「element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(713ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a boron nitride nanotube is characterized in that a mixed powder material containing a boron oxide (B_2O_3) powder and a magnesium (Mg) powder is heated to a predetermined reaction temperature in a horizontal reactor to generate a reaction gas containing a boron element, and that an ammonia gas introduced there with an inert gas is reacted with the reaction gas for a predetermined time.例文帳に追加

横型反応器内にて、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）粉末とマグネシウム（Ｍｇ）粉末を含む混合粉末原料を、所定の反応温度まで加熱することによりホウ素元素を含む反応ガスを発生させ、そこへアンモニアガスを不活性ガスと共に導入して前記反応ガスと前記アンモニアガスを所定の時間反応させることを特徴とする、窒化ホウ素ナノチューブの製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a trench 12 is formed on the surface side 101 of a semiconductor substrate 10 formed with an active element 11, and after a metal 13 or resin is charged into the trench 12, a rear 102 of the semiconductor substrate 10 is ground until a sheet thickness of the semiconductor substrate 10 becomes thinner than a depth of the trench 12.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、能動素子１１が形成された半導体基板１０の表面側１０１に溝１２を形成し、前記溝１２に金属１３または樹脂を充填した後に、前記半導体基板１０の板厚が前記溝１２深さよりも薄くなるまで前記半導体基板１０の裏面１０２を研削することを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar cell element 10 has a substrate preparation step for preparing a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, a surface treatment step for exposing the surface of the p-type semiconductor layer to plasma which is formed by using gas containing nitrogen atoms, and a layer formation step for forming a passivation layer 7 on the p-type semiconductor layer exposed to the plasma.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層を有する半導体基体１を準備する基体準備工程と、前記ｐ型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、前記プラズマに曝した前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子１０の製造方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal-aligning agent which allows the formation of a liquid crystal alignment layer maintaining good liquid crystal-aligning performance and electric characteristics even when continuously driven for a long period of time, having superior weatherability and suppressing an increase in the residual DC voltage; and to provide a liquid crystal alignment layer, a liquid crystal display element having a liquid crystal alignment layer, a compound, and a method for producing the compound.例文帳に追加

長時間連続駆動をした場合であっても良好な液晶配向性能及び電気特性が維持されると共に、優れた耐候性を有し、残留ＤＣ電圧の増大が抑制された液晶配向膜を形成可能な液晶配向剤、液晶配向膜、液晶配向膜を備える液晶表示素子、化合物及び化合物の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method allowing to manufacture a steel wire, bar steel or ribbon steel having a never attainable high level of 0.2% proof stress and allowing to ensure nonmagnetism when not weighting and adding an alloy element which is a chemical component of austenitic stainless steel and precious while saving energy and reducing equipment load.例文帳に追加

オーステナイト系ステンレス鋼の化学成分であり高価な合金元素を増量添加しない場合には、全く到達不可能とされている高水準の０．２％耐力を有し、非磁性を確保することが可能となった鋼線、棒鋼又は薄帯鋼を、省エネルギーかつ設備負荷を軽減して製造することを可能とする製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The display element includes: first and second substrates 1, 2 facing each other; first and second alignment films 5, 6 which are oriented by a rubbing method and provided at opposing sides of the first and second substrates 1, 2 respectively; and a liquid crystal layer 7 formed by introducing a liquid crystal material containing high molecular weight ferroelectric liquid crystals between the first and second substrates 1, 2.例文帳に追加

互いに対向する第１基板１および第２基板２と、第１基板１および第２基板２の対向する面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜５および第２配向膜６と、第１基板１と第２基板２との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層７とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the porous resin sheet for the piezoelectric element and the pyroelectric detector includes the steps of: locating a laminating sheet 3 provided with an insulating sheet 2 on at least one face of a porous resin sheet 1 with an electrode between voltage applying elements 4 and 5; and applying a voltage to between the voltage applying elements 4 and 5, thereby charging the interior of bubbles of the porous resin sheet 1 with the electrode.例文帳に追加

圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートの製造方法は、電極付き多孔質樹脂シート１の少なくとも片面に絶縁板２を設けた積層シート３を、電圧印加用電極４，５の間に設置する工程、及び電圧印加用電極４，５の間に電圧を印加することにより、電極付き多孔質樹脂シート１の気泡内部を帯電させる工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a rare-earth magnet has a sticking step for sticking a permeating material (Nd-Cu alloy) that can produce liquid phase onto a surface of a magnetic alloy containing a rare-earth element (R1) at a temperature lower than its eutectic point and a permeating step for heating after the sticking step to permeate and diffuse the permeating material into the grain boundary of the magnetic crystal grain of alloy.例文帳に追加

