「MAGNETIC TUNNEL JUNCTION」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetic tunnel junction element is provided on the lower electrode.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子が下部電極上に設けられている。 - 特許庁

A first protection film is provided on the side face of the magnetic tunnel junction element.例文帳に追加

第１の保護膜が磁気トンネル接合素子の側面に設けられている。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction structure and the method of manufacturing the same are provided.例文帳に追加

磁気トンネル接合構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A digit line is arranged adjacent to the magnetic tunnel junction structure.例文帳に追加

前記磁気トンネル接合構造体に隣接してデジットラインが配置される。 - 特許庁

To filter an optical communication signal by using a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合を用いて光通信信号をフィルタリングすること。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPARATUS, MEMORY CELL EQUIPPED WITH THE SAME, AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気トンネル接合装置、これを備えるメモリセル、およびその製造方法 - 特許庁

TUNNEL JUNCTION SUPERCONDUCTIVE ELEMENT, MAGNETIC SENSOR, MEMORY, AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

トンネル接合超伝導素子、磁気センサ、メモリ及びスイッチング素子 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element having a large MR ratio suitable for MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭに好適な高ＭＲ比の磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合デバイスおよびこれを製造するための方法 - 特許庁

BURIED MAGNETIC TUNNEL-JUNCTION MEMORY CELL AND METHOD TO PRODUCE AND USE IT例文帳に追加

埋込型の磁気トンネル接合メモリセルおよびその作製／使用方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING TUNNEL BARRIER AND METHOD OF FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ)例文帳に追加

トンネルバリアの形成方法および磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の形成方法 - 特許庁

The magnetic tunnel junction type head is provided with a detection surface for detecting data, a magnetic tunnel junction film 14 and a flux guide 10 extended to the detection surface from the magnetic tunnel junction film 14.例文帳に追加

磁気トンネル接合型ヘッドは、データを検出する検出面と、磁気トンネル接合膜１４と、磁気トンネル接合膜１４から検出面まで延出するフラックスガイド１０とを備えている。 - 特許庁

The magnetic reading layer 50 has a magnetic tunnel junction which includes ferromagnetic layers having in-plane magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁気読出し層５０は、面内磁気異方性をもつ強磁性層を含む磁気トンネル接合を有する。 - 特許庁

MAGNETIC FIELD ANGLE SENSOR AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE MAGNETIC FIELD ANGLE SENSOR例文帳に追加

磁場角センサおよび磁気トンネル接合素子並びに磁場角センサの製造方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING SAME, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁

A magnetic random access memory is characterized that a magnetic tunnel junction layer is consisted of a lower magnetic film, an anti-oxidation film, a tunnel oxide film and an upper magnetic film.例文帳に追加

そして、前記トンネル酸化膜を形成する過程でその下部膜が損傷することを防止してＭＲ比が低くなることも防止できる。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR MAGNETIZED FREE LAYER OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AS WELL AS TUNNEL JUNCTION TYPE REPRODUCING HEAD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の磁化自由層の形成方法ならびにトンネル接合型再生ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a tunnel junction magnetic resistance element that has a novel structure wherein tunnel junction is formed without lamination structure.例文帳に追加

積層構造を有さないでトンネル接合を形成した新規な構造のトンネル接合磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC TUNNEL EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子及びその製造方法、並びに磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RAM USING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT HAVING WRITE AND READ CIRCUIT例文帳に追加

書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

As a result, the magnetic tunnel junction has magnetic resistance larger by about 100%.例文帳に追加

その結果、当該磁気トンネル接合は、約１００％より大きい磁気抵抗を有する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction magnetic device, a memory, and a writing/reading method using the device.例文帳に追加

磁気トンネル接合磁気装置、メモリ、及び前記装置を用いた書き込み及び読み出し方法。 - 特許庁

To prevent deterioration of a magnetic device due to damage introduced by a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合に導入されるダメージによる磁気デバイスの劣化を抑制すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合構造体の製造方法及びこれを利用する磁気メモリ素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF READING INFORMATION IN MAGNETIC MEMORY USING REVERSIBLE RESISTANCE CHANGE IN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION例文帳に追加

磁気トンネル接合での復元可能な抵抗変化を利用した磁気メモリの情報読み出し方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリ - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE READ-IN HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD AND MAGNETIC FIELD DETECTING DEVICE例文帳に追加

磁気トンネル接合型読み取りヘッド、その製造方法および磁場検出装置 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法ならびに磁気メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

The detection current flowing from a 1st electrode 16 connected with the 1st tunnel junction 18 flows to a 2nd electrode 17 through the 1st tunnel junction 18, the magnetic free layer 10, and the 2nd tunnel junction 19.例文帳に追加

第1のトンネル接合１８に接続される第1の電極１６から流れる検出電流は、第1のトンネル接合１８、磁化自由層１０、及びと第2のトンネル接合１９を通って第2の電極１７に流れる。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS MAGNETIC HEAD JUNCTION TYPE HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその製造方法ならびに磁気トンネル接合型ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION WITH IMPROVED MAGNETIC SWITCHING PROPERTIES, AND FORMING METHOD THEREFOR (MAGNETIC TUNNEL JUNCTION WITH IMPROVED MAGNETIC SWITCHING PROPERTIES)例文帳に追加

磁気スイッチング特性が改善された磁気トンネル接合を有する半導体素子及びその形成方法（磁気スイッチング特性が改善された磁気トンネル接合） - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

A plurality of upper electrodes are connected to other ends of the plurality of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

複数の上部電極は、複数の磁気トンネル接合素子の他端に接続されえいる。 - 特許庁

An upper electrode is provided on the magnetic tunnel junction element and the first protection film.例文帳に追加

上部電極が磁気トンネル接合素子および第１の保護膜上に設けられている。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION COMPRISING AMORPHOUS CoFeSiB OR AMORPHOUS NiFeSiB FREE LAYER例文帳に追加

非晶質ＣｏＦｅＳｉＢ又は非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ自由層を備える磁気トンネル接合 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that uses a magnetic tunnel junction device MTJ.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子ＭＴＪを用いる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To filter a plurality of frequency signals by using magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合を用いて複数の周波数信号をフィルタリングすること。 - 特許庁

A second bit line is connected to the other end of each magnetic tunnel junction element via the upper electrode.例文帳に追加

第２のビット線は、各磁気トンネル接合素子の他端に上部電極を介して接続されている。 - 特許庁

The memory array comprising the magnetic tunnel junction device 200 is also provided.例文帳に追加

このような磁気トンネル接合デバイス２００を備えたメモリ・アレイも提供する。 - 特許庁

A memory array that includes such a magnetic tunnel junction 200 is also provided.例文帳に追加

このような磁気トンネル接合デバイス２００を備えたメモリ・アレイも提供する。 - 特許庁

There is disclosed the thermally-assisted magnetic tunnel junction structure having a thermal barrier.例文帳に追加

本明細書では、熱バリアを有する熱アシスト磁気トンネル接合構造が開示される。 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF, AND MAGNETIC SENSOR EMPLOYING THIS DEVICE例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element with a large MR ratio and a minimum magneto-striction.例文帳に追加

ＭＲ比が大きく磁歪が最小限となるような磁気トンネル接合素子を得る。 - 特許庁

To increase manufacturing yield in a manufacturing process of a magnetic tunnel junction element (TMR element).例文帳に追加

磁気トンネル接合素子（ＴＭＲ素子）の製法において、製造歩留りを向上させる。 - 特許庁