「MAGNETIC TUNNEL JUNCTION」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The information data are recorded in the memory element by making good use of two opposite-directional magnetization states of a free layer of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

情報データは、磁気トンネル接合の自由層の磁化状態に反対方向の二つのものがあることを利用して、メモリ素子に記録される。 - 特許庁

The semiconductor device can have a magnetic tunnel junction to be used in an MRAM circuit for example.例文帳に追加

前記半導体素子は、例えば磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）回路で使用される磁気トンネル接合を有することができる。 - 特許庁

The high-speed nonvolatile optical memory element is composed of a PIN diode having a magnetic tunnel junction electrode.例文帳に追加

高速不揮発性光メモリ素子において、メモリ素子は、磁気トンネル接合電極を持ったＰＩＮダイオードから構成されている。 - 特許庁

The AFM fixes magnetization of the SAF through contact with the pinning region of the SAF stretching laterally over the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

ＡＦＭは、磁気トンネル接合を超えて横方向に伸延するＳＡＦのピニング領域との接触を通じて、ＳＡＦの磁化を固定する。 - 特許庁

In this memory, tunnel magneto resistance elements TMRs constituting an MTJ (magnetic tunneling junction) memory cell are connected among sub-bit lines SBLs and straps SLs.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、サブビット線ＳＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element comprising a low magnetization cap layer capable of achieving a high MR ratio and an excellent RA value.例文帳に追加

高いＭＲ比と良好なＲＡ値とを達成可能な低磁化キャップ層を備えた磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

強磁性トンネル接合構造及びその製造方法並びに該強磁性トンネル接合を用いた磁気メモリ - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of controlling a current flowing through a magnetic tunnel junction device according to temperature during data reading operation.例文帳に追加

データの読出し動作時に、磁気トンネル接合素子に流れる電流を温度に応じて制御することが可能な半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction section MTJ is coupled between a write-word line WWL and the access transistor ATR.例文帳に追加

磁気トンネル接合部ＭＴＪは、ライトワード線ＷＷＬおよびアクセストランジスタＡＴＲの間に結合される。 - 特許庁

Such a smooth surface morphology improves hysteresis loop characteristics of the magnetic tunnel junction structure.例文帳に追加

このようななめらかな表面モルフォロジーは、前記磁気トンネル接合構造体のヒステリシスループ特性を改善させる。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction part MTJ is connected between a write word line WWL and the access transistor ATR.例文帳に追加

磁気トンネル接合部ＭＴＪは、ライトワード線ＷＷＬおよびアクセストランジスタＡＴＲの間に結合される。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction device 200 is provided that includes a free layer 205 and a pinned layer 260 separated by a barrier layer.例文帳に追加

障壁層で分離されたフリー層２０５と被ピン止め層２６０を備えた磁気トンネル接合デバイス２００を提供する。 - 特許庁

To suppress application of heat to an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) element while forming the MTJ element in a wiring layer located in a lower tier.例文帳に追加

下層の配線層にＭＴＪ素子を形成しつつ、ＭＴＪ素子に熱が加わることを抑制する。 - 特許庁

An element array formed by combining MTJ (magnetic tunnel junction) elements 23 and dummy elements 28 has a lattice-shaped dense pattern.例文帳に追加

ＭＴＪ素子２３及びダミー素子２８を合わせた素子アレイは、格子状の密集パターンを有している。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device in which storage data can be stored in ferromagnetic tunnel junction elements surely and with low power consumption.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子に記憶データを確実かつ低消費電力で行える磁気記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction type magnetic head which makes it possible to obtain a high MR(magneto-resistive) change rate with good reproducibility.例文帳に追加

高いＭＲ変化率を、再現性よく得ることができる強磁性トンネル接合型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element with excellent magnetic characteristics capable of suppressing the deterioration of resistance change rate.例文帳に追加

良好な磁気特性を有し、かつトンネル抵抗変化率の低下を抑制することができる強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

A first bit line is connected to one end of each magnetic tunnel junction element via one or a plurality of selection transistors.例文帳に追加

第１のビット線が、各磁気トンネル接合素子の一端に１つまたは複数の選択トランジスタを介して接続されている。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING LOGIC STATE OF MEMORY CELL IN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気トンネル接合メモリデバイスにおけるメモリセルの論理状態を判定するためのシステム及び方法 - 特許庁

