「MAGNETIC TUNNEL JUNCTION」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

LAMINATED FILM HAVING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC RECORDER, AND MAGNETIC MEMORY UNIT例文帳に追加

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置 - 特許庁

To achieve thin layers of an element without sharply deteriorating magnetic characteristics in a ferromagnetic tunnel junction element, a magnetic memory cell, and a magnetic head.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気メモリセル及び磁気ヘッドに関し、素子の薄層化を磁気特性を大幅に低下させることなく実現する。 - 特許庁

To accelerate data read from an MRAM(Magnetic RAM) device formed of a magnetic substance memory cell having a magnetic tunnel junction section.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのデータ読出を高速化する。 - 特許庁

The tunnel junction is formed by using a first magnetic layer equipped with a hollow portion, a second magnetic layer having magnetic property different from the first magnetic layer, and a tunnel insulating layer interposed between the first and the second magnetic layers.例文帳に追加

中空部を備える第１の磁性層と、この第１の磁性層と異なる磁化特性を有する第２の磁性層と、前記第１および第２の磁性層の間に介在するトンネル絶縁層とによってトンネル接合を形成する。 - 特許庁

A plurality of cell transistors are formed on the semiconductor substrate, are provided corresponding to magnetic tunnel junction elements, and turn into a conducted state when the current flows through the corresponding magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

複数のセルトランジスタは、半導体基板に形成され、磁気トンネル接合素子に対応して設けられ、該対応する磁気トンネル接合素子に電流を流すときに導通状態となる。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus comprises a plurality of magnetic tunnel junction elements disposed on a semiconductor substrate and a plurality of selection transistors electrically connected to one ends of the plurality of magnetic tunnel junction elements, respectively.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板上に配置された複数の磁気トンネル接合素子と、複数の磁気トンネル接合素子の一端に電気的に接続された複数の選択トランジスタとを備える。 - 特許庁

A bit line BL is not directly connected with the magnetic tunnel junction part MTJ, but electrically connected with the magnetic tunnel junction part MTJ through the access transistor ATR.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、磁気トンネル接合部ＭＴＪと直接結合されず、アクセストランジスタＡＴＲを介して磁気トンネル接合部ＭＴＪと電気的に結合される。 - 特許庁

To provide a thermal layer that is employed for a thermally-assisted magnetic tunnel junction structure, and particularly for a thermally-assisted magnetic tunnel junction structure that is used as a memory.例文帳に追加

熱アシスト磁気トンネル接合構造、特にメモリとして使用する熱アシスト磁気トンネル接合構造に用いるためのサーマル層を提供すること。 - 特許庁

This method is characterized in that the information recorded in the magnetic tunnel junction is read by monitoring the electric resistance of the magnetic tunnel junction changed by electromagnetic disturbance.例文帳に追加

この方法は、電磁気的撹乱によって変化する磁気トンネル接合の電気抵抗をモニタリングすることによって、磁気トンネル接合に記録された情報を判読することを特徴とする。 - 特許庁

To provide: a magnetic tunnel junction apparatus capable of preventing an interference phenomenon and an electrical short circuit between magnetic tunnel junction apparatus adjacent to each other; and to provide a production method thereof.例文帳に追加

隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

A method of switching the magnetization orientation of a ferromagnetic free layer of an out-of-plane magnetic tunnel junction cell comprises a step of passing an AC switching current through the out-of-plane magnetic tunnel junction cell.例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法であって、ＡＣスイッチング電流を上記面外磁気トンネル接合セルに通すステップを含む。 - 特許庁

The bit line BL is not coupled directly to the magnetic tunnel junction section MTJ, but coupled electrically to the magnetic tunnel junction section MTJ through the access transistor ATR.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、磁気トンネル接合部ＭＴＪと直接結合されず、アクセストランジスタＡＴＲを介して磁気トンネル接合部ＭＴＪと電気的に結合される。 - 特許庁

To provide a structure of magnetic tunnel junction which is subjected to heat treatment without an increase in the tunnel resistance value and a drop of the MTJ breakdown voltage, and also to provide a method for encapsulating magnetic tunnel junction for providing the same, and a method for forming a magnetic device comprising the same.例文帳に追加

トンネル抵抗値の増加やＭＴＪ破壊電圧の低下を伴うことなく熱処理に晒すことができる磁気トンネル接合構造、これを実現し得る磁気トンネル接合の封入方法、およびそれを備えた磁気デバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, METHOD FOR FORMING VORTEX MAGNETIZATION STATE, AND METHOD FOR SWITCHING VORTEX MAGNETIZATION STATE例文帳に追加

