve the problem that normal recording and reproduction can not be performed since complicated reflection occurs between layers and a ghost spot occurs on an undesired layer other than a deep layer and reflection light from the undesired layer is also returned to a detector in a multilayer disk.例文帳に追加

多層ディスクにおいては、途中の層間で複雑な反射が起こり、記録再生を行いたい奥の層以外の層で焦点を結んでしまうというゴーストスポットが生じ、記録再生を行いたい層以外の層からの反射光もディテクタに戻ってきてしまうので、正常な記録再生ができないという問題が生じる。 - 特許庁

To provide an optical recording medium where the jitter characteristic of recording and reproducing characteristic is improved and errors are reduced by improving the wettability of dye to reflective layer material in the case of providing a dye recording layer on a deep side in view from a light-incident side on a reflective layer in the optical recording medium comprising two pairs of information layers.例文帳に追加

２組の記録構成体を有する光記録媒体において、光入射側からみて奥側の色素記録層を反射層上に設ける際の、反射層材料に対する色素の濡れ性を改善し、記録再生特性のジッタ特性が良くエラーの少ない光記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To separately control a distance from a channel into optimum states under a gate electrode of a salicide layer on a source/drain region of a MOS transistor in an LDD structure, and a distance from a channel into optimum states under a gate electrode of a deep diffusion layer in the source/drain region.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部からの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層のゲート下電極のチャネル部からの距離を別々に最適状態に制御する。 - 特許庁

To provide an image display device in which an image data with deep directory structure having a folder in a lower-level layer of a folder is displayed as hierarchical structure where only a file exists in the lower-level layer, GUI design is made easy, and a user-friendly interface is available.例文帳に追加

フォルダの下位にフォルダが存在するような深いディレクトリ構成を有する画像データをフォルダの下位にファイルのみが存在するような階層構造として表示し、ＧＵＩの設計を容易とし、ユーザフレンドリーなインターフェースを有する画像表示装置を提供する。 - 特許庁

As a measure against the insufficient setting of depth of the existing landslide control steel pipe pile 120 into a support layer, the micro pile 11 projecting to a deep layer longer than the existing landslide control steel pipe pile 120 can secure a considerably large peripheral surface frictional force to secure a necessary bearing force.例文帳に追加

又、既設鋼管抑止杭１２０の支持層への根入れ不足対策としても、既設鋼管抑止杭１２０よりも長く深層へと突出するマイクロパイル１１が、比較的大きな周面摩擦力を確保し、必要な支持力を確保するものとなる。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 11 corresponding to the shallow high-concentration diffusion layer 19 and the deep high-concentration diffusion layer 22, two-step structure silicide films 23 are formed having different thicknesses corresponding to depths of the high-concentration diffusion layers 19 and 22.例文帳に追加

そして、浅い高濃度拡散層１９および深い高濃度拡散層２２に対応するシリコン基板１１の表面部には、それぞれの高濃度拡散層１９，２２の深さに応じて厚さの異なる二段構造のシリサイド膜２３が形成されている。 - 特許庁

To provide a technique for improving a breakdown voltage in a semiconductor device, where a buried insulator is formed at a deep section in a trench, an insulating layer is formed on the wall surface of a shallow section in the trench, and the inside of the insulating layer is filled with a trench inner conductor.例文帳に追加

トレンチの深部に埋め込み絶縁体が形成されており、トレンチの浅部の壁面に絶縁層が形成されており、その絶縁層の内側にトレンチ内導体が充填されている構成の半導体装置の耐圧を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a patterned medium which can efficiently fill magnetic substance deep into fine pores, even if a sputtering method is employed for filling the magnetic substance into the fine pores of a porous layer, has very few impurities and has a magnetic substance layer of a high coercive force.例文帳に追加

多孔質層の細孔への磁性体の充填にスパッタ法を用いても細孔の奥まで効率よく磁性体を充填することができ、不純物が極めて少なく、保磁力の高い磁性体層を有するパターンドメディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a gate voltage is applied to a gate electrode 9 during the on-time while diluting the impurity concentration of a low concentration region 10b in a p-type deep layer 10, an inversion layer is formed at parts located on the side surface and the bottom of a trench 6 in the low concentration region 10b.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０の低濃度領域１０ｂの不純物濃度を薄くし、オン時にゲート電極９にゲート電圧を印加すると、低濃度領域１０ｂのうちトレンチ６の側面および底部に位置する部分に反転層が形成されるようにする。 - 特許庁