本発明の希土類磁石の製造方法は、希土類元素（Ｒ１）を含む磁性合金の表面にその共晶点よりも低温で液相を生じ得る浸透材（Ｎｄ−Ｃｕ合金）を付着させる付着工程と、この付着工程後に加熱して磁性合金の結晶粒の粒界へ浸透材を浸透拡散させる浸透工程とを備えてなる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the photoelectric conversion element which has a scribing step of forming a scribe 30 on a film 13 including the transparent electrically conductive film 12 which is formed on the glass substrate 11, the scribing step is performed with a laser beam 15 induced with water jet 16 having a diameter of ≤100 μm and the laser beam 15 is emitted from the side of the film 13 toward the side of the glass substrate 11.例文帳に追加

ガラス基板１１上に成膜された透明導電膜１２を含む膜１３にスクライブ３０を形成するスクライブ工程を有する光電変換素子の製造方法において、スクライブ工程は直径が１００μｍ以下の水ジェット１６で誘導したレーザー光線１５によって行われ、レーザー光線１５を膜１３側からガラス基板１１側に向かって照射する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane.例文帳に追加

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 - 特許庁

In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.例文帳に追加

電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁

The method includes arranging the preform P in a hollow formed in a lower mold 5, heating the arranged preform P to melt at a temperature higher than a predetermined molding temperature, cooling the heated preform P to the predetermined molding temperature and compressing the preform P having been heated to the predetermined molding temperature in a space surrounded by an upper mold 6, the lower mold 5 and a body mold 7 to mold an optical element.例文帳に追加

プリフォームＰを下型５に形成された窪みに配置し、配置されたプリフォームＰを所定の成形温度より高い温度で溶融するように加熱し、加熱されたプリフォームＰを所定の成形温度まで冷却し、所定の成形温度に達したプリフォームＰを上型６と下型５と胴型７とで囲まれる空間内で圧縮して光学素子を成形する。 - 特許庁

There is provided the method of manufacturing the electronic element substrate, including a resistance reduction processing step of reducing the specific resistance of the partial region or the whole region of the oxide in a substrate at least a part of the outermost surface layer of which is made of the oxide having specific resistance of ≤1×10^9 Ωcm by applying a potential higher than the potential of the substrate to the partial region or the whole region.例文帳に追加

少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 - 特許庁

Further, the method for producing the acetylenic polymer comprises a polymerization step for polymerizing a substituted acetylene monomer having a substituent which contains a nitroxyl radical-generating site by using a metal complex catalyst having a 8-10 group element in the periodic table as a central atom to form a non-radical polymer and a radicalization step for radicalizing the non-radical polymer obtained in the polymerization step.例文帳に追加

また、本発明のアセチレン系重合体の製造方法は、周期表第８〜１０族の元素を中心原子とした金属錯体触媒を用いて、ニトロキシルラジカル発生サイトを含む置換基を有する置換アセチレン単量体を重合して非ラジカル重合体を形成する重合工程と、重合工程にて得た非ラジカル重合体をラジカル化するラジカル化工程とを有する。 - 特許庁

In a ceramic filter element wherein a filter layer comprising ceramics is formed on a substrate comprising a ceramic fiber, the substrate comprises principally a mullite long filter woven by a filament winding method, a pitch between respective adjoining long fiber bundles in a structure of the woven layer is wider than the width of the long fiber bundle, and the porosity of the substrate is 40-70 vol.%.例文帳に追加

セラミック繊維からなる基材にセラミックからなるフィルター層を形成したセラミックフィルターエレメントにおいて、前記基材は主としてフィラメントワインディング法により製織されたムライト長繊維からなり、その製織された層の構造体中における隣り合う各長繊維束間のピッチが長繊維束幅よりも広く、かつ前記基材の気孔率が４０〜７０容量％であるもの。 - 特許庁

In the repairing method of an organic light emitting device including a plurality of organic light emitting elements having organic layers with at least light emitting layers included therein and disposed between first and second electrodes on a substrate, a foreign substance in a defectively emitting organic light emitting element is detected and an area around the foreign substance is irradiated with laser to remove at least one electrode.例文帳に追加

基板の上に形成された第１電極と第２電極との間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機発光素子を複数、配置してなる有機発光装置のリペア方法において、発光不良が発生した前記有機発光素子内の異物を検出し、異物を囲む領域にレーザーを照射して、少なくとも一方の電極を除去することを特徴とする。 - 特許庁

According to this sensor element manufacturing method, since a pressurizing process is performed, after a punching arrangement process to arrange the solid electrolyte object 435 for a penetration hole 433 of the insulating member 405, step dimension between the solid electrolyte object 435 and the insulated member 405 in the boundary portion can be made smaller than thickness dimension of the electrodes (first electrode 404 and second electrode 406).例文帳に追加