磁気トンネル接合、磁気ランダムアクセスメモリ、渦磁化状態の形成方法および渦磁化状態の切り換え方法 - 特許庁

MAGNETIC RAM DEVICE HAVING CONTACT PLUG BETWEEN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合構造体と基板との間にコンタクトプラグを有する磁気ラム素子及びその製造方法 - 特許庁

This magnetic RAM device is equipped with a semiconductor substrate and magnetic tunnel junction structure arranged on the semiconductor substrate.例文帳に追加

磁気ラム素子は、半導体基板及び前記半導体基板上に配置された磁気トンネル接合構造体を具備する。 - 特許庁

The portion of lower magnetic layer 3/oxidation control layer 4/insulating layer 5/upper magnetic layer 6 is the tunnel junction of the tunneling magnetoresistive element.例文帳に追加

下部磁性層３／酸化抑制層４／絶縁層５／上部磁性層６の部分が、トンネル磁気抵抗効果素子におけるトンネル接合部となっている。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) for connecting a bit line (31) with a sense line (49) through an insulation transistor (81).例文帳に追加

磁気メモリ素子は、絶縁トランジスタ（８１）を介してビット線（３１）をセンス線（４９）に接続する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（３７）を備える。 - 特許庁

A magnetic storage element comprises first and second writing conductors WE1 and WE2 arranged at both sides of a magnetic tunnel junction MTJ.例文帳に追加

磁気トンネル接合体両側にそれぞれ配置された第１及び第２の書き込み導電体を含む。 - 特許庁

METHOD OF SWITCHING MAGNETIZATION ORIENTATION OF FERROMAGNETIC FREE LAYER OF OUT-OF-PLANE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL, MAGNETIC MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF STORING DATA ELECTRONICALLY例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法、磁気メモリシステムおよびデータを電子的に記憶する方法 - 特許庁

To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁

To reduce a chip area of an MRAM device formed by a magnetic body memory cell having a magnetic tunnel junction part.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのチップ面積削減を図る。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction device and a manufacturing method therefor, in which a large tunneling magnetic ratio and a stable exchange coupling is attainable.例文帳に追加

大きなトンネリング磁気抵抗比および安定した交換結合が可能な磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic tunnel junction structure and a magnetic element including it, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

垂直磁気トンネル接合構造体並びにそれを含む磁性素子、及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

There is provided the power generation device which uses a magnetic memory element such as an MTJ element (magnetic tunnel junction element).例文帳に追加

例えばＭＴＪ素子（磁気トンネル接合素子）などの磁気メモリ素子を利用した動力発生装置とする。 - 特許庁

The recorded data are read out by measuring a value of intensity of light passing through the memory element or magnetic resistance of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

記録されたデータの読み出しは、メモリ素子を通過する光強度または、磁気トンネル接合の磁気抵抗の値の測定により行われる。 - 特許庁

To provide a toggle type magnetic tunnel junction configured to be capable of precisely controlling the magnetic anisotropy axis of a ferromagnetic layer.例文帳に追加

強磁性層の磁気異方性軸の精密な制御が可能となる構造を有するトグル・タイプの磁気トンネル接合を提供すること。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction can be tuned to switch a state in response to a selected frequency of a magnetic field.例文帳に追加

その磁気トンネル接合は、磁界の選択された周波数に応答して、状態を切り替えるようにチューニングされ得る。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction can be tuned to switch a state in response to a selected frequency of the magnetic sense signal.例文帳に追加

磁気センス信号の選択された周波数に応答して、状態を切り替えるように磁気トンネル接合はチューニングされ得る。 - 特許庁

To provide a random access magnetic memory or logic element with thermally-assisted writing using a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。 - 特許庁

A first magnetic tunnel junction (MTJ) 192 is adjacent to a second MTJ 192 having a magnetic filter 208.例文帳に追加

第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）１９２は、磁気フィルタ２０８を有する第２のＭＴＪ１９２に隣接する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction device, where the rate of change in reluctance is high and the magnetization of a free magnetic layer can easily vary to an external magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction layer C, which is cylindrically formed having coaxially arranged constituent elements.例文帳に追加

