Si-eの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
The Si substrate 110 is heat-treated (Figure 4(e)) and metal is deposited on the surface of the Si substrate 110 to form a reflection coating 300.例文帳に追加
そして、Ｓｉ基板１１０を熱処理し（図４（ｅ））、Ｓｉ基板１１０の表面に金属を蒸着して反射膜３００を形成する。 - 特許庁
O(oxygen) and further containing Si (wt.%) of 0.01.e0.5[Fe] to 5.e-0.5[Fe], where [Fe] represents the content (wt.%) of Fe in the alloy and (e) represents the radix of a natural logarithm.例文帳に追加
Ｓｉ（重量％）：０．０１・ｅ^0.5[Fe]〜５・ｅ^-0.5[Fe]、 ここで、［Ｆｅ］は合金中の含有率（重量％）を示し、ｅは自然対数の底数を示す。 - 特許庁
A method is disclosed for selectively removing rare earth scandium oxide high-k materials (e. g. DyScO_3) on Si or SiO_2.例文帳に追加
Ｓｉ若しくはＳｉＯ_２上で、例えば希土類スカンジウム酸化物高ｋ材料（具体的にはＤｙＳｃＯ_３）を選択的に除去する方法を開示する。 - 特許庁
A control section 42 changes the electric potential of the first electrode E1 in a direction of reducing the voltage applied to the electrooptic element E triggered by the data signal Si changing from a low level to a high level.例文帳に追加
制御部４２は、データ信号Ｓiがローレベルからハイレベルに変化することを契機として、電気光学素子Ｅに印加される電圧を低下させる方向に第１電極Ｅ1の電位を変動させる。 - 特許庁
This soft magnetic thin film consists principally of Fe, Si, Ta, Ru, Ga, and N and is expressed by a composition formula FeaSibTacRudGaeNf (where (a), (b), (c), (d), (e), and (f) present the composition of the respective elements by atomic %.例文帳に追加
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｇａ、Ｎを主な構成元素とし、Ｆｅ_aＳｉ_bＴａ_cＲｕ_dＧａ_eＮ_f（ただし、式中ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは、各元素の組成を原子％で表す。）なる組成式で表される軟磁性薄膜が開示される。 - 特許庁
In the formula, M represents one kind or more of elements selected from Fe, Mn, Co, and Ni, and E represents one kind or more of elements selected from B and Si.例文帳に追加
ここで、０．９≦ｘ≦１．９、０≦ｙ≦０．５、０．５≦ｚ≦０．９５、０．５≦ｑ≦０．９５及び０．０５≦ｒ≦０．５を満たし、ＭはＦｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上であり、ＥはＢ、Ｓｉから選ばれる１種以上である。 - 特許庁
Preferably, the content of (B) to that of (A) is not more than 95 wt.% but at least 5 wt.%, preferably the composition containing the fluorescent substance contains (E) inorganic fine particles, (C) the fluorescent substance and (D) a liquid medium in which (E) the inorganic fine particles contain at least two selected from Si, Al, Zr and Ti.例文帳に追加
好ましくは、（Ｂ）が（Ａ）に対して５重量％以上９５重量％以下であり、好ましくは、（Ｅ）無機微粒子、（Ｃ）蛍光体、および（Ｄ）液状媒体を含有する蛍光体含有組成物であって、（Ｅ）無機微粒子がＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＴｉから選ばれる２以上を含有する。 - 特許庁
A rotational position of an electric motor 19 is controlled so that the present position Si of the electric motor 19 detected by a motor position sensor 23 and the deviation ΔS with the electric motor target position St may become within the range of a threshold value e of a dead zone.例文帳に追加
モータ位置センサ２３により検出した電動モータ１９の現在位置Ｓｉとモータ目標位置Ｓｔとの偏差ΔＳが不感帯の閾値ｅの範囲内となるように、電動モータ１９の回転位置を制御する。 - 特許庁
To provide an electrostatic chuck for attracting a silicon wafer by electrostatic force under a pressure of 1×10^-2 Torr or less and at a temperature of 100°C or more in which uniform heating properties of an article to be attracted, i. e. an Si wafer, can be enhanced.例文帳に追加
１×１０^-2Ｔｏｒｒ以下の圧力下、１００℃以上の温度で、シリコンウエハを静電力によって吸着する静電チャックにおいて、被吸着物であるＳｉウエハの均一加熱性を高めることができる静電チャックを提供する。 - 特許庁
The epoxy resin composition comprises essentially (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a cure accelerator, (D) an inorganic filler, and (E) an ion acceptor coated with an organosilicon compound having at least one alkyl group directly bonded to an Si atom.例文帳に追加
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）Ｓｉ原子１個あたり直接１個以上のアルキル基が結合した有機ケイ素化合物で被覆したイオン捕捉材を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁
[The curable composition] contains (A) particles containing an oxide of at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, Zn, Ge, In, Sn, Sb and Ce as a main component and a polymerizable unsaturated group, (B) a compound having a methacryloyl group and an acryloyl group in a molecule, (E) a photo-polymerization initiator and (F) a solvent.例文帳に追加
［硬化性組成物］ （Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とし、重合性不飽和基を有する粒子、 （Ｂ）１分子中にメタクリロイル基及びアクリロイル基を有する化合物、 （Ｅ）光重合開始剤、及び （Ｆ）溶剤 - 特許庁
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