The battery case is obtained by shaping the surface treated steel sheet having an iron - nickel alloy plated layer on the outermost layer corresponding to the inside surface of the battery case made from a plating original sheet composed of the steel sheet by a deep drawing process, a drawing and ironing process (DI) or drawing thin and redraw process (DTR).例文帳に追加

電池ケースは、鋼板からなるめっき原板の電池ケース内面に相当する最表層に鉄−ニッケル合金めっき層を有する表面処理鋼板を、深絞り成形法、ＤＩ成形法又はＤＴＲ成形法によって成形して得られる。 - 特許庁

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

A deep ultraviolet light-emitting element structure of a group III nitride semiconductor comprises: an AlGaN/GaN short-period superlattice layer composed of AlGaN barrier layers and GaN well layers; and an n-type AlGaN layer and a p-type AlGaN layer that are disposed so as to vertically sandwich the AlGaN/GaN short-period superlattice layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明のIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造は、ＡｌＧａＮ障壁層とＧａＮ井戸層とからなるＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層と、上記ＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層を上下に挟むように配置されるｎ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＡｌＧａＮ層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a luster color coating film forming method and a coated material in which glittering feeling having deep and dense feeling is exhibited and FF property and high glittering feeling are given by forming a transparent luster color clear coating film layer as a luster color coating film layer and incorporating a specific aluminum flake pigment also in a base coating film layer of an under layer to form a complex color with both coating film layers.例文帳に追加

光輝性塗膜層を透明性のある光輝性クリヤー塗膜層として、下層のベース塗膜層にも特定のアルミニウムフレーク顔料を含有させ、両塗膜との複合色を形成することにより、深みのある緻密感を有した光輝感を発現することができ、さらにＦＦ性および高輝度感が付与される光輝性塗膜形成方法および塗装物を提供すること。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁

In this way, by the low-concentration N-type region 25, the depletion layer of the photodiode is so extended to the deep portion of its substrate as to improve its photoelectric conversion effect relative to a penetrating light of a long wavelength and increase its sensitivity.例文帳に追加

こうして、フォトダイオードの空乏層を低濃度Ｎ型領域２５によって基板深部にまで広げて、長波長の侵入光に対する光電変換効果を高めて感度を上昇させる。 - 特許庁

A metal plate laminated to the resin composition does not whiten the laminate layer, even when subjected to a deep drawing processing or a stretching processing which are a process for producing metal cans.例文帳に追加

本発明の金属缶ラミネート用樹脂組成物によれば、ラミネートされた金属板を製缶加工の一工程である深絞り加工や延伸加工に供してもラミネート層に白化を起こさない。 - 特許庁

To form a deep reinforcing layer to a woody fiberboard, which becomes the base material of a decorative sheet, up to its inside from its surface without bringing about the increase in cost or the environmental problem caused by the use of a solvent.例文帳に追加

溶剤の使用によるコストアップや環境上の問題を招くことなく、化粧板の基材となる木質繊維板にその表面から内部までの深い強化層を形成できるようにする。 - 特許庁

The portion 4A of the color oxide film 4 which has withdrawn to the side of a substrate deep part is formed with the foregoing etching, in which a semiconductor material such as amorphous silicon is embedded to form a semiconductor connection layer 15A.例文帳に追加

このエッチングによりカラー酸化膜４が基板深部側に後退した部分４Ａが形成され、そこに非晶質シリコンなどの半導体材料を埋め込んで半導体接続層１５Ａを形成する。 - 特許庁

Therefore, it is made possible to thin a protective film easily by the structure with a flat base of a protective film arranged at the upper layer, or the structure where a boundary part between pixels is somewhat deep.例文帳に追加

そのため、上層に配置される保護膜の下地が平坦な構造もしくは画素間の境界部分が少し深い構造となっており、保護膜を容易に薄膜化することが可能である。 - 特許庁

An Mo/Si multilayered film (a surface side multilayered film) 102 is film-deposited on the surface of the deep layer side multilayered film 101 by a low voltage discharge rotary magnet cathode sputtering method which is a kind of a magnetron sputtering method.例文帳に追加

深層側多層膜１０１の表面には、マグネトロンスパッタ法の１種である低圧放電ロータリーマグネットカソードスパッタ法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜（表層側多層膜）１０２が成膜されている。 - 特許庁

To provide an optical recording device which makes recording with low power on a unit recording layer of a deep side in a phase change type optical recording medium having a plurality of unit recording layers, an optical recording method and an optical recording medium.例文帳に追加

