「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a memory device, a refresh method thereof, and a memory system which prevents poor refresh in a common memory bank.例文帳に追加

共有メモリバンクでのリフレッシュ不足を防止することのできるメモリ装置及びそのリフレッシュ方法並びにメモリシステムを提供する。 - 特許庁

The memory device is provided with an arrangement of memory cells each adapted to switch a state of memory through injection of spin-polarized electrons.例文帳に追加

メモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる。 - 特許庁

METHOD OF DRIVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THREE-LEVEL NONVOLATILE MEMORY CELLS AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

３−レベル不揮発性メモリセルを含む不揮発性メモリ装置の駆動方法およびその方法を使用する不揮発性メモリ装置 - 特許庁

The semiconductor memory has memory cell groups 101 to 10m of (m) sets (m>n) consisting of two memory cells 200, 201 to store (n) bits.例文帳に追加

ｎビットを記憶するために、２個のメモリセル２００,２０１からなるｍ組(ｍ＞ｎ)のメモリセル群１０１〜１０ｍを有する。 - 特許庁

MEMORY MANAGING METHOD, PICTURE ENCODING METHOD, PICTURE DECODING METHOD, PICTURE DISPLAY METHOD, MEMORY MANAGING DEVICE AND MEMORY MANAGING PROGRAM RECORDING MEDIUM例文帳に追加

メモリ管理方法、画像符号化方法、画像復号化方法、画像表示方法、メモリ管理装置、メモリ管理プログラム記録媒体 - 特許庁

The data management device includes an optical disk drive device; a memory (e.g. flash memory 15); a volatile memory (e.g. RAM 16); and a control unit.例文帳に追加

この装置は、光ディスク駆動装置、メモリ（例えばフラッシュメモリ１５）、揮発性メモリ（例えばＲＡＭ１６）及び制御部を備える。 - 特許庁

In each of the programmable decoders, a column of a normal memory cell of one memory bank or a memory back group is replaced by a redundant column.例文帳に追加

そしてプログラマブルデコーダの各々は、一つのメモリバンクまたはメモリバンクグループのノーマルメモリセルのカラムを冗長カラムで代替する。 - 特許庁

Also, the backed-up memory values are read and replaced so that the reproduction processing of the memory values can be performed by a memory reproduction processing part 112.例文帳に追加

また、メモリ再現処理部１１２にてバックアップされているメモリ値を読み出し、置き換えてメモリ値の再現処理が行われる。 - 特許庁

A memory selecting circuit makes the built-in memory accessible at a first operation mode and makes the built-in memory inaccessible at a second operation mode.例文帳に追加

メモリ選択回路は、第１動作モード時に内蔵メモリをアクセス可能にし、第２動作モード時に内蔵メモリをアクセス不能にする。 - 特許庁

To provide a technique of forming a memory cell in a magnetic random access memory (MRAM) while suppressing oxidation of a ferromagnetic film in the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control device capable of surely providing consistency to an external memory while suppressing degradation of access efficiency to the external memory.例文帳に追加

外部メモリへのアクセス効率の悪化を抑えつつ、確実に外部メモリとの整合性が得られるメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, two memory cells MC are selected, and the sub-bit line SBL from the memory cell to the main bit line MBL is held between these memory cells.例文帳に追加

また、メモリセルＭＣを２つ選択し、これらのメモリセルで、メモリセルから主ビット線ＭＢＬに至る副ビット線ＳＢＬを挟む。 - 特許庁

To provide a memory cell which has high selectivity of the memory cell and a large margin of write current and to provide a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

メモリセルの選択性が高く、書き込み電流のマージンの大きいメモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

The data memory part 14 receives an input of data from the temporary memory part 17 in response to the setting for the memory data switching part 15, and stores.例文帳に追加

データ記憶部１４は記憶データ切り替え部の設定に応じて一時記憶部１７から、データを入力し記憶を行う。 - 特許庁

When the supply voltage to the memory 103 becomes stable, the controller 101 requests a memory BIST 104 to perform a memory test.例文帳に追加

メモリ１０３への供給電圧が安定したら、コントローラ１０１はメモリＢＩＳＴ１０４に対してメモリテストを要求する。 - 特許庁

Then, after finishing data writing in the mirror memory, update data are written to a nonvolatile memory from the mirror memory (S230).例文帳に追加

