Memoryを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
To provide a memory controller, a display controller and a memory control method for improving the use efficiency of a memory and simplifying addressing.例文帳に追加
メモリの使用効率の向上やアドレッシングの簡素化を図れるメモリコントローラ、表示コントローラ、メモリ制御方法を提供すること。 - 特許庁
The target memory block may thus be initialized without the cache memory holding a valid copy of the target memory block.例文帳に追加
したがって、ターゲット・メモリ・ブロックは、キャッシュ・メモリによりターゲット・メモリ・ブロックの有効なコピーを保持せずに初期設定することができる。 - 特許庁
This invention is constituted by dividing the instruction memory space of a main storage device 7 into an fixed area memory 1 and a cache memory 2.例文帳に追加
この発明は、主記憶装置7の命令メモリ空間を固定領域メモリ1とキャッシュメモリ2とに分割して構成される。 - 特許庁
The acquired image data are preserved in a memory 23, a memory 35 of a terminal unit 3, storage devices 5 and 6 or a memory card 280.例文帳に追加
取得した画像データはメモリ23や、端末装置3のメモリ35や、記憶装置5、6、あるいはメモリカード280に保存する。 - 特許庁
A phase change memory may be replaced with a low-cost NAND flash because the phase change memory may have sufficiently low cost, and the phase change memory may be replaced with a static random access memory and/or a random access memory in buffer memory packaged in combination with a NAND flash memory because the phase change memory has sufficiently high performance.例文帳に追加
相変化メモリは十分に低コストであることが可能であるため、低コストのNANDフラッシュと置き換えることが可能であり、相変化メモリは十分高い性能を有するため、NANDフラッシュメモリを伴ってパッケージングされるバッファメモリにおいてスタティックランダムアクセスメモリ及び/又はランダムアクセスメモリと置き換えることが又できる。 - 特許庁
A cache memory backup device 50 includes: a volatile cache memory 54; a nonvolatile memory 54 for evacuating the data stored in the cache memory, having capacity not less than the cache memory; and a capacitor 51 supplying power to the cache memory and the nonvolatile memory when the supply of the power from the main power supply to the cache memory stops.例文帳に追加
キャッシュメモリバックアップ装置は、揮発性のキャッシュメモリと、キャッシュメモリと同一又はそれ以上の容量を有し、キャッシュメモリに格納されたデータを退避するための不揮発性メモリと、キャッシュメモリに対する主電源からの電力の供給が停止した場合にキャッシュメモリ及び不揮発性メモリに電力を供給するキャパシタとを備える。 - 特許庁
A memory control unit 21 comprises an internal memory 17; a boundary setting register 22 in which a boundary value of a memory address ϕa assigned to the internal memory 17 is stored; an external memory control part 23 for outputting a memory selecting signal ϕse to an external memory 6 if the memory address ϕa goes out of bounds set by the setting register 22.例文帳に追加
内部メモリ17と、内部メモリ17に割り当てられたメモリアドレスφaの境界値を格納した境界設定レジスタ22と、メモリアドレスφaが境界設定レジスタ22により設定された範囲外であれば、外部メモリ6に対するメモリ選択信号φseを出力する外部メモリ制御部23とを有するメモリ制御ユニット21を提供する。 - 特許庁
And two dummy memory cells are arranged at a physical position in the on-chip-memory in which timing of reading data is later than a memory cell in which timing of reading data is the latest out of memory cells included in the on-chip-memory.例文帳に追加
そして、2つのダミーメモリセルは、オンチップメモリに含まれるメモリセルのうちで、データをリードするタイミングが最も遅いメモリセルよりも、さらにデータをリードするタイミングが遅くなるオンチップメモリ内の物理位置に配置されている。 - 特許庁
When one removable memory is fully written with the image data, the memory ID of the other removable memory is written in as the link information of that removable memory and the memory for writing in the image data is switched.例文帳に追加
一方の着脱可能メモリに画像データの書き込み余地がなくなると、他方の着脱可能メモリのメモリIDがその着脱可能メモリのリンク情報として書き込まれ、画像データの書き込み先が切り替えられる。 - 特許庁
The central switch is physically located on a memory board and made effective for providing a point-to-point bus between the memory controller and a memory device on the memory module in the combination with the parallel connection of the memory module.例文帳に追加
中央スイッチはマザーボード上に物理的に配置され、メモリモジュールの並列接続との組み合わせにおいてメモリコントローラとメモリモジュール上のメモリデバイスとの間のポイントツーポイントバスを提供するのに役立つ。 - 特許庁
A memory cell array 1 comprises a plurality of memory cells arranged in a matrix and having first memory cells for storing writing data and second memory cells for storing error correction check bits for the data stored in the first memory cells.例文帳に追加
