「Etch Residue」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a formulation for removal of a photoresist, an etch residue and a BARC, and also to provide a method including the formulation.例文帳に追加

フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法を提供する。 - 特許庁

FORMULATION FOR REMOVAL OF PHOTORESIST, ETCH RESIDUE AND BOTTOM ANTIREFLECTION COATING (BARC), AND METHOD USING THE FORMULATION例文帳に追加

フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法 - 特許庁

The formulation for removing a photoresist, ion implanted photoresist, BARC and/or etch residue comprises an ammonium hydroxide, 2-aminobenzothiazole and remainder water.例文帳に追加

フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。 - 特許庁

Provided is a water-rich hydroxylamine formulation for photoresist and post-etch/post-ash residue removal in applications where a semiconductor substrate comprises aluminum.例文帳に追加

Ａ半導体基材がアルミニウムを含む用途におけるフォトレジストおよびエッチング後／アッシング後残留物除去のための水に富んだヒドロキシルアミン調合物。 - 特許庁

In one embodiment, a plasma formed from NF3 is diluted with N2 to etch residue from the surfaces of the processing chamber used to deposit silicon oxide glass.例文帳に追加

実施形態においては、ＮＦ_3から生成されたプラズマをＮ_2で希釈して、酸化ケイ素ガラスを堆積するために用いた処理チャンバの表面から残渣をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can effectively etch a Pt residue, Pt contamination or a Pt film and prevent the development of corrosion in a metal member of an etching apparatus.例文帳に追加

Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent etch residue by selectively implanting ions into regions of a film which is directly above the lower sides of steps covered with this film prior to etching and then etching the film.例文帳に追加

配線や電極等のパターンによって形成された基板上の段差部を覆う膜をエッチングする際に、エッチング残りが残るのを防止した、エッチング方法の提供が望まれている。 - 特許庁

The method for removing a material selected from a group consisting of photoresist, etch residue, BARC and combinations of these, from a substrate includes applying the above described formulation to the substrate to remove the material from the substrate.例文帳に追加

本発明はフォトレジスト、エッチ残留物、ＢＡＲＣ及びそれらの組合せからなる群から選択した材料を基材から除去する方法であって、材料を基材から除去するために、上記に記載された、配合物を基材に適用することを含む方法でもある。 - 特許庁

To provide a washing method of a substrate and a substrate washing device which do not over-etch a thin insulating film, a lower film, inappropriately by effectively removing an etching residue and a metal polymer formed in a patterned metal surface on the substrate.例文帳に追加

基板上にパターン化された金属の表面に形成されたエッチング残留物や金属ポリマを効果的に除去し、下部膜である薄い絶縁膜を不適切にエッチングし過ぎない基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

HF (hydrogen fluoride) gas is supplied to a wafer W having a thermal oxidation film 72, a BPSG (boron phosphorous silicate glass) film 75 and a deposit film 76 to etch the BPSG film 75 and the deposit film 76 selectively by hydrofluoric acid while residue 41 consisting of H_2SiF_6 generated upon the etching is decomposed into HF and SiF_4 through heating.例文帳に追加

熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 - 特許庁