「InterConnect」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of forming a trench element isolation without exposing the side wall of a semiconductor substrate and laying out interconnect lines on the semiconductor substrate where the trench element isolation is formed without causing a short circuit between electrodes.例文帳に追加

半導体基板の側壁を露出することなくトレンチ素子分離を形成し、かつ当該トレンチ素子分離が形成された半導体基板上に電極間をショートさせることなく配線形成を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data transfer device capable of easily accessing a configuration space without installing a BD (Bridge Device) in the data transfer device connected by a PCI (Peripheral Component Interconnect) bus and a PCI-Express bus.例文帳に追加

ＰＣＩバス、およびＰＣＩ−Ｅｘｐｒｅｓｓバスで接続されたデータ転送装置において、ＢＤ（Ｂｒｉｄｇｅ Ｄｅｖｉｃｅ）を設置することなく、コンフィグレーション空間のアクセスを簡易に行うことができるデータ転送装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The connection between the motor shaft protection cap and the hollow shaft encoder is achieved using a friction and/or shape adaptation connecting means that is recursively release and interconnect them via a relative motion between the motor shaft protection cap and the hollow shaft encoder.例文帳に追加

モータシャフト保護キャップと中空シャフトエンコーダとの間の接続は、モータシャフト保護キャップと中空シャフトエンコーダとの間の相対運動を介して反復的に解放可能且つ接続可能である摩擦及び／又は形状適合接続手段を用いて達成される。 - 特許庁

A chain section 510 for conveying products along a conveyance system includes the at least two chain links 512, 514 having apertures 513b opened at both ends and the pin 516 inserted to the apertures 513b of the chain links 512, 514 to interconnect the chain links 512, 514.例文帳に追加

搬送システムに沿って製品を搬送するチェーンセクション５１０は、両端にアパーチャ５１３ｂが開いている少なくとも２つのチェーンリンク５１２，５１４と、チェーンリンクのアパーチャに挿入されることによりチェーンリンクを互いに接続するピン５１６とを備える。 - 特許庁

To provide a technology for performing reduction treatment of oxides formed on the surface of an electrode or an interconnect composed of tungsten surely by active species produced by activating ammonia gas by plasma without forming a tungsten nitride film on the surface of tungsten.例文帳に追加

タングステンからなる電極や配線の表面に形成された酸化物を、アンモニアガスをプラズマにより活性化させた活性種で確実に還元処理することができ、しかもタングステン表面に窒化タングステン膜が形成されないようにする技術を提供すること。 - 特許庁

Also, the electronic interconnect industry association commentator indicated that it expected “nearly 100% of affected issuers will need to complete” a Conflict Minerals Report because “the vast majority of [issuers] will be unable to identify the origin of their conflict minerals.”例文帳に追加

また、電子相互接続業界団体の意見提出者は、「［発行人の］大部分が紛争鉱物の原産国を特定することができないと思われる」ため、「関連する発行人のほぼ100%が」紛争鉱物報告書を「作成しなければならない」と考えられると述べた。 - 経済産業省

For the PRA estimate of the due diligence costs, we relied primarily on the cost estimates from the manufacturing industry association and the university group commentators and, to a lesser extent, we also relied on the electronic interconnect industry association commentator’s estimates.例文帳に追加

我々は、PRAに関連したデュー・ディリジェンスの費用見積もりを算定するにあたり、主として製造業界団体と大学グループの意見提出者の見積もりを基礎とし、電子相互接続業界団体の意見提出者の見積もりもある程度利用した。 - 経済産業省

To enable the upper electrodes of two or more capacitors with side faces each coated with an insulating film different in quality from an interlayer insulating film to be connected together with a flat interconnect line even if an area where the capacitors are densely provided and another area where the capacitors are sparsely provided are present in the surface of a wafer.例文帳に追加

ウエハ面内に複数のキャパシタが密に存在する部分と粗に存在する部分があっても、層間絶縁膜とは異なる材質の絶縁膜で側面が覆われた複数のキャパシタの上部電極を、平坦な配線で接続できるようにする。 - 特許庁

