「MAGNETIC TUNNEL JUNCTION」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To form an insulation film wherein its resistance is lower than that of an aluminum oxide and its high MR ratio is obtained, with respect to a laminated film having a ferromagnetic tunnel junction, a manufacturing method thereof, a magnetic sensor, a magnetic recorder, and a magnetic memory unit.例文帳に追加

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置に関し、酸化アルミニウムより低抵抗で、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To obtain an excellent surface facing a magnetic recording medium, in a structure wherein a magnetic tunnel junction element is interposed between a pair of magnetic shielding layers through conductive gap layers.例文帳に追加

一対の磁気シールド層の間に導電性ギャップ層を介して磁気トンネル接合素子が挟み込まれてなる構造において、磁気記録媒体に対する良好な媒体対向面を得ることを可能とする。 - 特許庁

To obtain a satisfactory surface facing a magnetic recording medium in a structure wherein a magnetic tunnel junction element is interposed between a pair of magnetic shield layers via a gap layer.例文帳に追加

一対の磁気シールド層の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子が挟み込まれてなる構造において、磁気記録媒体に対する良好な媒体対向面を得る。 - 特許庁

To make the thickness of a tunnel oxide film uniform by an intermediate oxide film formed by a different system, facilitate the adjustment of a resistor of a magnetic tunnel junction layer, and reduce resistor deviation between cells, and moreover prevent a lower film from being damaged in a process in which the tunnel oxide film is formed and also prevent an MR ratio from decreasing.例文帳に追加

異種方式で形成された中間酸化膜を具備することにより、トンネル酸化膜の厚さを均一に形成しつつその厚さ調節も容易なために、磁気トンネル接合層の抵抗の調節が容易であり、かつ、セル間の抵抗偏差も減らすことができる。 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT SHOWING HIGH RELUCTIVITY UNDER FINITE VOLTAGE AND FERROMAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD, MAGNETIC HEAD SLIDER, AND MAGNETIC DISK DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

有限電圧下で高磁気抵抗率を示す強磁性トンネル接合素子、および、それを用いた強磁気抵抗効果型ヘッド、磁気ヘッドスライダ、ならびに磁気ディスク装置 - 特許庁

In the tunnel junction element having a free magnetic layer, nonmagnetic layer, fixed magnetic layer and fixing layer as a basic constitution, the fixing layer uses an alloy based on a PtMn alloy.例文帳に追加

自由磁性層/非磁性層/固定磁性層/固定させる層を基本構成とするトンネル接合素子において、固定させる層にＰｔＭｎ合金をベースとする合金を用いる。 - 特許庁

A radical nitride film nitrided by a radical nitriding method is used as the constituting material of the insulation layer 4 for the ferromagnetic tunnel junction 6 formed of the film structure of a first magnetic layer 3/an insulation layer 4/a second magnetic layer 5.例文帳に追加

本発明は、第１の磁性層３／絶縁層４／第２の磁性層５の膜構造からなる強磁性トンネル接合６の絶縁層４を構成する材料として、ラジカル窒化法で窒化したラジカル窒化膜を用いる。 - 特許庁

A tunnel junction (10), having a cladded read conductor formed from a high magnetic permeability soft magnetic material for a pinned-on-the-fly soft reference layer, is disclosed.例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のために高透磁率の軟らかい磁性材料から形成され、クラッディングされた読出し導体を有するトンネル接合(10)が開示される。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) including a ferromagnetic free layer, and exhibits a first relatively high resistance state and a second relatively low resistance state.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、強磁性自由層を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を備え、第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態を示す。 - 特許庁

To increase operation speed of reading out data in a magnetic storage device storing data using a memory cell having a magnetic tunnel junction section (MTJ).例文帳に追加

磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type head capable of obtaining high signal output by improving a resistance change ratio and flux guide efficiency and to provide its manufacturing method and a magnetic field detecting device.例文帳に追加

抵抗変化率およびフラックスガイド効率を向上することにより、大きな信号出力を得ることができる磁気トンネル接合型ヘッド、その製造方法および磁場検出装置を提供する。 - 特許庁

According to various embodiments, a magnetic free layer is separated laterally from an antiferromagnetic layer (AFM) by a nonmagnetic spacer layer, and separated inward from a synthetic antiferromagnetic layer (SFM) by a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