A magnetic tunnel junction device 200 is provided which comprises a free layer 205 separated by a barrier layer and a pinned layer 260.例文帳に追加

障壁層で分離されたフリー層２０５と被ピン止め層２６０を備えた磁気トンネル接合デバイス２００を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction device increased in a relative amount of current along an edge part of a device, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

デバイスの縁部に沿って相対的な電流量を増大させた磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An impressing magnetic field is formed in the circumference of the STJ in the orthogonal direction to the joint surface of the superconducting tunnel junction element.例文帳に追加

印加磁場は、超伝導トンネル接合素子の接合面と直角方向にＳＴＪ周辺に形成される。 - 特許庁

This makes it possible to program data in the magnetic tunnel junction using the first writing conductor WE1 and the second writing conductor WE2.例文帳に追加

これにより、第１の書き込み導電体又は第２の書き込み導電体によって磁気トンネル接合体にデータをプログラムできる。 - 特許庁

A magnetic memory device (100) including double tunnel junction cells (108, 110) based on a magnetically soft reference layer is disclosed.例文帳に追加

磁気的に軟らかい基準層に基づいた二重トンネル接合セル(108,110)を含む磁気メモリデバイス(100)が開示される。 - 特許庁

To provide a tunnel junction magnetoresistance effect element which can satisfactorily cope with a high transfer rate in the read operation of the magnetic information.例文帳に追加

磁気情報の読み取りにあたって十分に転送速度の高速化に対応することができるトンネル接合磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a STT-MTJ-MRAM cell having a magnetic tunnel junction element excellent in spin polarization rate.例文帳に追加

スピン偏極率に優れた磁気トンネル接合素子を備えたＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁

To easily set first and second magnetic tunnel junction elements to be formed in a memory cell to a mutually-opposite resistive state.例文帳に追加

メモリセルに形成される第１および第２磁気トンネル接合素子を、簡易に互いに逆の抵抗状態に設定する。 - 特許庁

And at least the metal oxide film 25 of the lower layer gap layer 26 is provided directly under the magnetic tunnel junction element 27.例文帳に追加

そして、下層ギャップ層２６のうち、金属酸化膜２５は、少なくとも磁気トンネル接合素子２７の直下に位置して設けられている。 - 特許庁

To provide a system and a method for determining a logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction (MTJ) memory device.例文帳に追加

磁気トンネル接合(MTJ)メモリデバイスにおけるメモリセルの論理状態を判定するためのシステムと方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing shape and size fluctuations of a magnetic tunnel junction (MTJ) element, and easily manufacturing the MTJ element.例文帳に追加

ＭＴＪ素子の形状およびサイズのばらつきを抑制し、かつ、ＭＴＪ素子を製造し易い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element of low resistance value and high current density which is required for a magnetic head and magnetic memory by forming a tunnel barrier layer of high quality under good control.例文帳に追加

高品質のトンネルバリア層を制御良く形成することによって、磁気ヘッドや磁気メモリに必要な低抵抗値及び高電流密度の強磁性トンネル接合素子を得る。 - 特許庁

A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers.例文帳に追加

強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。 - 特許庁

A semiconductor storage device comprises: plural bit lines; plural word lines; a source line; a magnetic tunnel junction element and a transistor connected in series between the bit lines and the source line; and a sense amplifier which detects data stored in the magnetic tunnel junction element.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のビット線と、複数のワード線と、ソース線と、ビット線と前記ソース線との間に直列に接続された磁気トンネル接合素子およびトランジスタと、磁気トンネル接合素子に格納されたデータを検出するセンスアンプとを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for forming a tunnel junction element and a shunt resistor element to adjust element shapes of the tunnel junction element and the shunt resistor element when an air-bearing surface is machined, and to provide a magnetic head to be manufactured by the manufacturing method and an information storage device using the magnetic head.例文帳に追加

浮上面加工時にトンネル接合素子とシャント抵抗素子の素子形状を調整できるようトンネル接合素子とシャント抵抗素子を形成する製造方法と、該製造方法により製造される磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを用いた情報記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory cells MC (m, n) and MC (m+1, n) have the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11 respectively connected with the word lines WLn at one end, and connected with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11.例文帳に追加

メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ）は、ワード線ＷＬｎにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistance element TMR constituting a magnetic material memory cell comprises a fixed magnetic layer 102 having a fixed magnetic field in a fixed direction, a free magnetic layer 103 which is magnetized by an applied magnetic field, and a tunnel barrier which is an insulator film and is provided between the fixed magnetic layer 102 and the free magnetic layer 103 in a tunnel junction region 115.例文帳に追加

磁性体メモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、一定方向の固定磁界を有する固定磁気層１０２と、印加磁界によって磁化される自由磁気層１０３と、トンネル接合領域１１５において固定磁気層１０２と自由磁気層１０３との間に設けられる絶縁体膜であるトンネルバリアとを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction structure having a double magnetic anisotropy free layer capable of independently optimizing the effect of increasing a reproduced signal value and reducing a critical current value required for switching by constituting a free magnetic layer constituting the magnetic tunnel junction structure with at least two magnetic thin films having different magnetic anisotropic directions and sizes.例文帳に追加

磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス（ＭＲＡＭ）アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

The magnetic memory element 10 comprises a first magnetic layer 1 having a fixed magnetization direction, a second magnetic layer 2 having a variable magnetization direction and functioning as a memory carrier, both magnetic layers 1, 2 layered via a non-magnetic conductive layer 4, and a third magnetic layer 3 having a fixed magnetization direction which forms a magnetic tunnel junction with the second magnetic layer.例文帳に追加

磁化の向きが固定された第１の磁性層１と、磁化の向きが可変で記憶担体となる第２の磁性層２とが、非磁性導体層４を挟んで積層され、第２の磁性層と磁化の向きが固定された第３の磁性層３とが磁気トンネル接合を形成して成る磁気記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

To improve the resolution of a superconducting junction detector, to concentrate a magnetic field to be impressed to a superconducting tunnel junction element (STJ), and to make a detecting circuit and a computing circuit compatible with each other.例文帳に追加

超伝導接合検出器の分解能を向上し、超伝導トンネル結合素子（ＳＴＪ）に印加する磁場を集中させ、検出回路と演算回路とを両立させる。 - 特許庁

A tunnel current flowing through a tunnel junction 21 composed of the magnetic layers 17 and 18 and insulating barrier layer 20 flows in parallel with the main surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

磁性層１７、１８及び絶縁障壁層２０からなるトンネル接合部２１を流れるトンネル電流は、基板１１の主面１１ａと平行に流れる。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction element is formed on a buffer layer 30 so that the position of the bottom surface 42L of the tunnel barrier layer 42 can be formed higher than that of the top surface 60U of the TaO layer 60 of the element side wall conductive film.例文帳に追加

素子側壁導電性膜であるＴａＯ層６０の上面６０Ｕよりも、トンネルバリア層４２の下面４２Ｌの位置のほうが高く形成できるように、バッファ層３０上に磁気トンネル接合素子を形成する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction film 14 has a ferromagnetic free layer 20, a tunnel barrier layer 30 and a ferromagnetic pinned layer 40 and the flux guide 10 is magnetically connected with the ferromagnetic free layer 20.例文帳に追加

磁気トンネル接合膜１４は、強磁性フリー層２０と、トンネルバリア層３０と、強磁性ピンド層４０とを有しており、フラックスガイド１０は、強磁性フリー層２０に磁気的に結合している。 - 特許庁

The magnetic storage which uses a ferromagnetic tunnel junction element formed by layering two sheets of ferromagnetic material via an insulator, is equipped with a heating erasion means for erasing the stored data in the ferromagnetic tunnel junction element by heating the element.例文帳に追加

本発明では、２枚の強磁性体を絶縁体を介して積層してなる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置において、強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を具備することにした。 - 特許庁

To realize a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction having a low resistance value and a MR ratio about equal to that of the ferromagnetic tunnel junction formed by using an aluminum oxide layer by utilizing an aluminum nitride layer having lower insulating barrier than that of the aluminum oxide layer as an insulating layer.例文帳に追加

磁気センサに関し、絶縁層として酸化アルミニウム層よりも絶縁障壁が低い窒化アルミニウム層を用い、しかも、酸化アルミニウム層を用いた強磁性トンネル接合と同程度のＭＲ比をもち、抵抗値が低い強磁性トンネル接合をもつ磁気センサを実現しようとする。 - 特許庁