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「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(149ページ目) - Weblio英語例文検索


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Memoryを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

CONNECTOR USED FOR BOTH DUO CARD AND MEMORY STICK CARD例文帳に追加

デュオカード及びメモリースチックカード兼用コネクタ - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MEMORY CONTROL DEVICE FOR DIGITAL IMAGE PROCESSING DEVICE例文帳に追加

デジタル画像処理装置のメモリ制御装置 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

強誘電体メモリ及びその製造方法 - 特許庁

例文

ACCESS STRUCTURE OF MEMORY IN DRIVE CONTROL ELEMENT例文帳に追加

ドライブ制御素子内のメモリのアクセス構造 - 特許庁


例文

CONTAINER PROVIDED WITH RADIO INFORMATION MEMORY MEDIUM例文帳に追加

無線情報記憶媒体を備えた容器 - 特許庁

ORGANIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

有機メモリー素子及びその形成方法 - 特許庁

MAGNETIC SHIELD FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CARD例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリカードのための磁気シールド - 特許庁

ASSOCIATIVE MEMORY AND NETWORK ADDRESS RETRIEVAL DEVICE例文帳に追加

連想メモリ、およびネットワークアドレス検索装置 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR MEMORY AND USAGE METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体記憶装置及びその使用方法 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

VITAL INFORMATION MEASURING INSTRUMENT AND MEMORY CARD例文帳に追加

生体情報測定装置およびメモリカード - 特許庁

INSPECTION DEVICE, INSPECTION METHOD AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

検査装置、検査方法及び記憶媒体 - 特許庁

To reduce power consumption of a memory circuit.例文帳に追加

メモリ回路の消費電力を低減する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁

INFORMATION PROCESSING APPARATUS AND MEMORY MANAGEMENT METHOD例文帳に追加

情報処理装置およびメモリ管理方法 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

抵抗性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is larger than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the third reference memory element (step S3), and the selected memory element is in a state 3 or 4.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第1基準メモリ素子のそれより大きいとき、検出されたメモリ電荷レベルは第3基準メモリ素子と比較され(ステップS3)、選択されたメモリ素子は状態3又は4のいずれかである。 - 特許庁

LAYOUT AND FORMATION OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのレイアウト及びその形成方法 - 特許庁

HIGH-VOLTAGE GENERATOR FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子用高電圧発生器 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ACCESS DEVICE AND ELECTRIC APPARATUS例文帳に追加

不揮発性メモリアクセス装置及び電機機器 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

半導体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁

To replace plural external memories with one memory.例文帳に追加

複数の外部メモリを1個に置き換える。 - 特許庁

MEMORY CONTROL DEVICE AND DATA STORAGE METHOD例文帳に追加

記憶制御装置およびデータ格納方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリを備えた半導体装置 - 特許庁

PROGRAM, INFORMATION MEMORY MEDIUM AND GAME MACHINE例文帳に追加

プログラム、情報記憶媒体及びゲーム装置 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

フラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY CARD WITH WRITE PROTECTION FUNCTION例文帳に追加

書込み防止機能付き半導体メモリカード - 特許庁

MEMORY ELEMENT TESTING BY UTILIZING SENSE AMPLIFIER例文帳に追加

センスアンプを利用してテストを行うメモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

CONTROLLER WITH MEMORY TEST FUNCTION AND COMPUTER例文帳に追加

メモリ試験機能付きコントローラ及びコンピュータ - 特許庁

IMPROVED MEMORY SYSTEM AND ITS CONTROLLER例文帳に追加

改良されたメモリシステムおよびそのコントローラ - 特許庁

ERASING METHOD OF NAND FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

NANDフラッシュメモリ素子の消去方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME例文帳に追加

磁性メモリ装置およびその駆動方法 - 特許庁

THERMALLY ASSISTED FLASH MEMORY WITH DIODE STRAPPING例文帳に追加

ダイオードストラッピングを備えた熱アシストフラッシュメモリ - 特許庁

IMPROVED COMPUTER MEMORY ADDRESS CONVERSION SYSTEM例文帳に追加

改善されたコンピュータ・メモリ・アドレス変換システム - 特許庁

MEMORY APPARATUS, ITS PERFORMANCE, AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メモリ装置とその動作及び製造方法 - 特許庁

The magnetic memory device has a recording layer 3.例文帳に追加

磁気記憶装置は記録層3を有する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR IDENTIFYING MEMORY LEAK PLACE例文帳に追加

メモリリーク箇所の特定方法及び装置 - 特許庁

COMPOUND MEMORY DEVICE AND SELECTING METHOD THEREFOR例文帳に追加

複合メモリ装置およびその選別方法 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加

相変化記録媒体および相変化メモリ - 特許庁

LOW POWER CONSUMPTION TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

不揮発性メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

例文

MAGNETIC MEMORY MEDIUM COMPRISING NANO PARTICLE例文帳に追加

ナノ粒子で形成された磁気記憶媒体 - 特許庁




  
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