さまざまな実施形態に従えば、磁気自由層は、非磁気スペーサ層によって反強磁性層（ＡＦＭ）から横方向に分離されるとともに、磁気トンネル接合によって合成反強磁性層（ＳＡＦ）から内側に分離される。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell includes a magnetic tunnel junction being formed of an insulating layer included between a sense layer and a memory layer.例文帳に追加

本発明は、センス層および記憶層間に含まれる絶縁層から形成された磁気トンネル接合部を含む磁気ランダムアクセスメモリセルに関する。 - 特許庁

To achieve high-speed data read operation in a magnetic thin-film memory device which stores data using a memory cell comprising a magnetic tunnel junction unit (MTJ).例文帳に追加

磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。 - 特許庁

To provide an improved magnetic resistance tunnel junction(MTJ) sensor which fixes a magnetizing direction of an antiparallel(AP) pin MTJ sensor, using a high coercive magnetic substance.例文帳に追加

高飽和保磁力磁性体を使用して逆平行（ＡＰ）ピンＭＴＪセンサの磁化方向を固定する、改良型の磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）センサを提供すること。 - 特許庁

As to the magnetic tunnel junction MTJ device 100, the magneto-resistive(MR) read head has the MTJ device 100 located between two spaced-apart magnetic shields S1, S2.例文帳に追加

磁気トンネル接合ＭＴＪ素子１００は、磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドが、２つの間隔をあけて設けられる磁気シールドＳ１，Ｓ２間に配置されるＭＴＪ素子１００を有する。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a magnetic tunnel junction (MTJ) has a ferromagnetic free layer with multiple magnetic domains that are each independently programmable to predetermined magnetizations.例文帳に追加

さまざまな実施例に従えば、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、予め定められた磁化に各々が独立してプログラム可能な複数の磁気ドメインを有する強磁性自由層を含む。 - 特許庁

The magnetizing moment of the antiparallel layer 220 is substantially antiparallel with the magnetizing moment of the ferry magnetic layer 210 at least within the predetermined temperatures of the magnetic tunnel junction device 200.例文帳に追加

反平行層２２０の磁化モーメントは磁気トンネル接合デバイス２００の少なくとも所定温度内でフェリ磁性層２１０の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている。 - 特許庁

The magnetic memory cell comprises a ferromagnetic tunnel junction (MTJ) 40 constituted by sequentially laminating at least an antiferromagnetic layer 42, a ferromagnetic fixed layer 43, a non-magnetic spacer layer 44 and a ferromagnetic free layer 45.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、少なくとも、反強磁性層４２、強磁性固定層４３、非磁性スペーサ層４４及び強磁性自由層４５を順次に積層して構成された強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）４０を有する。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel junction part 21 is formed by laminating a first ferromagnetic film 211 and a second ferromagnetic film 212 via an insulating film 210 and is arranged between the first magnetic shielding film 51 and the second magnetic shielding film 52.例文帳に追加

強磁性トンネル接合部２１は、第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２とが絶縁膜２１０を介して積層され、第１の磁気シールド膜５１及び第２の磁気シールド膜５２の間に配置されている。 - 特許庁

The production method includes: a step of forming an insulating film equipped with a plurality of openings having a predetermined interval; a step of forming a first electrode on the bottom face and the sidewall of the opening; a step of forming a magnetic tunnel junction layer on the first electrode; and a step of forming a second electrode filled in residual openings on the magnetic tunnel junction layer.例文帳に追加

所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The device can be further provided with heat generating layers 77a, 77b electrically connected in series to the magnetic tunnel junction elements 86a, 86b between the first TA1, TA2 electrodes and the second electrode 91, and the heat generating layers 77a, 77b provide a relatively high resistance to a current flowing through magnetic tunnel junction elements 86a, 86b.例文帳に追加

さらに、第１ＴＡ１，ＴＡ２と第２電極９１との間で磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂに電気的に直列連結された熱発生層７７ａ、７７ｂを備えることができ、熱発生層７７ａ、７７ｂは磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂを通じて流れる電流に対して相対的に高い抵抗を提供する。 - 特許庁

The MRAM device is provided with electrodes (first electrodes) TA1, TA2 of memory cell access transistors on a substrate 51, magnetic tunnel junction elements 86a, 86b electrically connected to the first electrodes TA1, TA2, and a bit line (a second electrode) 91 electrically connected to the first electrodes TA1, TA2 through the magnetic tunnel junction elements 86a, 86b.例文帳に追加