メモリセルアレイ1は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列され、書き込みデータを記憶する第1のメモリセルと第メモリセルのデータに対して誤り訂正用の検査ビットを記憶する第2のメモリセルを有する。 - 特許庁
To provide memory access instruction vectorization that combines two or more memory access instructions into a single memory access instruction to increase memory bandwidth, which boosts performance of computing devices that have long memory access latency.例文帳に追加
メモリアクセス命令のベクトル化は、メモリのバンド幅を増やすことを目的として、2つ又はそれ以上のメモリアクセス命令を1つのシングルメモリアクセス命令に結合し、長いメモリアクセス待ち時間を持つコンピュータデバイスの性能を高める。 - 特許庁
A memory system includes a first memory chip CP0 having a first temporary memory T and a first block BK-A, and a second memory chip CP1 having a second temporary memory T and a second block BK-A.例文帳に追加
本発明のメモリシステムは、第1テンポラリメモリTと第1ブロックBK−Aとを有する第1メモリチップCP0と、第2テンポラリメモリTと第2ブロックBK−Aとを有する第2メモリチップCP1とを備える。 - 特許庁
To provide a memory controller with which reliability of diagnosis for detecting failure of a flash memory and a defective block can be improved and to provide a flash memory system having the memory controller and a control method for the flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリの不具合や不良ブロックを検出する診断の信頼性を向上させることができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the number of data writing operations into a flash memory and data transfer operations to the flash memory from a buffer inside a memory controller without interfering with access to the flash memory by a host system, in a flash memory system.例文帳に追加
フラッシュメモリシステムにおいて、ホストシステムによるフラッシュメモリへのアクセスに支障を来たさずに、メモリコントローラ内のバッファからフラッシュメモリへのデータ転送動作及びフラッシュメモリへのデータ書込み動作の実行回数を減らす。 - 特許庁
This memory control circuit is used for an apparatus developing data stored in the nonvolatile memory to the high-speed memory and operating according to the developed data, and controls the development of the data to the high-speed memory from the nonvolatile memory.例文帳に追加
メモリ制御回路は、不揮発性メモリに記憶されたデータを、高速メモリに展開して、展開されたデータに応じて動作する機器に用いられ、不揮発性メモリから前記高速メモリへの前記データの展開を制御する。 - 特許庁
The main memory comprises: memory cells for holding the backup target information written in the main memory; and a control unit for, when a writing error in the memory cells occurs, determining whether the main memory reaches the end of its service life.例文帳に追加
メインメモリは、当該メインメモリに書き込まれたバックアップ対象情報を保持するメモリセル群と、メモリセル群への書き込みエラーが発生したとき、当該メインメモリが寿命を迎えたか否かを判断する制御部とを有する。 - 特許庁
This memory device includes a first memory array block in which programmed memory cells are arranged and a second memory array block in which programmable and erasable memory cells are arranged.例文帳に追加
メモリセルのうちプログラムされたメモリセルが配列される第1群のメモリアレイブロックとメモリセルのうちプログラム及び消去可能なメモリセルが配列される第2群のメモリアレイブロックとを含む複数のメモリセルが配列されるメモリ装置。 - 特許庁
The compression engine 30 for a cache memory subsystem has a pointer 502 to a cache tag memory 304 and a cache data memory 310, and an interface 502 coupled to the pointer 502 and capable of coupling to the cache tag memory 304 and cache data memory 310.例文帳に追加
キャッシュメモリサブシステムのための圧縮エンジン(308)は、キャッシュタグメモリ(304)及びキャッシュデータメモリ(310)へのポインタ(502)、及び該ポインタ(502)に結合されてキャッシュタグメモリ(304)及びキャッシュデータメモリ(310)と結合することが可能なインタフェイス(502)を有する。 - 特許庁
To provide a method for determining an optimal size for a memory allocation unit allocated from a memory pool comprising frame buffer memory and a display list memory in response to a memory allocation request for a pixmap in a printing device.例文帳に追加
印刷装置において、ピクスマップのメモリ割当要求に応じてフレームバッファメモリ及びディスプレイリストメモリを含むメモリプールから割り当てられるメモリアロケーションユニットの最適なサイズを決定する方法を提供する。 - 特許庁
A sense amplifier SAB#0 disposed between two memory cell arrays MA#00 and MA#01, includes sense amplifiers 62, 63 and spare memory cells SCell00-SCell51 available as spare memory cells of memory cells included in memory cell arrays MA#00, MA#01.例文帳に追加
2つのメモリセルアレイMA#00,MA#01の間に配置されるセンスアンプSAB#0は、センスアンプ62,63と、メモリセルアレイMA#00,MA#01に含まれるメモリセルの予備メモリセルとして利用可能なスペアメモリセルSCell00〜SCell51とを含む。 - 特許庁
