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atomic elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 258件
The manufacturing method of the conjugated diene polymer comprises polymerizing a conjugated diene compound using a catalyst obtained from (A) the compound bearing a bulky ligand of a metal of an atomic number of 57-71, (B) an ionic compound comprised of a non-coordinating anion and a cation and (C) an organometallic compound of an element selected from among group 2, 12 and 13 elements in the periodic table.例文帳に追加
（Ａ）嵩高い配位子を有する原子番号５７〜７１の金属の化合物、（Ｂ）非配位性アニオンとカチオンとからなるイオン性化合物、（Ｃ）周期律表第２族、１２族、１３族から選ばれる元素の有機金属化合物、から得られる触媒を用いて共役ジエン化合物を重合させることを特徴とする共役ジエン重合体の製造方法に関する。 - 特許庁
The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face.例文帳に追加
半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。 - 特許庁
The manufacturing method of a light olefin and/or a monocyclic aromatic compound comprises carrying out a catalytic cracking reaction by bringing a hydrocarbon raw material into contact with a catalyst in the presence of steam in a moving bed reactor, where pentasil zeolite having an Si/Al atomic ratio smaller than 50 and containing a rare earth element is used as the catalyst.例文帳に追加
移動床反応器を用いて、水蒸気の存在下、炭化水素原料を触媒に接触させて接触分解反応を行い、軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物を製造する方法であって、該触媒として、Ｓｉ／Ａｌ原子比が５０より小さく、かつ希土類元素を含有するペンタシル型ゼオライトを用いることを特徴とする軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物の製造方法。 - 特許庁
The semiconductor device has: a lead frame 70 formed by using materials including at least one atom from those with atomic numbers 1 through 13; a silicon substrate 11 that is provided on this lead frame 70 and has a film thickness thinner than the largest range of a particle 30 caused by a nuclear reaction between the fast neutron 20 and silicon; and a semiconductor element 14 formed on the surface of the silicon substrate 11.例文帳に追加
半導体装置は、原子番号が１から１３までの原子のうち少なくとも１つの原子を含む材料で形成されたリードフレーム７０と、このリードフレーム７０上に設けられ、高速中性子２０とシリコンとの核反応により発生する粒子３０の最大飛程よりも薄い膜厚を有するシリコン基板１１と、このシリコン基板１１の表面に形成された半導体素子１４とを具備する。 - 特許庁
The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加
金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁
The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加
基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁
In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm.例文帳に追加
基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子とする。 - 特許庁
To solve defects such as development of bleeding and poor drying properties of ink under a state of the excellent weatherability such as the light resistance and gas resistance of an ink jet printing recording sheet consisting of a support covered by at least one or more ink accepting layer including a porous aluminum oxide and a hydroxide, which includes one or more of rare earth metal series element of a periodic table having the atomic numbers of 57 to 71.例文帳に追加
多孔質酸化アルミニウム及び水酸化物を含有する少なくとも１つ以上のインク受理層を被覆した支持体からなるインクジェット印刷用記録シートであり、該水酸化物が原子番号５７〜７１をもつ周期系の希土類金属系列元素の１つ以上を含むことを特徴とするインクジェット印刷用記録シートは、耐光性や耐ガス性などの耐候性に優れているが、インクのにじみや乾燥性が悪いという欠点を有している。 - 特許庁
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