| 意味 | 例文 |
Memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14054件
MANUFACTURING METHOD OF SONOS MEMORY ELEMENT OF TWIN ONO FORM USING INVERSE SELF-ALIGNMENT SYSTEM例文帳に追加
逆自己整合方式を利用したツインONO形態のSONOSメモリ素子製造方法 - 特許庁
DISPLAY CONTROL DEVICE, DISPLAY CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM MEMORIZING DISPLAY CONTROL PROGRAM例文帳に追加
表示制御装置、表示制御方法、及び表示制御プログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
STORAGE DEVICE FOR UPDATING DATA PAGES OF FLASH MEMORY BASED ON ECC AND METHOD FOR UPDATING THE SAME例文帳に追加
ECCに基づいてフラッシュメモリのデータページを更新する記憶装置及びその方法 - 特許庁
DATA INPUT/OUTPUT DEVICE, MEMORY SYSTEM, DATA INPUT/ OUTPUT CIRCUIT AND DATA INPUT/OUTPUT METHOD例文帳に追加
データ入出力装置、メモリ・システム、データ入出力回路およびデータ入出力方法 - 特許庁
To perform direct memory access by efficiently controlling a data transfer method.例文帳に追加
データ転送方式を効率的に制御してダイレクトメモリアクセスを行うことを課題とする。 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
強磁性トンネル接合素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリ - 特許庁
To provide a method and a device for programming control information on a semiconductor memory device.例文帳に追加
半導体メモリ装置の制御情報をプログラムするための方法と装置とを提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PERMITTING TO WRITE VARIOUS PATTERN DATA THEREIN, ELECTRICAL TEST METHOD THEREFOR例文帳に追加
多様なパターンデータが書き込み可能な半導体メモリ素子およびその電気的検査方法 - 特許庁
IMAGE INPUT-OUTPUT APPARATUS AND MEMORY CONTROL METHOD AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加
画像入出力装置およびメモリ管理方法およびプログラムおよび画像形成装置 - 特許庁
TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN MAGNETIC FILM HEAD, MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、メモリ素子ならびにこれらの製造方法 - 特許庁
ANALYTICAL METHOD FOR ROTARY DRIVE MECHANISM, MEMORY MEDIUM, AND ANALYTICAL SYSTEM FOR ROTARY DRIVE MECHANISM例文帳に追加
回転駆動機構の解析方法、記憶媒体及び回転駆動機構の解析システム - 特許庁
FLASH MEMORY DEVICE WITH ENHANCED PREPROGRAM FUNCTION, AND ITS PREPROGRAM OPERATION CONTROL METHOD例文帳に追加
向上したプリプログラム機能を有するフラッシュメモリ装置およびそのプリプログラム動作制御方法 - 特許庁
A non-uniform memory access(NUMA) computer system and associated method of operation are disclosed.例文帳に追加
不均等メモリ・アクセス(NUMA)コンピュータ・システム及び関連操作方法が開示される。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY DEVICE HAVING GATE CONTAINING UNIFORMLY DISTRIBUTED, SILICON NANO-DOTS例文帳に追加
均一に分布されたシリコンナノドットが含まれたゲートを備えるメモリ素子の製造方法 - 特許庁
To provide a novel method of manufacturing an oxide ferroelectric elements for constituting a nonvolatile memory.例文帳に追加
不揮発性メモリを構成する強誘電体素子の新規な作製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a production method of a nonvolatile semiconductor memory that can prevent a trench formation.例文帳に追加
トレンチ形成を防止できる不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and system for reducing apparent memory access wait time.例文帳に追加
見かけのメモリ・アクセス待ち時間を少なくするための方法およびシステムを提供する。 - 特許庁
A system and a method by which a state of a memory cell can be discriminated more accurately are explained.例文帳に追加
メモリセルの状態をいっそう正確に判定できるシステム及び方法が説明される。 - 特許庁
IMAGE PROCESSOR, ITS CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM APPLIED TO CONTROL OF THE IMAGE PROCESSOR例文帳に追加
画像処理装置及びその制御方法並びにその制御に供するメモリ媒体 - 特許庁
PRINTING CONTROL DEVICE, PRINTING DATA PROCESSING METHOD THEREOF AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
印刷制御装置並びに印刷制御装置の印刷データ処理方法および記憶媒体 - 特許庁
PRINTING CONTROL APPARATUS, PRINTING CONTROL SYSTEM, METHOD FOR CONTROLLING PRINTING LAYOUT, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
印刷制御装置、印刷制御システム、印刷レイアウト制御方法及び記憶媒体 - 特許庁
The data storage device (10) comprising a new resistive cross point memory cell array (12) and a manufacturing method therefor are provided.例文帳に追加
新規な抵抗性交点メモリセルアレイ(12)を含むデータ記憶デバイス(10)とその製造方法。 - 特許庁
METHOD FOR ERASING AND WRITING MEMOY AND STORAGE MEDIUM RECORDING MEMORY ERASING AND WRITING PROGRAMS例文帳に追加
メモリ消去・書き込み方法およびメモリ消去・書き込みプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING AND CLEANING, AND MEDIUM FOR MEMORY OF PROGRAMMING THEREOF例文帳に追加
半導体ウェーハ研磨・洗浄装置及び方法、及びそのプログラムを記録した媒体 - 特許庁
