「Silicon Oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

POROUS SILICON OXIDE COATING FILM例文帳に追加

多孔質のケイ素酸化物塗膜 - 特許庁

FORMING METHOD OF SILICON OXIDE LAYER例文帳に追加

シリコン酸化物層の形成方法 - 特許庁

SILICON OXIDE PROCESSING METHOD例文帳に追加

シリコン酸化物加工方法 - 特許庁

DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE POWDER例文帳に追加

酸化珪素粉末の製造装置 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の堆積方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE POWDER例文帳に追加

酸化珪素粉末の製造方法 - 特許庁

OXIDE FILM FORMING METHOD OF SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板の酸化膜形成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

酸化珪素被膜の形成法 - 特許庁

OXIDE BONDED SILICON CARBIDE-BASED MATERIAL例文帳に追加

酸化物結合炭化珪素質材料 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE例文帳に追加

酸化珪素の製造方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE LAYER例文帳に追加

酸化珪素層の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE LAYER例文帳に追加

シリコン酸化層の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM OF SILICON OXIDE例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING SILICON OXIDE THIN FILM例文帳に追加

酸化ケイ素薄膜の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

酸化珪素膜の成膜方法 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の成膜方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON OXIDE POWDER例文帳に追加

酸化珪素粉末の製造方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法 - 特許庁

SILICON OXIDE FILM REMOVAL METHOD例文帳に追加

シリコン酸化膜除去方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE COAT例文帳に追加

酸化珪素被膜の形成法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

酸化シリコン膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

酸化珪素膜の製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR PREPARING SILICON OXIDE例文帳に追加

シリコン酸化物の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM OF SILICON OXIDE NITRIDE例文帳に追加

酸化窒化シリコンの成膜方法 - 特許庁

The first silicon oxide film is thicker than the second silicon oxide film.例文帳に追加

第１シリコン酸化膜は第２シリコン酸化膜よりも厚い。 - 特許庁

A silicon oxide film (82) is polished from above the silicon oxide film (82).例文帳に追加

シリコン酸化膜（８２）上からシリコン酸化膜（８２）を研磨する。 - 特許庁

SILICON OXIDE ETCHING METHOD AND SILICON OXIDE ETCHING EQUIPMENT例文帳に追加

酸化シリコンエッチング方法及び酸化シリコンエッチング装置 - 特許庁

FORMATION OF SILICON OXIDE FILM AND SILICON OXYNITRIDE FILM UNDER LOW PRESSURE例文帳に追加

低圧下のシリコン酸化膜及び酸窒化膜形成方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON CLUSTER-INCLUDING SILICON OXIDE例文帳に追加

シリコンクラスタ内包シリコン酸化物の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON OXIDE GRANULE FROM SILICON SLUDGE例文帳に追加

シリコンスラッジからの酸化シリコン粒製造方法 - 特許庁

The coating is composed of alumina, silicon carbide, silicon nitride, or silicon oxide.例文帳に追加

被膜はアルミナ，炭化ケイ素，窒化ケイ素又は酸化ケイ素で形成されている。 - 特許庁

A first oxide film 15 including silicon oxide is formed.例文帳に追加

シリコン酸化物からなる第１酸化膜１５を形成する。 - 特許庁

PRODUCTION OF TITANIUM OXIDE-SILICON OXIDE MULTIPLE FILM例文帳に追加

酸化チタン−酸化珪素複合膜の製造方法 - 特許庁

For example, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, and zinc oxide are mentioned as the inorganic oxide.例文帳に追加

例えば，珪素酸化物，アルミ酸化物，チタン酸化物，亜鉛酸化物が挙げられる。 - 特許庁

A nitride silicon layer 16 whose dielectric ratio is higher than a silicon oxide layer 15 is laminated on the silicon oxide layer 15.例文帳に追加

酸化シリコン層15より誘電率が高い窒化シリコン層16を酸化シリコン層15上に積層させた。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE OXIDE FILM, AND SILICON WAFER例文帳に追加

シリコン酸化膜およびシリコン窒化酸化膜の形成方法ならびにシリコンウエーハ - 特許庁

That is, by making the silicon oxide film contain Kr in it, stresses are relaxed in the silicon oxide film and the interface between the silicon oxide and a silicon.例文帳に追加

本発明のシリコン酸化膜は、シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。 - 特許庁

A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device.例文帳に追加

活性層となる結晶性珪素膜を、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜、それらを覆う第３の酸化珪素膜と、さらに第３の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。 - 特許庁

When a silicon oxide film 24 is formed on a silicon oxide film 21 used as a mask for forming p-type base regions 3, and thereafter etched back, the silicon oxide film 24 is left on both side faces of the silicon oxide film 21 at widths equal to the silicon oxide film 21.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成用マスクとなるシリコン酸化膜２１の上にシリコン酸化膜２４を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜２１の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜２４が残る。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 for filling the trench 1h is formed, so that the silicon oxide film 5 is brought into contact with the silicon oxide film 3.例文帳に追加

シリコン酸化膜３ｂに接するようにトレンチ１ｈを充填するシリコン酸化膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon oxide film by which a silicon oxide film can be easily formed at low temperature and to provide the silicon oxide film.例文帳に追加

低温かつ簡易な方法で酸化シリコン膜を形成することができる酸化シリコン膜の形成方法および酸化シリコン膜を提供する。 - 特許庁

After the second silicon oxide film is formed, the second silicon oxide film is etched and the second silicon oxide film is remained on sidewalls of the gate electrode.例文帳に追加

第２シリコン酸化膜を形成した後、第２シリコン酸化膜をエッチングして、第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す。 - 特許庁