磁気トンネル接合層Ｃを備える磁気メモリ素子において、磁気トンネル接合層Ｃは、構成要素が同心に備えられた円筒形である。 - 特許庁

To provide a structure for reducing or excluding stray magnetic field produced in the rim of a ferromagnetic layer in a magnetic tunnel junction device.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子内の強磁性層の縁部において生成される漂遊磁界を低減または排除する構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of reading information in a magnetic memory using a reversible resistance change in a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合での復元可能な抵抗変化を利用した磁気メモリの情報読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the chip area of an MRAM device formed of a magnetic body memory cell, provided with a magnetic tunnel junction part.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのチップ面積削減を図る。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction (730) can be tuned so as to switch a state in response to the selected frequency of the magnetic field (720).例文帳に追加

磁気トンネル接合(730)は、磁界(720)の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。 - 特許庁

A 1st tunnel junction 18 is formed of a magnetic free layer 10, and a 1st magnetic fixed layer 12, and a thin insulating layer 11 formed between both layers, and a 2nd tunnel junction 19 is composed of a magnetic free layer 10, a 2nd magnetic fixed layer 13, and the insulating layer 11.例文帳に追加

第1のトンネル接合１８は、磁化自由層１０、第1の磁化固定層１２と、両層の間に形成された薄い絶縁層１１によって形成され、第2のトンネル接合１９は、磁化自由層１０と第2の磁化固定層１３、及び絶縁層１１によって構成される。 - 特許庁

To provide a double barrier ferromagnetic tunnel junction having a low resistance and capable of obtaining a TMR effect of 1,000% or more at room temperature, and to provide a magnetic device using the double barrier ferromagnetic tunnel junction.例文帳に追加

室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

To enhance the quality and the reliability of a magnetic tunnel effect type magnetic head by suppressing the re-deposition of a matter generated by etching onto the side surface part of a magnetic tunnel junction element.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の側面部分に被エッチング物が再付着するのを抑制することにより、品質及び信頼性の大幅な向上を可能とする。 - 特許庁

A magnetic memory device (8) comprises a first magnetic tunnel junction (10) having a first reference ferromagnetic layer (16), a second magnetic tunnel junction (20) having a second reference ferromagnetic layer (26), and a conductive spacer layer (30) between the first reference layer (16) and the second reference layer (20).例文帳に追加

磁気メモリデバイス(8)は、第１の基準強磁性層(16)を有する第１の磁気トンネル接合(10)と、第２の基準強磁性層(26)を有する第２の磁気トンネル接合(20)と、第１の基準層(16)と第２の基準層(20)との間にある導電性スペーサ層(30)とを含む。 - 特許庁

At the time, it is desirable that horizontal length and vertical length are different from each other in the magnetic tunnel junction, and it is desirable that the electromagnetic disturbance is the change of a magnetic field formed by a current flowing to the short direction of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

この時、前記磁気トンネル接合は横の長さ及び縦の長さが互いに異なることが望ましく、前記電磁気的撹乱は前記磁気トンネル接合の短い方向に流れる電流によって形成される磁場の変化であることが望ましい。 - 特許庁

When a magnetic tunnel effect type magnetic head 20 having a magnetic tunnel junction element 33 disposed between a pair of magnetic shield layers 25 and 27 via a gap layer is manufactured, a surface to be the medium-facing surface of the magnetic tunnel junction element is subjected to etching machining after polishing machining.例文帳に追加

一対の磁気シールド層２５，２７の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子３３が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド２０を製造する際に、磁気トンネル接合素子の媒体対向面となる面に対して研磨加工を施した後に、当該媒体対向面となる面に対してエッチング加工を施す。 - 特許庁

A non-magnetic layer 3 constituting a ferromagnetic tunnel junction 1 comprising a magnetic layer 2, a non-magnetic layer 3, and a magnetic layer 4 is composed of a non-magnetic layer containing nitrogen, oxygen, and aluminum.例文帳に追加

磁性層２／非磁性層３／磁性層４からなる強磁性トンネル接合１を構成する非磁性層３を、窒素と酸素とアルミニウムを含む非磁性層によって構成する。 - 特許庁

The spin accumulation element is composed of a non-magnetic conductor 1, a first magnetic conductor 3, a second magnetic conductor 8 and a third magnetic conductor 6, each of which are in contact with the non-magnetic conductor by a tunnel junction.例文帳に追加

スピン蓄積素子は、非磁性導電体１、第一の磁性導電体３、第二の磁性導電体８、及び第三の磁性導電体６で構成されており、それぞれが、トンネル接合によって、非磁性導電体に接している。 - 特許庁