| 例文 |
First Transitの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 60件
A first memory (51) is provided in which such relationship data is stored in advance among a set value for amount of a firing chemical filled in the flying body main-body (11) based on preset discrete value, a transit time at the top point, a current speed at the top point, and a firing angle.例文帳に追加
一方、予め離散的に設定された設定値に基づいて飛翔体本体（11）に充填される発射薬量の該設定値と頂点の通過時間と頂点の存速と発射角との関係データを予め記憶する第１メモリ（51）を備えている。 - 特許庁
In a wheel loader 50, if a predetermined first condition is satisfied in regard to vehicle speed, an accelerator opening, engine speed, and an HST pressure, the absorption torque curve of an engine of an HST pump 4 is switched to transit the matching point from the low rotation side to the high rotation side.例文帳に追加
ホイールローダ５０は、車速、アクセル開度、エンジン回転数およびＨＳＴ圧力について、所定の第１条件を満たす場合には、ＨＳＴポンプ４のエンジンの吸収トルク曲線を切り換えて、マッチングポイントを低回転側から高回転側へと移行させる。 - 特許庁
A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission.例文帳に追加
第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。 - 特許庁
If input data D and DX are at L level and H level respectively, a PMOS 112 of the first inverter circuit 114 and an NMOS 116 of the second inverter circuit 117 turn to ON state, and an output data QX and Q transit to H level and L level, respectively.例文帳に追加
入力データＤ，ＤＸがそれぞれＬレベルおよびＨレベルであれば、第１のインバータ回路１１４のＰＭＯＳ１１２と第２のインバータ回路１１７のＮＭＯＳ１１６がオン状態となり、出力データＱＸ，ＱがそれぞれＨレベルおよびＬレベルへ遷移する。 - 特許庁
A hetero-junction field-effect semiconductor device includes an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, a gate electrode 8, a first insulating film 9 made of silicon oxide, and a second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加
本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る第１の絶縁膜９と、シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０とを有している。 - 特許庁
To provide an image forming device capable of shortening a transit period of time (starting time) from the first state (standby state) to the second state (state for starting image formation), and saving the energy consumption, regardless of electric power capacity restriction of the power source line.例文帳に追加
電源ラインの電力容量の制限に依らず、第一状態（スタンバイ状態）から第二状態（画像形成を開始できる状態）とするまでの移行期間（立上げ時間）を短縮させることが可能であり、かつ省エネルギー化が可能な画像形成装置を提供すること。 - 特許庁
The rotary coupling mechanism 3 is arranged to transit from any one of a closed state where the second case 2 covers the operating section 11 of the first case 1 entirely or an open state symmetrical to the center line of the first case 1 where the second case 2 exposes the operating section 11 to the other state through single rotary operation.例文帳に追加
回転連結機構３は、第２の筐体２が第１の筐体１の操作部１１全体を覆う閉じた状態と、第２の筐体２が操作部１１を露出するとともに第１の筐体１の中心線に対して左右対称となる開いた状態とのいずれか一方の状態から他方の状態へ１回の回転操作により移行できるように構成されている。 - 特許庁
An image processing part 131 generates transition dynamic images in which dynamic images gradually transit on the basis of the first frame of an original dynamic image or the last frame with respect to a photographed dynamic image or a dynamic image downloaded through a network, and combines the transition dynamic images with the original dynamic image to generate dynamic images with a transition effect added.例文帳に追加
画像処理部１３１は、撮影した動画、あるいはネットワークを介してダウンロードした動画に対して、オリジナル動画の先頭フレーム、または最終フレームを元に段階的に動画が遷移していくトランジション動画を生成し、オリジナル動画に結合してトランジション効果を加えた動画を生成する。 - 特許庁
A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity.例文帳に追加
共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。 - 特許庁
When performing the data access to a plurality of slave devices 2 connected to a low-speed operation bus 7 from the master device 1 connected to a high-speed operation bus 6 through a bus bridge circuit 3, states of first and second state machines 4, 5 inside the bus bridge circuit 3 transit on the basis of access content from the master device 1 side and an internal state at that time point.例文帳に追加
高速動作バス６に接続されているマスタデバイス１から、バスブリッジ回路３を介して、低速動作バス７に接続されている複数のスレーブデバイス２へのデータアクセスを行う場合、マスタデバイス１側からのアクセス内容およびその時点の内部状態を基に、バスブリッジ回路３内の第１、第２ステートマシン４、５の状態が遷移する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