To provide a large-sized portable antenna that consists of membrane materials, mesh materials, cable materials and connection components which interconnect them so as to attain a weight-reducing structure, while having a high containing capability thereby realizing a large-sized reflection mirror surface at a light weight with a high carrying performance.例文帳に追加

本発明は、膜材料、メッシュ材料、ケーブル材料とそれらを結合する結合部品で構成して、高い収納性を有しつつ軽量な構造として、可搬性の高い大形の反射鏡面を軽量に実現する大型可搬アンテナである。 - 特許庁

The display device has a heat conductive layer 310 on the plastic substrate 100, and a smooth layer 301 is formed thereon to bond the lower side contact layer 113 of a thin film LED 102 on the smooth layer 301, and an interconnect wiring 308 is connected to the protruded side of the contact layer 113.例文帳に追加

プラスチック基板１００上に熱伝導層３１０を設け、その上に平滑層３０１を設けて平滑層３０１に薄膜ＬＥＤ１０２の下側コンタクト層１１３を接合し、該コンタクト層１１３の突出側に接続配線３０８を接続する。 - 特許庁

Therefore, we multiplied the university group commentator’s 100 hour estimate for large issuers by the electronic interconnect industry association commentator’s estimated 28% for large affected issuers, so the burden for large affected issuers would be 167,832 hours, and multiplied the 40 hour estimate for small issuers by the electronic interconnect industry association commentator’s 72% for small affected issuers, which resulted in 172,627 hours for small affected issuers.例文帳に追加

そこで、大学グループの意見提出者が出した大手企業に関する100時間という数値に、関連する発行人のうち大手企業が28%を占めるという電子相互接続業界団体の数値を掛けた結果、関連する大手発行人に必要な作業時間の見積もりは167,832時間となった。一方、小規模な発行人に関しては、40時間という数値に、関連する発行人のうち小規模な企業が72%を占めるという電子相互接続業界団体の数値を掛けた結果、関連する小規模な発行人に必要な作業時間の見積もりは172,627時間となった。 - 経済産業省

DIELECTRIC MATERIAL, INTERCONNECT STRUCTURE, ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRONIC SENSING STRUCTURE AND ITS MAKING METHOD (SiCOH DIELECTRIC MATERIAL WITH IMPROVED TOUGHNESS AND IMPROVED Si-C BONDING, SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING THE SAME, AND METHOD TO MAKE THE SAME)例文帳に追加

誘電体材料、相互接続構造、電子構造、電子センシング構造および該製作方法（改良された靭性および改良されたＳｉ−Ｃ結合を有するＳｉＣＯＨ誘電体材料、該誘電体材料を含む半導体デバイスおよび該誘電体材料の製作方法） - 特許庁

In this multifunction system having an image input-output part that needs an exchange of image data on a PCI (peripheral components interconnect) bus in real time, when there is no device that acquires a bus right on the PCI bus, a device that performs bus parking is automatically determined in accordance with a system operation mode.例文帳に追加

ＰＣＩバス上でリアルタイムな画像データの受け渡しを必要とする画像入出力部を有するマルチファンクションシステムにおいて、ＰＣＩバスでバス権を取得するデバイスが存在しない場合には、システムの動作モードに応じてバスパーキングするデバイスを自動的に決定する。 - 特許庁

This device has a silicon substrate 12, an isolation structure 10 present in the substrate 12 (for example, a shallow trench isolation), an active element structure (for example, a transistor structure), a dielectric layer covering the active element structure, and a metal interconnect layer (a first metal layer) 28 covering the dielectric layer 26.例文帳に追加

本発明のデバイスは、シリコン基板と、その基板内に有るアイソレーション構造（例えば、浅いトレンチ・アイソレーション）と、能動素子構造（例えば、トランジスタ構造）と、その能動素子構造を覆う誘電体層及びその誘電体層を覆うメタル・インターコネクト層（第１メタル層）を具備する。 - 特許庁