そして、ミラーメモリへのデータ書込み終了後、該ミラーメモリから不揮発性メモリへの更新データの書込みが行われる（Ｓ２３０）。 - 特許庁

The memory part is provided by forming a memory part on a substrate which forms a pixel part, or by using a stick driver provided with a memory part.例文帳に追加

実装の方法は、画素部を形成する基板上にメモリ部を形成するか、またはメモリ部を備えたスティックドライバを用いる。 - 特許庁

A SRAM circuit of an initial-value setting type configured by the memory cell 100 is used as a program memory and also a data memory.例文帳に追加

メモリセル１００により構成された初期値設定型のＳＲＡＭ回路は、プログラムメモリ兼データメモリとして使用できる。 - 特許庁

The memory controller 10 verifies the data written into the nonvolatile memory 21a by using the data written into the volatile memory 22b.例文帳に追加

メモリコントローラ１０は、不揮発性メモリ２１ａに書き込まれたデータを、揮発性メモリ２２ｂに書き込まれたデータを用いてベリファイする。 - 特許庁

To provide a technique by which a memory cell in a magnetic memory is formed, while the oxidation of a ferroelectric film contained in the memory cell is being suppressed.例文帳に追加

メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。 - 特許庁

Flush ROMs, constituted of a memory cell having the substantially same structure as a memory cell for a flash memory, are formed in respective chips of a wafer.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルとほぼ同じ構造のメモリセルによって構成されるフラッシュＲＯＭをウエハの各チップに形成する。 - 特許庁

To suppress power supply to a memory card while acquiring insertion/extraction information of the memory card and card information of the memory card without omission.例文帳に追加

メモリカードの挿抜情報やメモリカードのカード情報などを漏らすことなく取得しつつ、メモリカードへの電力供給を抑える。 - 特許庁

To monitor a FIFO memory arranged between a memory bus and a memory controller for securing latency within a predetermined time.例文帳に追加

メモリバスとメモリコントローラとの間に設けられるＦＩＦＯメモリをモニタして所定時間以内のレイテンシを保証できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory in which the volume of data recorded per memory cell of a nonvolatile semiconductor memory can be enhanced.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリのメモリセル当たりの記録データ量を向上させることができる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a SDRAM that enables combined use of memory modules having different structure in a memory system and the memory system comprising this.例文帳に追加

メモリシステムにおいて相異なる構造を有するメモリモジュールを混用可能にするSDRAM及びこれを備えるメモリシステムを提供する。 - 特許庁

A memory write completion signal outputted from a memory write means is outputted to a memory read means and to a CPU.例文帳に追加

メモリ書き込み手段から出力されるメモリ書き込み完了信号を、メモリ読み出し手段とＣＰＵとに出力する。 - 特許庁

A memory and memory allocation object correspondence means 3 makes the memory groups 51, 52...5n and process groups 61, 62...6m correspond to each other.例文帳に追加

メモリ・メモリ割り当て対象対応付け手段３は、メモリグループ５１，５２，…，５ｎとプロセスグループ６１，６２，…，６ｍとを対応付ける。 - 特許庁

In addition, in a step S206, a flash memory residual capacity is acquired from a memory controller to be substituted into the memory residual capacity R.例文帳に追加

また、ステップＳ２０６でフラッシュメモリの残容量がメモリコントローラから取得されてメモリ残容量Ｒに代入される。 - 特許庁

In this non-stop maintenance system, data are copied from maintenance object memory boards 8-11 to a memory board 12 for maintenance and the maintenance of the memory boards of the maintenance object is executed.例文帳に追加

保守対象メモリボードから保守用メモリボードへとデータを複写し、保守対象のメモリボードの保守を実行する。 - 特許庁

To provide a memory adaptable to either a memory having high speed narrow data bus width or a memory having low speed wide data bus width.例文帳に追加

高速で狭いデータバス幅を持つメモリと低速で広いデータバス幅を持つメモリのどちらにも対応可能なメモリを提供する。 - 特許庁

In the memory stack, a memory space which can be arbitrarily processed can be optimally utilized without the occurrence of gaps of the memory area.例文帳に追加