前記ＭＲＡＭ装置は、基板５１上のメモリセルアクセストランジスタの電極（第１電極）ＴＡ１，ＴＡ２、該第１電極ＴＡ１，ＴＡ２に電気的に連結された磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂおよび該磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂを通じて第１電極ＴＡ１，ＴＡ２に電気的に連結されたビットライン（第２電極）９１を備える。 - 特許庁

Moreover, the memory cells MC (m, n+1) and MC (m+1, n+1) have the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31 respectively connected with the word lines WLn+1 at the one end, and connected respectively with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31.例文帳に追加

また、メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ＋１）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ＋１）は、ワード線ＷＬｎ＋１にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 - 特許庁

To solve the problem that in magnetic memory using conventional magnetic tunnel junction(MTJ) elements, a ferro-magnetic layer forming a memory layer is magnetized in the direction of the surface inside, therefore, demagnetizing influence by the magnetic poles at both end parts increases with micronizing of the element and magnetization of the memory layer becomes unstable.例文帳に追加

従来の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を用いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell based on a thermally assisted switching writing procedure, comprising a magnetic tunnel junction having at least a first magnetic layer, a second magnetic layer, an insulating layer disposed between the first and second magnetic layers, further comprising a select transistor and a current line electrically connected to the junction.例文帳に追加

少なくとも第一の磁気レイヤ、第二の磁気レイヤ及び第一の磁気レイヤと第二の磁気レイヤの間に配置された絶縁レイヤを有する磁気トンネル接合部を備え、更に、選択トランジスタと、接合部と電気的に接続された電流ラインとを備えた熱アシストスイッチング式書き込み手順にもとづく磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。 - 特許庁

Therefore, the relationship of the thickness of the buffer layer 30, the position of the bottom surface 42L of the tunnel barrier layer and the position of the top surface 60U of the TaO layer 60 formed around the magnetic tunnel junction element is previously calculated, and the film formation thickness of the buffer layer 30 is determined based on the relationship.例文帳に追加

そのために、バッファ層３０の膜厚と、トンネルバリア層下面位置４２Ｌと、磁気トンネル接合素子周辺に形成されたＴａＯ層６０の上面６０Ｕと、の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づき、バッファ層３０の成膜膜厚を決定する。 - 特許庁

The magnetic sensor including the ferromagnetic tunnel junction having a layer structure of a magnetic layer/an insulating layer/a magnetic layer is characterized in that the aluminum nitride layer formed by applying a plasma nitriding method or a natural nitriding method to an aluminum layer is used as a material of the insulating layer.例文帳に追加

磁性層／絶縁層／磁性層の層構造をもつ強磁性トンネル接合を含む磁気センサに於いて、前記絶縁層の材料としてアルミニウム層にプラズマ窒化法或いは自然窒化法を適用して生成した窒化アルミニウム層を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction structure which can reduce a critical current value required for switching and maintain thermal stability even if a device is fabricated small in size, by maintaining magnetization directions of a free magnetic layer and a pinned magnetic layer perpendicular to each other.例文帳に追加

自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向を垂直に維持することにより、スイッチングに必要な臨界電流値を下げ、素子サイズを小さくしても熱的安定性を維持することのできる磁気トンネル接合構造を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic spin-torque memory cell, often referred to as a magnetic tunnel junction cell, which has magnetic anisotropies (i.e., magnetization orientation) of an associated ferromagnetic layer aligned perpendicular to a wafer plane, or "out-of-plane", and a method of utilizing them.例文帳に追加

関連の強磁性層の磁気異方性（すなわち、磁化方向）をウェハ面に垂直にまたは「面外に」位置合わせさせた、しばしば磁気トンネル接合セルと称される磁気スピントルクメモリセル、およびそれらを利用する方法を提供する。 - 特許庁

A pair of magnetic tunnel junction structures composed of lower magnetic layers 9 and 9, barrier films 10 and 10, upper magnetic layers 11 and 11, and dummy films 16 and 16 are formed respectively on the antiferromagnetic films 8, while being insulated and separated with an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

各反強磁性膜８上に、下磁性層９，９、バリア膜１０，１０、上磁性層１１，１１及びダミー膜１６，１６からなる一対の磁気トンネル接合構造を、層間絶縁膜１２でそれぞれ絶縁分離して形成する。 - 特許庁

