「P-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the p-type impurity contained in the p^+-type impurity layer 22 is diffused into the p-type epitaxial layer 10 and, as a result, a p^+-type impurity layer 11 is formed.例文帳に追加

このとき、ｐ^+ 型不純物層２２中のｐ型不純物がｐ型エピタキシャル層１０に拡散して、ｐ^+ 型不純物層１１が形成される。 - 特許庁

The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加

リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

The first p-type layer contacts the p-side electrode and contains a p-type impurity at a first concentration.例文帳に追加

第１ｐ形層はｐ側電極に接し第１濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

Accordingly, a damage layer is prevented from being formed on the surface layer, and the resistivity of the p-GaN layer 5 can be lowered.例文帳に追加

これにより、表面層にダメージ層が形成されるのが防止され、p-GaN 層５は抵抗率が低下する。 - 特許庁

The thickness of a P-type silicon layer 21a is made as thick as a depletion layer on the side of the P-type silicon layer 21.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン層２１aの厚さをＰ型シリコン層２１側の空乏層の厚さと同等にする。 - 特許庁

The n-side guide layer, the active layer, and the p-side guide layer are undoped or reduced in the amount of a dope.例文帳に追加

n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層が、アンドープの層またはドープ量が抑制された層である。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

An electrode layer 10 is formed on the N well layer 2 between the first P+layer 4 and the second P+layer 5.例文帳に追加

第１のＰ＋層４と第２のＰ＋層５との間におけるＮウェル層２上に電極層１０を形成する。 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.例文帳に追加

p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

An insulating layer 222 is provided between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。 - 特許庁

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

The p-side lead-out electrode includes a p-side metal wiring layer and a p-side metal pillar provided on the p-side metal wiring layer.例文帳に追加

ｐ側引き出し電極は、ｐ側金属配線層とｐ側金属配線層上に設けられたｐ側金属ピラーとを有する。 - 特許庁

A p-electrode 20 is formed on the p-contact layer 10.例文帳に追加

また、ｐ−コンタクト層１０上にｐ電極２０が形成される。 - 特許庁

The p-type AlGaAs layer 18 is isolated by etching, and this etching is stopped in the undoped AlGaAs resistive layer 17 between the p-type AlGaAs layers 18.例文帳に追加

p型AlGaAs層１８の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層１８間のアンドープAlGaAs抵抗層１７で止まっている。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a p-type GaN layer.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層１３上にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

A reflection layer 25, a p-type first layer 24, an n-type second layer 23, a p-type third layer 22 and an n-type fourth layer 21 are successively formed on a p-type substrate 51.例文帳に追加

ｐ型基板５１上に、反射層２５、ｐ型の第１層２４、ｎ型の第２層２３、ｐ型の第３層２２、ｎ型の第４層２１が順次形成されている。 - 特許庁

The second p-type layer 40b includes an oxide layer on the side of the i-type layer 42.例文帳に追加

第２のｐ型層４０ｂは、ｉ型層４２側に酸化層を備える。 - 特許庁

The p-type layer 5 and the n-type layer 6 become an isolation layer of a pn structure.例文帳に追加

ｐ型層５とｎ型層６とがｐｎ構造の素子分離層となる。 - 特許庁

The piezoelectric field in a well layer W3 is directed toward the p layer from the n layer, and the piezoelectric field in the gallium nitride semiconductor layer P is directed toward the n layer from the p layer.例文帳に追加

井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。 - 特許庁

For each IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) cell, a well-shaped P base layer 2 is formed, and a collector P+ layer 5 and a cathode N+ layer 4 are formed directly on the rear surface side of the P base layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル毎に、ウエル状のＰベース層２を形成し、その直下の裏面側部分にコレクタＰ＋層５及びカソードＮ＋層４を形成する。 - 特許庁

The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加

埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁

In a p-type clad layer 16, a first p-type clad layer 16A comprising a single layer, and a second p-type clad layer 16B comprising a superlattice structure are formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

The p-AlInAs layer, p-InP layer, and p-GaInAs layer are formed in striped ridges of a 10 μm width.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されている。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

A solar battery 10 is constituted by laminating an upper cell 12 stacking an n+-layer, a p-layer, and a p+-layer upon a lower cell 14 in which n+-layers and p+-layers are arranged in the lower section of a p-layer along the rear surface of the cell 14.例文帳に追加

ｎ^+層、ｐ層、ｐ^+層で構成された上部セル１２とｐ層の下部に裏面に沿ってｎ^+層とｐ^+層を並べた下部セル１４とを積層し太陽電池１０とする。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁

A metal contact layer 55 is formed on the p-type epitaxial layer.例文帳に追加

ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。 - 特許庁

An n-SLS layer 20, an active layer 22, a p-block layer 24, and a p-SLS layer 26 are sequentially laminated on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ｎ−ＳＬＳ層２０、活性層２２、ｐ−ブロック層２４、ｐ−ＳＬＳ層２６を積層する。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

The channel layer 3 has a p-type impurity layer 3a at the lower portion thereof and has an undoped layer 3b on the p-type impurity layer 3a.例文帳に追加

チャネル層３は、該チャネル層３の下部にｐ型不純物層３ａを有し、その上にアンドープ層３ｂを有している。 - 特許庁

A p-type base layer is selectively formed on an n-type active layer, and an n-type source layer is positioned on the p-type base layer.例文帳に追加

ｎ型活性層上に選択的にｐ型ベース層が形成され、そのｐ型ベース層上にｎ型ソース層が位置する。 - 特許庁

Here, the floating layer 22 has a three-layer structure, comprising p-AlGaAs layer 31/i-InGaAs layer 32/p-AlGaAs layer 33.例文帳に追加

ここで、フローティング層２２をｐ−ＡｌＧａＡｓ層３１／ｉ−ＩｎＧａＡｓ層３２／ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３３の３層構造に形成する。 - 特許庁

A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.例文帳に追加

表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

To provide layer structures used in n-channel and p-type channel transistors.例文帳に追加

nチャネルおよびp型チャネルトランジスタに用いられる層構造を提供する。 - 特許庁

The p+ layer 3 extends in a lateral direction from a p-type electrode end, and the width Lp of the p+ layer is larger than the width of the p-type electrode.例文帳に追加

ｐ＋層３はｐ型電極端部から横方向に延在し、ｐ＋層の幅Ｌｐが前記ｐ型電極の幅よりも大きい。 - 特許庁