この記憶スタックでは、任意に処理可能な記憶空間が、記憶領域の空きの発生なしに最適に利用され得る。 - 特許庁

In another implementation, the memory hub permits a graphics processor to offload memory access interfacing operations to the memory hub.例文帳に追加

別の実施態様において、メモリハブは、グラフィックス処理装置がメモリアクセスインターフェーシングオペレーションをメモリハブにオフロードすることを可能にする。 - 特許庁

This memory system (12) includes the memory module (20) having a circuit board (32) and a memory device (34) connected to the circuit board.例文帳に追加

メモリシステム（１２）は、回路基板（３２）と、この回路基板に結合されたメモリデバイス（３４）とを有するメモリモジュール（２０）を具備する。 - 特許庁

A plurality of memory cell groups (G0 to G11) include a plurality of reading object groups (memory cell groups G0 to G6 or memory cell groups G7 to G11).例文帳に追加

複数のメモリセル群（Ｇ０〜Ｇ１１）は複数の読出対象群（メモリセル群Ｇ０〜Ｇ６またはメモリセル群Ｇ７〜Ｇ１１）を含む。 - 特許庁

During the data recording to the memory card 28b, the user displaces the memory card in the first slot 25 with another memory card with a free space.例文帳に追加

このメモリカード２８ｂへのデータ記録中に、ユーザーは第１スロット２６のメモリカードを空き容量のあるものと交換する。 - 特許庁

Further, the memory bus circuit 1 is provided with a dummy memory cell 120 having a dummy capacity element 121 connected to the memory bus 13.例文帳に追加

メモリバス回路１はさらに、メモリバス１３に接続されたダミー容量素子１２１を有するダミーメモリセル１２０を備えている。 - 特許庁

The memory includes bit lines, word lines, and a memory cell array including memory cells provided corresponding to intersections of the bit lines and the word lines.例文帳に追加

メモリは、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線との交点に対応して設けられたメモリセルを含むメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY, CIRCUIT SUBSTRATE MOUNTING THIS SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONNECTION AND TEST METHOD OF THIS SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体記憶装置、この半導体記憶装置を搭載した回路基板、および、この半導体記憶装置の接続試験方法 - 特許庁

In a deinterleaver 4, a memory 6 having memory capacity of one superframe is constituted by using six memory blocks MB1 to MB6.例文帳に追加

デインターリーバ４において、６つのメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ６で１スーパーフレーム分のメモリ容量を有するメモリ６を構成する。 - 特許庁

The semiconductor memory device has a plurality of slots for storing the large number of memory modules and the respective memory modules have semiconductor memories.例文帳に追加

多数のメモリモジュールを収容するための複数個のスロットを有しており、メモリモジュールの各々は半導体メモリを有している。 - 特許庁

A ferroelectric memory device comprises a memory cell array in which a plurality of memory cells having at least a ferroelectric capacity are arranged.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、少なくとも強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数配列されたメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

MEMORY MANAGEMENT DEVICE, PROXY SERVER, BROWSER TERMINAL, MEMORY MANAGEMENT PROGRAM, SERVER PROGRAM, TERMINAL PROGRAM, MONITOR PROGRAM, AND METHOD FOR MANAGING MEMORY例文帳に追加

メモリ管理装置、プロキシサーバ、ブラウザ端末、メモリ管理プログラム、サーバ用プログラム、端末用プログラム及び監視プログラム、並びにメモリ管理方法 - 特許庁

To adaptively vary the number of memory banks for an instruction cache of a primary cache memory and the number of memory banks for a data cache.例文帳に追加

１次キャッシュメモリにおけるインストラクションキャッシュ用のメモリバンクの数とデータキャッシュ用のメモリバンクの数を適応的に変化させる。 - 特許庁

The cache memory includes M (M<N) cache memory units and a unit selection decoder for activating one of these cache memory units.例文帳に追加

キャッシュメモリは、Ｍ（Ｍ＜Ｎ）個のキャッシュメモリユニットと、このキャッシュメモリユニットのうち一つを活性化させるユニット選択デコーダを含む。 - 特許庁

A memory cell 161 of 21 pieces of each row consists of first memory cells 161a of 5 pieces and second memory cells 161b of 16 pieces.例文帳に追加

各行の２１個のメモリセル１６１は、５個の第１のメモリセル１６１ａと、１６個の第２のメモリセル１６１ｂとからなる。 - 特許庁