Next, it is subjected to a second heat treatment in an atmosphere without external magnetic field, an exchange pinning magnetic field decreases, an anisotropy is generated in the pinned-synthetic composite layer due to generation of stress, and the magnetization direction of the pinned-synthetic composite layer is aligned in the long axis direction of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

次いで、外部磁場のない雰囲気中において第２の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction cell includes a ferromagnetic free layer, an enhancement layer having a thickness of at least 15 Å, an oxide barrier layer, and a ferromagnetic reference layer.例文帳に追加

磁気トンネル接合セルは、強磁性自由層と、少なくとも約１５Åの厚みを有する強化層と、酸化物バリヤ層と、強磁性基準層とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of minimizing a magnetic tunnel junction (MTJ) element while preventing a short circuit between an upper electrode and a lower electrode or contact failure between the upper electrode and wiring.例文帳に追加

上部電極と下部電極との間の短絡、あるいは、上部電極と配線との接触不良を抑制しながら、ＭＴＪ素子を微細化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

As a result, the magnetic tunnel junction reaches one resistance state level determined by the first storage magnetization direction relative to a reading magnetization direction.例文帳に追加

その結果、前記磁気トンネル接合が、読み出し磁化方向の方向に対する前記第１記憶磁化方向の方向によって決定される１つの抵抗状態レベルに到達する。 - 特許庁

To provide a complementary magnetic storage device wherein writing of storage data to a pair of ferromagnetic tunnel junction elements can be accurately performed to enhance reliability.例文帳に追加

一対の強磁性トンネル接合素子への記憶データの書込みを正確に行えるようにして信頼性を向上させた相補型の磁気記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory without the need for preparing a tunnel junction in an extremely well controlled vacuum state and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

非常によく制御された真空状態でトンネル接合を作成する必要のない磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of magnetic tunnel junction elements are formed above the semiconductor substrate, and can store data by a variation in the resistance status and rewrite data by the current.例文帳に追加

複数の磁気トンネル接合素子は、半導体基板の上方に形成され、抵抗状態の変化によってデータを記憶し、電流によってデータを書き換え可能である。 - 特許庁

When the voltage of the first and second voltage lines and that of the third voltage line are set at a mutually-opposite level, the first and second magnetic tunnel junction elements are set to a mutually-opposite resistive state.例文帳に追加

第１および第２電圧線と第３電圧線とを互いに反対レベルの電圧に設定することで、第１および第２磁気トンネル接合素子の抵抗状態を互いに逆の状態に設定できる。 - 特許庁

This method comprises: a step of heating a magnetic tunnel junction at a temperature higher than a high-temperature threshold; and a step of orienting a first storage magnetization direction to a second magnetization direction at a certain angle.例文帳に追加

本発明の方法は、前記磁気トンネル接合を高温閾値より上で加熱するステップと前記第１記憶磁化方向を前記第２磁化方向に対して或る角度で指向させるステップとを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction which can improve electromagnetic property and thermal stability by carrying out rapid heat treatment, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

急速熱処理を施すことで電磁気的特性及び熱的安定性を向上し得る、磁気トンネル接合及びその製造方法を提供しようとする。 - 特許庁

To provide a simulation circuit for simulating the operation of a magnetic tunnel junction (MTJ) device having at least a free magnetization layer and a fixed magnetization layer.例文帳に追加

少なくとも自由層と固定層とを有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスの動作をシミュレートするためのシミュレーション回路が提供される。 - 特許庁

In a particular embodiment, magnetic tunnel junction memory cell (100) and at least one movable probe (150) with a tip (154) featured by a conductor (156) and a heat generator (158) are provided.例文帳に追加

特定の実施形態において、磁気トンネル接合メモリセル(100)、および導体(156)と発熱体(158)によって特徴付けられた先端部(154)を有する少なくとも1つの可動プローブ(150)が設けられる。 - 特許庁

To provide a formation method for a magnetized free layer of a magnetic tunnel junction element having a sufficient signal detection sensitivity, while coping with size reduction.例文帳に追加

寸法の縮小化に対応しつつ、十分な信号検出感度を有する磁気トンネル接合素子における磁化自由層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The upper electrodes stretch along the second bit line and are connected in common to the other end of each of the plurality of magnetic tunnel junction elements arranged in the stretching direction of the second bit line.例文帳に追加

上部電極は、第２のビット線に沿って延伸しており第２のビット線の延伸方向に配列された複数の磁気トンネル接合素子の各他端に共通に接続されている。 - 特許庁