「InterConnect」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The first and second flip-flop cells have a plurality of transistors arranged in regions of the same size in a common transistor arrangement pattern, and also have wiring in mutually different wiring patterns which interconnect the plurality of transistors to constitute flip-flop circuits, thereby constituting the flip-flop circuits which use at least single transistors of the same size, arranged at identical positions in the respective regions, at different positions of the circuits.例文帳に追加

第１および第２のフリップフロップセルは、同一の寸法のそれぞれの領域内に共通のトランジスタ配置パターンで配置された複数のトランジスタを有するとともに、複数のトランジスタを相互に接続してフリップフロップ回路を構成する互いに異なる配線パターンの配線を有し、それぞれの領域内の同一の位置に配置された同一の寸法の少なくとも１個のトランジスタを、回路的に異なる位置に使用したフリップフロップ回路を構成するセルである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit 12 is formed and a passivation film 16 is formed to expose at least a part of an electrode 14 connected electrically with the integrated circuit 12, a resin layer 24 formed on the passvation film 16 of the semiconductor substrate 10, and an interconnect 28 formed on the resin layer 24 from above the electrode 14 to be connected electrically therewith.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有し、電極１４の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜１６が形成されている半導体基板１０と、半導体基板１０のパッシベーション膜１６上に形成された樹脂層２４と、電極１４に電気的に接続されるように、電極１４上から樹脂層２４上に形成された配線２８と、を有する。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT.例文帳に追加

本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT.例文帳に追加

本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 - 特許庁