複数の単位記録層を有する相変化型光記録媒体において、奥側の単位記録層に低パワーで記録できる光記録装置、光記録方法及び光記録媒体を提供する。 - 特許庁

Since the trench 22 is narrow, the area can be made to be significantly reduced, as compared when the n+ type source region 104 is connected to the p+ type silicon substrate 101 through a deep diffusion layer.例文帳に追加

トレンチ溝２２の幅が狭いので、深い拡散層を通じてｎ＋型ソース領域１０４とｐ＋型シリコン基板１０１を接続する場合に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

Thereby, a current flowing range can be expanded even within an n^- type drift layer 2 between the divided deep layers 10, so that more current can be flown between a source and a drain.例文帳に追加

これにより、分断されたｐ型ディープ層１０の間のｎ^-型ドリフト層２内でも電流の流れる範囲が広がるようにでき、ソース−ドレイン間により多くの電流が流れるようにできる。 - 特許庁

To provide a cloth for inkjet dyeing enabling deep homogeneous dyeing in inkjet dyeing with inks made of anionic dyes by placing an ink- receiving layer consisting of a specific anionic condensate on a cloth.例文帳に追加

染料の高い染着を可能とし、均一な染色物を得ることができ、更には、洗浄工程での未固着染料による汚染が低減できるインクジェット染色用布帛と染色方法を提供する。 - 特許庁

The geothermal power can be surely transferred to the heat pipe 4 at a low cost by the circulating piping 4 and the heat storage chamber 7, even when a geothermal layer of a desired temperature for evaporating the working fluid 1 locates deep.例文帳に追加

作動流体１を蒸発させるための所望温度の地熱層が深い現場でも、循環配管４と蓄熱室７によりその熱をヒートパイプ４に低コストで確実に輸送できる。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device performing electrical isolation of a base region from a layer of the same conductive type as the base region under a trench without making the trench deep and contriving the simplification of a manufacturing process.例文帳に追加

トレンチを深くしなくても、ベース領域とトレンチ下のベース領域と同導電型の層との電気的分離を行え、かつ、製造工程の簡略化が図れるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

(a) A semiconductor substrate in which impurities are added, at a relatively low concentration, to a relatively deep region of a surface layer, and added, at a relatively high concentration, to a relatively shallow region is prepared.例文帳に追加

（ａ）表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

The method can solve the problems of a full-via first method and a partial-via first method, as the selective over layer forms a deep partial through-hole and an undeveloped photo resist prevents deposition during following manufacturing steps.例文帳に追加

本発明は、選択性オーバーレイヤが深い部分貫通孔を形成し、未現像のフォトレジストが後続の製造ステップの間堆積されるのを阻止するために、full-via first method とpartial-via first method の問題点を解決できる。 - 特許庁

Due to this structure, a depletion layer becomes easy to be expanded into the n^--type drift region 3 side at a region from the surface to a deep part of a substrate, reducing the concentration of an electric field.例文帳に追加

このような構成とすれば、基板表面から基板深くまでの領域において、ｎ^-型ドリフト領域３側へ空乏層が広がり易くなり、電界集中を緩和することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can have a shallow source-drain region formed while preventing a conductor layer from reaching a deep part in a substrate, and is suitable for microfabrication; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電層が基板の内部深くにまで達することを回避して、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

At a surface layer portion of a semiconductor substrate 2, a source region 13 and a drain region comprising a deep N-type well 8, an N-type well 10 and a contact region 11 are formed leaving a gap.例文帳に追加

半導体基板２の表層部には、ソース領域１３とディープＮ型ウェル８、Ｎ型ウェル１０およびコンタクト領域１１からなるドレイン領域とが間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

Surface water becomes warm in the summer but lower layer water just below the surface remains cold whereby warm water fish such as sardine, mackerel and sea bream is caught in the area close to the surface while cold water fish such as cutlass fish and cod is caught in deep waters and on ocean floor. 例文帳に追加

表層水は夏に高温になるが、わずか下層では寒冷となるため、表層でイワシ、サバ、鯛など温暖水魚がとれ、深海や海底ではタチウオ、タラなどの冷水魚がとれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To form a deep carved irregular pattern in a sharp contour even for a product of little water content such as the product shaped by a paper-making method and a flow-on one layer molding method.例文帳に追加

抄造法やフローオン一層成形法のような賦形された製品の含有水分量が少ない製品であっても深彫りの凹凸模様をシャープな輪郭に形成することを課題とする。 - 特許庁