In an interconnect logic for interconnecting a plurality of master logic units and a plurality of slave logic units, for at least a subset of the transactions, ID aliasing logic is operable to replace a transaction identifier by a prescribed identifier and then to forward the address transfer to the slave logic units.例文帳に追加

複数のマスタ論理ユニットと複数のスレーブ論理ユニットを相互接続する相互接続論理において、トランザクションの少なくとも１つのサブセットについて、ＩＤエイリアシング論理が所定の識別子によりトランザクション識別子を置換えてから、スレーブ論理ユニットへアドレス転送を回送する。 - 特許庁

The interconnect mechanism and the cam lever means are in interactive engagement with each other so that the handle member can be relatively displaced to a first locking position where it is in a standing position during use and a second position in which the handle member makes pivotal movement to fold the frame assembly.例文帳に追加

ハンドル部材が使用中の立った位置にある第１のロック位置と、ハンドル部材がピボット運動してフレーム組立体を折り畳むような第２の位置へと相対的に変位するのを可能ならしめるように、相互連結メカニズムとカムレバー手段とが相互作用的に係合している。 - 特許庁

In order to promote the efficient utilization of queues within the node controller, the node controller preferably allocates a queue to the operation in response to receipt of the operation from the node interconnect, and then deallocates the queue in response to transferring responsibility for coherency management activities to the controller.例文帳に追加

ノード制御装置内のキューの効率的な使用を推進するために、ノード制御装置は好適には、ノード相互接続からの命令の受信に応答して、キューを命令に割当て、次に、コヒーレンス管理活動の責任を制御装置に譲渡することに応答して、キューを割当て解除する。 - 特許庁

To provide a structural ring interconnect printed circuit board assembly for a ducted fan unmanned aerial vehicle (UAV) having such a beneficial effect that a core vehicle body is provided with structural integrity, a supporting surface for a pod of the UAV is provided and an option of quick and inexpensive redesign is provided.例文帳に追加

コアビークル本体に構造的一体性をもたらし、ＵＡＶのポッドに対する軽量支持面を提供し、迅速で安価な再設計という選択肢を提供するという有益な効果を有する、ダクテッドファン無人飛行機（ＵＡＶ）用の構造リング相互接続プリント回路基板アセンブリを提供する。 - 特許庁

The interconnect for power supply signal indicated by number 10a is arranged all over a region in a plane square shape, including four connection pads 5a for power supply signal, on a left upper side of a silicon substrate 4, and connected to all the four connection pads 5a for power supply signal.例文帳に追加

符号１０ａで示す電源信号用の配線は、シリコン基板４上の左上側において、４個の電源信号用の接続パッド５ａを含む平面方形状の領域にベタ状に配置されたものからなり、４個の電源信号用の接続パッド５ａの全てに接続されている。 - 特許庁

A male screw 23 is inserted into a through hole 19c of a first sheet metal member 19 and screwed to the screwing part 315 of the first cylindrical part 313 and the screwing part 316 of the second cylindrical part 314 so as to interconnect the first sheet metal member 19 and the second sheet metal member 31.例文帳に追加

雄ねじ２３は、第１板金部材１９の貫通孔１９ｃに挿入されるとともに第１円筒部３１３の螺合部３１５及び第２円筒部３１４の螺合部３１６に螺合されて第１板金部材１９と第２板金部材３１を連結する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate on which an element is formed, a lowermost wiring layer formed on the substrate and equipped with a plurality of rectangular interconnect lines arranged in parallel along the same direction, and a bonding wiring layer formed on the lowermost wiring layer.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置は、素子の形成された基板と、基板上に積層され、同一方向に沿って並列に配置された複数の矩形状配線を備えた最下部配線層と、最下部配線層の上に積層されるボンディング可能なボンディング配線層とを備えている。 - 特許庁

To provide a multiprocessor array architecture which can provide a high degree of connectivity between processing elements within parallel arrays of processors while minimizing the wiring required to interconnect the processing elements and minimizing the communications latency encountered by inter-PE communications.例文帳に追加