A memory C is a memory corresponding to a column 902 in which 1 exists at random in code parts, and a memory D is a memory corresponding to a parity part 1003 in which 1 exists step-wise, each of them being configured by a normal memory.例文帳に追加
メモリCは符号部分の内のランダムに1が存在している列902に対応したメモリ、メモリDは階段状に1が存在しているパリティ部分1003に対応したメモリであり、いずれも通常なメモリで構成する。 - 特許庁
A main memory block 5f of the nonvolatile memory 5e is partitioned to a plurality of sub-memory blocks 5m, and a buffer memory 4d provided in a RAM has a 1:1 address correspondence with the sub-memory blocks 5m.例文帳に追加
不揮発性メモリ5eの主メモリブロック5fを複数のサブメモリブロック5mに区画するとともに、RAMに設けるバッファメモリ4dを、該サブメモリブロック5mと一対一のアドレス対応関係を有するものとしておく。 - 特許庁
A programmer's arbitrary specification can use the cache memory 21 as fixed address memory in way units, so that the cache memory 21 can be partly used as a fast memory requiring no data consistency with a main memory.例文帳に追加
プログラマの任意の指定により、キャッシュメモリ21をウェイ単位で固定アドレスメモリとして使用できるようにしたため、キャッシュメモリ21の一部を、メインメモリとのデータの一貫性を要求しない高速メモリとして利用できる。 - 特許庁
To provide a memory card connector capable of easily pulling out a memory card even if size and thickness of a memory card are reduced, preventing static discharge to a terminal to be electrically connected to an electrode of the memory card when mounting the memory card.例文帳に追加
メモリカードが小型化・薄型化しても容易に引き抜き可能に装着できるとともに、メモリカードを装着する際に、メモリカードの電極に電気的に接続する端子側への静電気放電を防止すること。 - 特許庁
In the case where the free capacity of the memory is less than the optimal capacity and equal to or more than a guarantee memory capacity that is a total sum of memory capacities required for processing of the filters, the memory controller 20 allocates the guarantee memory capacity.例文帳に追加
また、メモリの空き容量が、最適容量よりも少なく、かつ各フィルタの処理に必要なメモリ容量の総和である保障メモリ容量以上である場合は、保障メモリ容量を割り当てる。 - 特許庁
A data transferring path is arranged between a cache memory part and a shared memory part, and data for control which are used to be stored in the shared memory part in a conventional manner are stored through the shared memory part in the cache memory part so as to be accessed.例文帳に追加
キャッシュメモリ部と共有メモリ部との間にデータ転送のパスを設け、従来、共有メモリ部に格納していた制御用データを、共有メモリ部を介して、キャッシュメモリ部に格納してアクセスできるようにする。 - 特許庁
The memory module is configured so that a memory chip comprising a stacked memory mounted on one face of module substrate and a memory chip comprising a stacked memory mounted on a face of the other side of the module substrate are set actively alternately and simultaneously.例文帳に追加
また、モジュール基板の一方の面に搭載された積層メモリが有するメモリチップと、モジュール基板の他方の面に搭載された積層メモリが有するメモリチップとが交互に同時にアクティブに設定される構成とする。 - 特許庁
The flash memory stores a write pulse applied to a flash memory cell at writing of data to the flash memory to a nonvolatile memory other than the flash memory cell so as to minimize the write time.例文帳に追加
フラッシュメモリにおいてフラッシュメモリへのデータ書き込み時にフラッシュメモリセルに印加された書き込みパルスをフラッシュメモリセルとは別の不揮発性メモリに格納することにより、書き込み時間を最小限にすることができるようにする。 - 特許庁
To provide a memory device provided with mechanism for strengthening a memory state without boosting voltage to a level at which damage is given to memory cell structure and a method for writing in memory cells in the memory device.例文帳に追加
本発明は、記憶セル構造に損傷を与えるレベルまで電圧をブーストすることなく、記憶状態を強化するための機構を備えた、メモリ装置およびメモリ装置における記憶セルへの書き込み方法を提供する。 - 特許庁
Write of the data is performed to one of the high speed built-in memory and the high speed operation data memory and furthermore, to the low speed operation data memory and read of the data is performed from the high speed built-in memory and the high speed operation data memory.例文帳に追加
データの書き込みは、高速内蔵メモリと高速演算データメモリの一方と、更に、低速演算データメモリに対して行い、データの読み出しは、高速内蔵メモリと高速演算データメモリから行う。 - 特許庁
When the memory access requests held are issued to the memory devices, the sequence of issuing the memory access requests is controlled from a media delay information that shows the media delay between the memory controller and each of the memory devices.例文帳に追加
