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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > collector clampに関連した英語例文

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collector clampの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 12



例文

When the collector voltage of the measured IGBT 2 exceeds a clamp voltage, the power MOSFET 7 is turned on and the collector voltage decreases.例文帳に追加

被測定IGBT2のコレクタ電圧がクランプ電圧を超えると、パワーMOSFET7がONして、コレクタ電圧が下がる。 - 特許庁

However, when the collector voltage of the measured IGBT 2 falls below the clamp voltage, the power MOSFET 7 is turned off and the collector voltage increases.例文帳に追加

一方、被測定IGBT2のコレクタ電圧がクランプ電圧を下回ると、パワーMOSFET7がOFFして、コレクタ電圧が上がる。 - 特許庁

A first clamp element 3 is connected between a gate and a collector of an IGBT1 (switching element) and a discharge resistor portion 16 is connected to the gate.例文帳に追加

IGBT1(スイッチング素子)のゲート−コレクタ間に第1クランプ素子3が、ゲートに放電抵抗部16が接続される。 - 特許庁

Clamp elements connected in series are connected between the collector and gate of the IGBT 1, and resistors are severally connected to the different connections of the clamp elements connected in series, thereby protecting the IGBT from overvoltage.例文帳に追加

IGBT1のコレクタ・ゲート間に、直列接続したクランプ素子を接続し、直列に接続したクランプ素子の異なる接続点に抵抗器をそれぞれ接続することでIGBTを過電圧から保護する。 - 特許庁

例文

The sound collector 1 is mounted to an ear piece 56 of a portable phone body by clamping a phone body casing of a portable phone with a base section 2 and a clamp section 5 of the sound collector 1.例文帳に追加

集音器1の基部2と挟持部5とによって携帯電話機の本体筐体を挟むようにして、携帯電話機本体の受話口56に集音器1を装着する。 - 特許庁


例文

To improve operability and workability in a dust collector wherein a connecting part of a duct hose and a switch surface are always matched by easily positioning a tank and a head by means of a clamp device which is not affected by a limitation in the quality of material or the size of a clamp member.例文帳に追加

本発明は、クランプ部材の材質や大きさ等の制限に左右されることのないクランプ装置によりタンク部とヘッド部との位置決めを容易に行うことで、ダクトホースの接続部とスイッチ面とを常に合わせることができる集塵機の操作性及び作業性の向上を図ることである。 - 特許庁

In response to the signal from the timer circuit 7, the NMOS transistor 26 selectively connects a second clamp element 28 between the gate and the collector of the IGBT1.例文帳に追加

NMOSトランジスタ26は、タイマー回路7からの信号に応答して、選択的に第2クランプ素子28をIGBT1のゲート−コレクタ間に接続する。 - 特許庁

The power generation module 4 of a power generation system is formed by laminating gaskets 43, partition plates 44, and current collector plates 45 at both sides of an electrode assembly 42 as a center, between a pair of clamp plates 41.例文帳に追加

発電システムの発電モジュール4は、一対の締め付け板41の間に、電極接合体42を中心として、両側に、ガスケット43、仕切り板44および集電板45が積層されている。 - 特許庁

An output terminal 37 of a primary current intercepting circuit is connected to the gates of the IGBT via a gate resistance device 21 applying self-bias for collector voltage clamp to the IGBT 15 by Zener current of the Zener diode 15a.例文帳に追加

1次電流遮断回路の出力端子37は、ツェナダイオード15aのツェナ電流によりIGBT15にコレクタ電圧クランプ用の自己バイアスをかけるゲート抵抗素子21を介してIGBT15のゲートに接続される。 - 特許庁

例文

This battery is so constituted that connecting parts 2a of a collector connector 2 connected to a terminal 3 are stacked to the metal foils of the positive electrode 1a and the negative electrode 1b projecting from the end face of a power generating element 1, then inserted between the clamp boards 4 and ultrasonic welded.例文帳に追加

発電要素1の端面から突出した正極1aや負極1bの金属箔に、端子3に接続された集電接続体2の接続部2aを重ね合わせ、これらを挟持板4の間に挟み込んで超音波溶接した構成とする。 - 特許庁

例文

An overvoltage prevention circuit 100 is constituted of a Zener diode 20 connecting its cathode to the collector of an IGBT 3 and a resistor 21, and a capacitor 22 connected in parallel between the anode of the Zener diode 20 and the base of an input transistor (TR) 19 connected to the control signal input stage of a gate driving circuit 18 and capable of amplifying a clamp signal.例文帳に追加

過電圧防止回路100は、IGBT3のコレクタにカソードが接続されたツェナーダイオード20と、ツェナーダイオード20のアノードとゲートドライブ回路18の制御信号入力段に接続された、クランプ信号を増幅する入力トランジスタ19のベースとの間に、並列に接続された抵抗21およびコンデンサ22とで構成されている。 - 特許庁

例文

This feedback type peak hold circuit having both a capacity means C1 and an emitter follower Q5 provided in an output stage of a differential amplifier circuit to give feedback is provided with clamp circuits P4, Q4 for clamping a collector of a feedback side transistor Q2 in the differential amplifier circuit comprising npn transistors Q1, Q2 and pnp transistors P1, P2.例文帳に追加

差動増幅回路の出力段に容量手段C1とエミッタホロワQ5を設けて帰還をかける帰還型のピークホールド回路において、npnトランジスタQ1、Q2とpnpトランジスタP1、P2からなる差動増幅回路の帰還側トランジスタQ2のコレクタをクランプするクランプ回路P4、Q4を設ける。 - 特許庁

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