プロセッサの並列アレイ内の処理エレメント間に高度の接続性を提供し、同時に、処理エレメントを相互接続するために必要な配線を最小限化し、かつＰＥ間通信が遭遇する通信待ち時間を最小限化することが可能な重プロセッサアレイのアーキテクチャを提供する。 - 特許庁

The interconnect line includes an internal electrode 6a formed on the mounting surface of the imaging element, an external electrode 6b formed on the rear surface at a position corresponding to the internal electrode, and an end face electrode 6c formed on the end face of the substrate and connecting the internal electrode and the external electrode.例文帳に追加

配線は、撮像素子の搭載面に形成された内部電極６ａと、その裏面の内部電極と対応する位置に形成された外部電極６ｂと、基板の端面に形成されて内部電極と外部電極とを接続する端面電極６ｃとを含む。 - 特許庁

The frame structure comprises a frame member serving as a main structural body, a fork for receiving a mounting block assembly, a rear axle rotatably supporting a pair of wheels at its ends, a generally inverted- U-shaped handle member, a T-shaped interconnect mechanism, and a cam lever means pivotally supported against the rear axle.例文帳に追加

主構造体となるフレーム部材と、マウンティングブロック組立体を受け入れるフォークと、１対のホイールをその端部で回転可能に支持するリアアクスルと、概ね倒立Ｕ字形のハンドル部材と、Ｔ字形の相互連結メカニズムと、リアアクスルにピボット支持されたカムレバー手段とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor chip 10 on which an electrode 12 is formed, a resin protrusion 20 formed on the surface 15 of the semiconductor chip where the electrode is formed, and an interconnect 30 including an electric joint 32 arranged on the resin protrusion and connected electrically with the electrode.例文帳に追加

半導体装置は、電極１２が形成された半導体チップ１０と、半導体チップにおける電極が形成された面１５に形成された樹脂突起２０と、樹脂突起上に配置された電気的接続部３２を含む、電極と電気的に接続された配線３０と、を含む。 - 特許庁

The interconnect device comprises an optoelectronic device 34 and a penetrator 32 made of an optically transmissive material, optically coupled with the optoelectronic device 34 and configured for transferring light along the length of an optical fiber 36 between the optical fiber 36 and the optoelectronic device 34.例文帳に追加

光電子デバイス３４と、光透過性材料から製造され、光電子デバイス３４に光学的に結合され、光ファイバ３６の長さに沿って前記光ファイバ３６と前記光電子デバイス３４との間で光を伝送するように構成されるペネトレータ３２を備えている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device using a material becoming a sacrifice polymer having a hardness under room temperature indispensable in a semiconductor process and suitable for forming an air isolation structure between the interconnect lines of semiconductor elements by thermally decomposing completely at a relatively low temperature.例文帳に追加

半導体プロセスにおいて必須である、室温での硬度を有し、同時に比較的低温で完全に熱分解して、半導体素子の配線間にエアアイソレーション構造を形成するために好適な犠牲ポリマーとなる材料を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The interconnect line has an adhesive layer containing oxidation reaction metal or silicide formation reaction metal and silver, a silver conductive layer formed on the adhesive layer, and a protective layer formed containing the oxidation reaction metal and the silver formed on the silver conductive layer.例文帳に追加

配線は、酸化反応性金属またはシリサイド化反応性金属、及び銀を含む接着層と、前記接着層上に形成される銀導電層と、前記銀導電層上に形成され、前記酸化反応性金属及び前記銀を含んで形成される保護層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor chip 10 having electrodes 14, a plurality of resin protrusions 20 formed on the surface of the semiconductor chip 10 where the electrodes 14 are formed, and interconnect lines 30 connected electrically with the electrodes 14 and formed on any resin protrusions.例文帳に追加

半導体装置は、電極１４を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の電極１４が形成された面に形成された複数の樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、いずれかの前記樹脂突起上に形成された配線３０とを含む。 - 特許庁

The stent or other intraluminal medical device is constructed by utilizing a plurality of individual, independent self-expanding stent segments which are designed to interconnect when constrained within a delivery sheath and to uncouple upon deployment.例文帳に追加