HIGH SPEED NONVOLATILE OPTICAL MEMORY ELEMENT USING PHOTOINDUCTION MAGNETIZATION INVERSION, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加
光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR SUBWORD LINE STRUCTURE CONTROLLED TO BE NEGATIVE, AND ITS DRIVE METHOD例文帳に追加
ネガティブに制御されるサブワードライン構造の半導体メモリ装置およびその駆動方法 - 特許庁
ELECTRONIC ELEMENT AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT USING PHASE CHANGE SUBSTANCE, AND MANUFACTURING METHOD OF THEREOF例文帳に追加
相変化物質を用いた電子素子及び相変化メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁
IMAGE MANAGEMENT SYSTEM, IMAGE MANAGEMENT TERMINAL, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, COMPUTER READABLE MEMORY AND PROGRAM例文帳に追加
画像管理システム、画像管理端末及びそれらの制御方法、コンピュータ可読メモリ、プログラム - 特許庁
DATA COMMUNICATION UNIT AND IMAGE SERVER AND CONTROL METHOD AND MEMORY MEDIUM AND IMAGING SYSTEM例文帳に追加
デ—タ通信装置及び画像サ—バ及び制御方法及び記憶媒体及び画像システム - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF PREVENTING DAMAGE ON LAYER INSULATING FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加
層間絶縁膜の損傷を防止しうる半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
TREATED LIQUID MIXING DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, TREATED LIQUID MIXING METHOD AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
処理液混合装置、基板処理装置および処理液混合方法並びに記憶媒体 - 特許庁
DUPLEX INFORMATION PROCESSOR, MEMORY DUMPING METHOD AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加
二重化情報処理装置、メモリダンプ方法、およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁
REDUNDANCY CIRCUITS OF MEMORY DEVICES HAVING TWIST BITLINE SCHEME AND METHOD OF REPAIRING DEFECTIVE CELL例文帳に追加
ツイストビットライン構造を有するメモリ装置の冗長回路及び不良セルの救済方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND INTERNAL OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の内部動作方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR WRITING INTO NONVOLATILE MEMORY BUILT THEREIN例文帳に追加
半導体集積回路及びそれに内蔵された不揮発性メモリへの書き込み方法 - 特許庁
MEMORY DEVICE, METHOD FOR REPROGRAMMING BOOT AREA OF IT AND COMPUTER UNIT HAVING THE DEVICE例文帳に追加
メモリ装置,メモリ装置のブート領域の再プログラミング方法,メモリ装置を有するコンピュータユニット - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and a method for writing and reading data of the device.例文帳に追加
半導体メモリ装置、並びに、この装置のデータ書込み及び読出し方法を提供する。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING PAIR OF FINS LIMITED IN VOID, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ボイドが限定された一対のフィンを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR DECODING AND ARRANGING ENCRYPTED DATA IN EXECUTION MEMORY SPACE例文帳に追加
暗号化データを復号して実行用メモリ空間に配置する装置、およびその方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加
強磁性トンネル接合素子、磁気メモリ、及び強磁性トンネル接合素子の製造方法 - 特許庁
DATA ERROR DETECTION/CORRECTION METHOD AND MEMORY DEVICE WITH DATA ERROR DETECTION/CORRECTION FUNCTION例文帳に追加
データ誤り検出・訂正方法及びデータ誤り検出・訂正機能付きメモリ装置 - 特許庁
MOBILE COMMUNICATION TERMINAL AND MEMORY DIAL MANAGEMENT METHOD AND STORAGE MEDIUM HAVING ITS PROGRAM STORED THEREIN例文帳に追加
移動体通信端末、メモリダイヤル管理方法およびそのプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁
FLASH MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAM METHOD BY WHICH PROGRAM DISTURBANCE CAN BE DECREASED例文帳に追加
プログラムディスターブを減少させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING INFORMATION PROCESSING SYSTEM, INFORMATION PROCESSING SYSTEM, DIRECT MEMORY ACCESS CONTROLLER, AND PROGRAM例文帳に追加
情報処理システムの制御方法、情報処理システム、ダイレクトメモリアクセス制御装置、プログラム - 特許庁
SOUND SOURCE PARAMETER ESTIMATING DEVICE, SOUND SOURCE SEPARATING DEVICE AND THEIR METHOD, AND PROGRAM AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
音源パラメータ推定装置と音源分離装置とそれらの方法と、プログラムと記憶媒体 - 特許庁
MULTILEVEL PHASE CHANGE MEMORY DEVICE TO REDUCE READ ERROR, AND READOUT METHOD THEREOF例文帳に追加
読み出しエラーを減らすことができるマルチレベル相変化メモリ装置及びその読み出し方法 - 特許庁
IMAGE PRINTING DEVICE, MEMORY CARD, IMAGE PRINTING METHOD, IMAGE PRINTING PROGRAM AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加
画像印刷装置、メモリーカード、画像印刷方法、画像印刷プログラムおよび記録媒体 - 特許庁
BOOST VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS GENERATING METHOD例文帳に追加
不揮発性強誘電体メモリ装置の昇圧発生回路及びその発生方法 - 特許庁
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