「element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(722ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing a semiconductor element having the foreign material layer disposed in the semiconductor body includes the steps of: producing a trench having two opposite sidewalls and a bottom in the semiconductor body; producing the foreign material layer on a first one of the two sidewalls of the trench; and filling the trench by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.例文帳に追加

半導体基材内に異材料層が配置された半導体素子を製造するための方法であって、対向し合う２つの各側壁と底部とを有するトレンチを上記半導体基材内に作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第１の側壁に異材料層を作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第２の側壁および底部に半導体材料をエピタキシャルに堆積することによって上記トレンチを充填する工程とを含んでいる方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride semiconductor element by dividing a semiconductor wafer where a nitride semiconductor is formed on a substrate includes: a step for forming a separation part where the semiconductor wafer is partially thin by removing a part of the nitride semiconductor; a step for forming a break line in the substrate by irradiating the separation part internally with a laser beam; and a step for dividing the semiconductor wafer along the break line.例文帳に追加

本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

Disclosed is a method where a base is dipped into a plating bath, and an Sn-Ag-Cu three-element alloy thin film is formed on the whole surface or a part of the base by electroplating.例文帳に追加

本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-treated aluminum material comprises treating the surface of the aluminum material made of aluminum or the aluminum alloy with the liquid including one or more oxo acids containing any element selected from phosphor, silicon and chromium; and heating the aluminum material treated with the liquid, at 80 to 400°C.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面にリン、ケイ素、及びクロムから選ばれたいずれかの元素を含んだ１種又は２種以上のオキソ酸からなるオキソ酸処理液による処理で形成された皮膜を有する表面処理アルミニウム材であり、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面をリン、ケイ素、及びクロムから選ばれたいずれかの元素を含んだ１種又は２種以上のオキソ酸からなるオキソ酸処理液で処理し、このオキソ酸処理液で処理したアルミニウム材を８０〜４００℃の加熱温度で加熱処理する表面処理アルミニウム材の製造方法である。 - 特許庁

The method of producing the porous silica comprises a step of: mixing a surfactant F127, an acid, water, a silicon source and the metallic element selected from a group comprising Al, Fe, Ti, Co and Ga; a step of: heating the raw material mixture obtained in the mixing step and silicifying it; and a step of: firing the silicide obtained by the silicifying step.例文帳に追加

所定の空間群からなる多孔構造をもつ多孔体シリカであって、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素が添加されてなることを特徴とする、多孔体シリカとその製造方法として、界面活性剤Ｆ１２７と、酸と、水と、ケイ素源並びにＡｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素を含む金属源とを混合する工程と、 前記混合する工程によって得られた原料混合物を加熱して、ケイ化する工程と、 前記ケイ化する工程によって得られたケイ化物を焼成する工程とからなることを特徴とする、方法を提供する。 - 特許庁