本発明のステントまたはその他の内腔内医療装置は多数個の、個々の、独立している、自己拡張式のステント・セグメントを利用して構成することができ、これらのステント・セグメントは一定の配給シースの中において拘束されている時に相互連結して配備時に分離するように設計されている。 - 特許庁

Isolation of a source region and a drain region is performed simultaneously with formation of a local interconnect by the gate electrode sidewall conductive film 120 by removing the gate electrode sidewall conductive film 120 appropriately through anisotropic etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119.例文帳に追加

このゲート電極側壁導電膜１２０をゲート電極側壁絶縁膜１１９に対して選択性のある異方性エッチングにより適宜除去することにより、ソース領域とドレイン領域との分離及びゲート電極側壁導電膜１２０による局所配線の形成が同時に行なわれる。 - 特許庁

In some embodiments, the interconnect layer may include an array of bonding interconnects 104A configured to provide electrical communication between the chip and a printed circuit board and reinforcement interconnects 104B arranged around an outermost row of the array of bonding interconnects.例文帳に追加

一部の実施形態において、相互接続層は、前記チップと印刷回路基板との間での電気通信を提供するように構成された結合インターコネクト１０４Ａのアレイと、該結合インターコネクトのアレイの最も外側の行の周りに配置された補強インターコネクト１０４Ｂとを含み得る。 - 特許庁

In this invention, the hermetically sealed housing encloses an inert gas atmosphere, and an electrical interconnect has at least one electrically conductive signal trace embedded onto a liquid crystal polymer (LCP) body to extend from an interior of the housing to an exterior of the housing.例文帳に追加

本発明によれば、気密封止型ハウジングは不活性ガス雰囲気を封入し、電気的相互接続は、ハウジングの内部からハウジングの外部へ延びる少なくとも１つの導電性信号トレースであって、液晶ポリマー（ＬＣＰ）本体に埋め込まれた導電性信号トレースを有している。 - 特許庁

A method to interconnect the first and second links is that the body part is inserted in the alignment openings 42 and 48 of the link to form a subassembly, and as the subassembly is securely held, a linear load is applied on the far end part 34 of a body part by using a tool 52.例文帳に追加

ファスナーにより第１リンクを第２リンクに接続する方法は、本体部分をリンクの整列開孔部42,48に挿入してサブアセンブリーを形成し、サブアセンブリーを固定保持しながら、工具52を用いて直線的荷重を本体部分の遠位端部34に加えることを含む。 - 特許庁

The lead frame 10 is provided with chip mounting parts 12 which are retained by an outer yoke 11 and mount a plurality of semiconductor chips, inner leads 13 arranged around each of the chip mounting parts 12, and interconnections 14 which interconnect and retain the inner leads 13 and the outer yoke 11.例文帳に追加

リードフレーム１０は、外枠部１１に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載するチップ搭載部１２と、各チップ搭載部１２の周囲に配置されたインナリード部１３と、インナリード部１３と外枠部１１とを連結して支持する連結部１４とを有している。 - 特許庁

An interconnect system for coupling nodes directly or through a protocol engine is also disclosed.例文帳に追加

さらに、ルータシステムにて２つの直接結合されたノード間でデータを要求する方法と、相互接続システム内の３またはそれ以上のノード間でのデータ要求方法と、相互接続システム内のクロスケースの解消方法と、ノードを直接またはプロトコルエンジンを通して結合するための相互接続システムも開示する。 - 特許庁

The low-k dielectric film can be then processed to form a metal interconnect structure therein and subsequently exposed to a second ultraviolet radiation pattern effective to remove the porogen material from the low-k dielectrics film and form a porous low-k dielectric film.例文帳に追加

低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 - 特許庁

The common collecting chamber 20C, the left collecting chamber 20L and the right collecting chamber 20R are interconnected by a first communicating passage 51 positioned just over the short intake passage 23 to interconnect the left collecting chamber 20L and the right connecting chamber 20R, and by a second communicating passage interconnecting the first communicating passage 51 and the common collecting chamber 20C.例文帳に追加