保持されたメモリアクセス要求をメモリデバイスに発行する際に、メモリコントローラと各メモリデバイスとの間の配線遅延を示す配線遅延情報に基づき、メモリアクセス要求を発行する順序を制御する。 - 特許庁
To provide a technology which can obtain a large-capacity nonvolatile semiconductor memory without enlarging a power circuit which is a peripheral circuit to a nonvolatile semiconductor memory in a nonvolatile semiconductor memory device from a viewpoint that the large capacity of a nonvolatile semiconductor memory requires a large-capacity memory to consequently enlarge a power circuit including a peripheral charge pump circuit.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置において、不揮発性半導体メモリの大容量化は、メモリの大容量化に伴い周辺であるチャージポンプ回路を含む電源回路も増大してしまう。 - 特許庁
To improve the controllability of a memory device which is equipped with a volatile memory (for example, SDRAM) and a non-volatile memory (for example, flash memory) from a host by allowing the host to control data transfer between the SDRAM and the flash memory.例文帳に追加
本発明は、揮発性メモリ(例えば、SDRAM)と不揮発性メモリ(例えば、フラッシュメモリ)間のデータ転送をホストから制御可能とし、揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えたメモリ装置のホストからの制御性を向上する。 - 特許庁
Each CRC is added to each data stored in a data memory 412, and a memory version is stored in the data memory 412, and a memory comparison version indicating the version of a new program at the time of writing the new program is stored in a program memory 411.例文帳に追加
データメモリ412に記憶される各データに各々CRCを付加すると共にメモリバージョンを記憶し、かつプログラムメモリ411には新たなプログラムを書き込む際にそのバージョンを表すメモリ比較バージョンを格納する。 - 特許庁
The memory element has a memory cell (202) electrically-communicating with a node (A), when first voltage is applied to the memory cell, the memory element is operated so as to indicate a binary value concerning data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加
メモリ素子は、ノード(A)と電気通信するメモリセル(202)を有し、第1の電圧がメモリセルに印加されたとき、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した2進値を示すように動作する。 - 特許庁
To provide a memory control system, a memory controller, and a memory control method, having improved reliability by continuing mirroring operation when failure has occurred in a memory module of mirroring configuration without installing a preliminary memory module.例文帳に追加
予備のメモリモジュールを設けず、ミラーリング構成のメモリモジュールに障害が発生したとき、ミラーリング動作を継続させ、信頼性を向上したメモリ制御システム、メモリ制御装置、メモリ制御方法を提供する。 - 特許庁
That is, by changing the data flash memory cell from a binary memory cell to a multi-value memory cell, deterioration in the retention characteristics is prevented to achieve the high-reliability data flash memory cell, while reducing occupied area of the data flash memory cell.例文帳に追加
つまり、データフラッシュメモリセルを2値メモリセルから多値メモリセルに変更することにより、リテンション特性の劣化を防止して信頼性の高いデータフラッシュメモリセルを実現し、かつ、データフラッシュメモリセルの占有面積を低減する。 - 特許庁
A memory device (110) includes the write-once memory (112), a non-volatile memory (214), and a circuit (210) for writing user data to the write-once memory (112) and at least one of user data and error correction data to the non-volatile memory (214).例文帳に追加
メモリデバイス(110)は、ライトワンスメモリ(112)と、不揮発性メモリ(214)と、ユーザデータをライトワンスメモリ(112)に書き込み、かつユーザデータ及び誤り訂正データのうちの少なくとも一つを不揮発性メモリ(214)に書き込むための回路(210)とを含む。 - 特許庁
INFORMATION PROCESSING APPARATUS, AND MEMORY MANAGEMENT METHOD例文帳に追加
情報処理装置およびメモリ管理方法 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
非揮発性メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
半導体記憶装置およびその読み出し回路 - 特許庁
INFORMATION COMMUNICATION TERMINAL AND MEMORY CONTROL METHOD例文帳に追加
情報通信端末とメモリ制御方法 - 特許庁
PRINTER AND MEMORY CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加
印刷装置およびその記憶制御方法 - 特許庁
SUPERCONDUCTIVE LOGICAL GATE AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
超電導論理ゲ—ト及びランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MEMORY CONTROL DEVICE AND CONTROL PROCESS THEREOF例文帳に追加
記憶制御装置およびその制御方法 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|