Memoryを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
MEMORY CARD SLOT WITH MALFUNCTION PREVENTION DEVICE例文帳に追加
誤動作防止装置を有するメモリカードスロット - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS TEST METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びそのテスト方法 - 特許庁
INFORMATION PROCESSOR AND MEMORY INITIALIZATION METHOD例文帳に追加
情報処理装置及びメモリ初期化方法 - 特許庁
MICROCOMPUTER INCLUDING FLASH MEMORY, AND ITS INSPECTION METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリ混載マイコン及びその検査方法 - 特許庁
OVERLOAD HYSTERESIS MEMORY DEVICE AND ITS METHOD例文帳に追加
過負荷履歴記憶装置およびその方法 - 特許庁
MEMORY DEVICE AND INK INFORMATION TRANSFER DEVICE例文帳に追加
メモリー装置およびインク情報転送装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS TEST METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置及びその検査方法 - 特許庁
MEMORY CARD, CONTROLLER, AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加
メモリカード、制御装置及びデータ処理システム - 特許庁
ELECTRONIC DEVICE, CAMERA, MEMORY CONTROL METHOD, AND PROGRAM例文帳に追加
電子装置、カメラ、メモリ制御方法、プログラム - 特許庁
SELECT LINE ARCHITECTURE FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気ランダム・アクセス・メモリの選択線アーキテクチャ - 特許庁
RESISTANCE CHANGING TYPE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
抵抗変化型メモリとその製造方法 - 特許庁
NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY CONTROL DEVICE例文帳に追加
不揮発性強誘電体メモリ制御装置 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加
半導体記憶装置及びデータ処理システム - 特許庁
MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
メモリシステムおよび電子装置の動作方法 - 特許庁
NON-STOP MAINTENANCE SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM例文帳に追加
半導体メモリシステムの無停止保守方式 - 特許庁
MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
メモリー素子の製造方法およびメモリー素子 - 特許庁
DRAM MEMORY ACCESS CONTROL TECHNIQUE AND MEANS例文帳に追加
DRAMメモリアクセス制御手法、および手段 - 特許庁
SERIAL MEMORY CONTROL SYSTEM, METHOD AND PROGRAM例文帳に追加
シリアルメモリ・コントロールシステム、方法およびプログラム - 特許庁
SURFACE TREATMENT METHOD FOR SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加
形状記憶合金の表面処理方法 - 特許庁
RESISTIVE MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
抵抗性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加
強誘電体メモリ及びその駆動方法 - 特許庁
To provide a VCM semiconductor memory.例文帳に追加
VCM半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The processor is constituted so as to produce a virtual address to be converted into a physical address for accessing a physical memory, and the physical memory includes a first memory part 101 and a second memory part, which is a part in the same memory level as that of the first memory part.例文帳に追加
プロセッサは、物理的なメモリにアクセスするための物理アドレスに変換するための仮想アドレスを生成するよう構成され、物理的なメモリは第1のメモリ部分(101)および第1のメモリ部分と同じメモリレベルの部分である第2のメモリ部分を含む。 - 特許庁
INTERFACE DEVICE AND MEMORY CONTROL METHOD例文帳に追加
インターフェース装置及びそのメモリ制御方法 - 特許庁
INFORMATION PROCESSING METHOD AND PORTABLE MEMORY MEDIUM例文帳に追加
情報処理方法および可搬メモリ媒体 - 特許庁
In addition, when the available capacity of a main storage device is not sufficient, the memory manager selects a memory area to be released from memory areas that have already been reserved on the basis of the ranks of the memory areas, and releases the selected memory area to reserve a new memory area.例文帳に追加
また、メモリマネージャは、主記憶装置の空き容量が足りない場合、すでに確保されているメモリ領域の中から、各メモリ領域のランクに基づいて解放するメモリ領域を選択し、選択したメモリ領域を解放し、新たなメモリ領域を確保する。 - 特許庁
MEMORY CONTROL SYSTEM WITH DUAL POWER SOURCE例文帳に追加
電源が二重化された記憶制御システム - 特許庁
INFORMATION PROCESSOR HAVING MEMORY COPY FUNCTION例文帳に追加
メモリーコピー機能を備えた情報処理装置 - 特許庁
ADAPTER FOR MEMORY CARD, AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加
メモリカード用アダプタ及びその製造方法 - 特許庁
MEMORY MANAGEMENT METHOD AND PORTABLE TERMINAL EQUIPMENT例文帳に追加
メモリ管理方法および携帯端末装置 - 特許庁
The redundant memory cell selection circuit selects one memory cell block, an in-block memory cell group selection signal for selecting a predetermined memory cell group thereof is generated, and a predetermined redundant memory cell group is selected based on the address signal and the in-block memory cell group selection signal.例文帳に追加
冗長メモリセル選択回路はメモリセルブロックを1つ選択し、その内の所定のメモリセルグループを選択するブロック内メモリセルグループ選択信号を生成し、アドレス信号及びブロック内メモリセルグループ選択信号に基づき所定の冗長メモリセルグループを選択する。 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE MATERIAL ELEMENT MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気抵抗素子メモリとその製造方法 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
強誘電体メモリとその製造方法 - 特許庁
CACHE CIRCUIT AND CACHE MEMORY CONTROL METHOD例文帳に追加
キャッシュ回路及びキャッシュメモリ制御方法 - 特許庁
MEMORY CELL AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加
メモリセル及び半導体集積回路装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND SYSTEM例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置及びシステム - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS REDUNDANCY METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置とその冗長方法 - 特許庁
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