共通集合室20C、左集合室20Lおよび右集合室20Rは、左集合室20Lおよび右集合室20Rを連通させる短尺吸気通路23の直上の第１連通路51と、第１連通路51と共通集合室20Cとを連通させる第２連通路とにより相互に連通する。 - 特許庁

The injection nozzle 21 is formed approximately in an oval shape in its cross section and has a tapered shape such that the area of the outlet side is made larger than the area of the inlet side, and an injection nozzle axis to interconnect two centers is inclined so that the center of the fluid outlet side is positioned outward from the center on the inlet side.例文帳に追加

噴孔２１は略楕円形断面で、入口側の面積より出口側の面積が大きくなるテーパ形状を有し、入口側の中心より流体出口側の中心が外周側に位置するように、両中心を結ぶ噴孔軸線を傾斜させてある。 - 特許庁

In this optical interconnect system, signals of communication channels are superimposed on light beams from a plurality of light sources 11 placed spatially corresponding to pluralities of the communication channels and all the beams are propagated through one optical transmission line 13 while keeping a guide transmission mode substantially.例文帳に追加

光インタコネクトシステムでは、複数の通信チャネルに対応して空間的に配置された複数の光源１１からの光ビームに、通信チャネルの信号が重畳され、ビーム全てが、実質的に導波モードを保って伝搬する１本の光伝送路１３に結合される。 - 特許庁

The interconnect structure includes a flexible material, and has a front surface (52) and a rear surface (54), furthermore comprises a first substrate (50) constituted so that it may hold a sensor on the front surface (52), and a second substrate (56) connected to the rear surface (54) of the first substrate including a rigid material.例文帳に追加

相互接続構造は、可撓性材料を含み、前面（５２）及び後面（５４）を持ち、且つ該前面（５２）上にセンサを担持するように構成されている第１の基板（５０）と、第１の基板の後面（５４）に結合されていて、剛性材料を含む第２の基板（５６）とを有する。 - 特許庁

The interconnect 24 for heating is heated with the laser light to control a temperature distribution without lowering a temperature nearby the short side of the LSI chip 40 which is apt to be at a lower temperature, so that the ACF 81 is heated to suitable temperature (typically uniformly).例文帳に追加

この加熱用配線２４がレーザ光で加熱されることにより、温度が低くなりやすいＬＳＩチップ４０の短辺近傍の温度が低下せずに温度分布が調節され、結果としてＡＣＦ８１を適切な温度に（典型的には均一に）加熱することができる。 - 特許庁

Then, the laser dicing is performed on a region between the first groove 108a and the second groove 108b along the scribe line 120 from the surface where the second protective film is formed to form a cutting groove 100a that reaches at least a predetermined depth of the multi-layer interconnect 104.例文帳に追加

この後、第２の保護膜が形成された面から第１の溝１０８ａと第２の溝１０８ｂとの間の領域をスクライブライン１２０に沿ってレーザダイシングで切断して、多層配線層１０４の少なくとも所定の深さまで達する切断溝１００ａを形成する。 - 特許庁

With such an arrangement, interconnect lines on both boards are interconnected while minimizing the wiring distance, and the flexible board 10 is bonded stably to the circuit board 1 in its wiring pattern region, resulting in a highly reliable thin compound circuit board.例文帳に追加

この構成によって、双方の基板上の配線同士を最短の配線距離で相互接続できるとともに、フレキシブル基板１０がその配線パターン領域で回路基板１に結合できるため安定した固定ができ、薄型で高信頼性の複合回路基板を実現できる。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a seal ring 6 formed on an outer circumference of an element forming region 50 when seen from the top in a multilayer interconnect structure 3 formed on a silicon layer 4, and dummy metal structures 30a to 30i formed on a further outer circumference of the seal ring 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン層４上に形成された多層配線構造３内で、平面視において素子形成領域５０の外周に形成されたシールリング６と、シールリング６のさらに外周に形成されたダミーメタル構造３０ａ〜ダミーメタル構造３０ｉを含む。 - 特許庁