本センサ素子製造方法によれば、絶縁部材４０５の貫通孔４３３に対して固体電解質体４３５を配置する打抜配置工程の後、加圧工程を実行することから、境界部分における固体電解質体４３５と絶縁部材４０５との段差寸法を電極（第１電極４０４および第２電極４０６）の厚さ寸法よりも小さくすることができる。 - 特許庁

More specifically, the content of sodium, potassium, and ammonium ions measured by an element analysis by an ICP emission spectrometry or an ICP mass spectrometry and a quantitative analysis of the ammonium ion by an ion chromatography method satisfies a relationship of the content of sodium and the content of at least one selected from sodium and ammonium ions being equal to 5-500 ppm and 100-20,000 ppm, respectively.例文帳に追加

ＩＣＰ発光分析法またはＩＣＰ質量分析法による元素分析およびイオンクロマト法によるアンモニウムイオンの定量分析から測定されるナトリウム、カリウムおよびアンモニウムイオンの含有量が、ナトリウムの含有量：５〜５００ｐｐｍ、カリウムおよびアンモニウムイオンから選択される少なくとも１種の含有量：１００〜２００００ｐｐｍの関係を満たす。 - 特許庁

To provide a vibrator for vibration generator, capable of uniformly dispersing respective element components constituting a W-base sintered alloy into W particles and also capable of stably manufacturing, in high manufacturing yield, a vibration generator reduced in the dispersion of mechanical properties such as bendability and having stable characteristics, a method of manufacturing the vibrator and a vibration generator using the vibrator.例文帳に追加

Ｗ基焼結合金を構成する各元素成分をＷ粒子中に均一に分散させることが可能であり、曲げ特性など機械的特性のばらつきを低減し、特性が安定した振動発生機を安定して高い製造歩留りで製造することが可能な振動発生機用振動子，その製造方法およびその振動子を使用した振動発生機を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor light emitting element comprises: a process of providing a liftoff layer including at least either crystal defect or air gap on a substrate; a process of providing a layer consisting of the nitride based semiconductor on the liftoff layer; and a process of separating the substrate and the layer consisting of the nitride based semiconductor.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または空隙の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing diffraction lenses comprises a step for forming a stack having at least two phase shift layers which are separated from each other by an etching stop layer on the first face of each of transparent substrates 34, 144 capable of transmitting light of selected wavelengths between infrared rays and ultraviolet rays and a step for forming a pattern on the stack in order to form a layer of a diffracting optical element 50.例文帳に追加

赤外線から紫外線の間で選択された波長の光を透過する透明な基板３４、１４４の第１の面上に、エッチング停止層で分離された少なくとも２つの位相シフト層を有するスタックを形成するステップと、回折光学素子５０の層を形成するために、前記スタックにパターン形成するステップとを含んでなる、回折レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an alicyclic olefin polymer composition suitable for obtaining a mold for molding capable of readily taking out electric parts from the mold and molding electric parts having a high dimensional accuracy even by repeated uses in a method for producing electric parts in which an electric circuit element is sealed by using a thermosetting resin such as an epoxy resin as a sealing material, and the mold for molding composed of the composition.例文帳に追加

エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を封止材として、電気回路素子を封止した、電気部品の製造において、金型から電気部品を容易に取り出すことができ、繰り返し使用しても寸法精度の高い電気部品を成形できる成形用金型を得るために好適な脂環式オレフィン重合体組成物及びその組成物からなる成形用金型を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar cell element comprises stages of: forming, on one main surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, an opposite conductivity type layer 3 of the opposite conductivity type; forming a conductive layer 7 on the opposite conductivity type layer 3; and melting the conductive layer 7 with heat to electrically connect the conductive layer 7 to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板１の一主面に、逆導電型を呈する逆導電型層３を形成する工程と、逆導電型層３上に導電層７を形成する工程と、導電層７を加熱溶融させ、該導電層７を半導体基板１に導通接続させる工程と、を有する太陽電池素子の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method for constituting a packet for a TS signal capable of generating a TS packet containing an element capable of being applied to a versatile use in a digital broadcasting, particularly a ground digital broadcasting and a real-time data transmitting-receiving system composed of a real-time data transmitter for generating the packet and a receiver having a function utilizing real-time data.例文帳に追加

本発明はデジタル放送、特に地上デジタル放送において、多様な用途に応用可能な要素を含ませたＴＳパケットの生成を可能とするＴＳ信号のパケット構成方法と、当該パケットを生成するためのリアルタイムデータ送出装置、及び該リアルタイムデータを活用する機能を具備した受信装置とからなるリアルタイムデータ送受信システムを提供することにある。 - 特許庁

The behavior of the globular particle ptcl which falls down from the supply belt B2 to the conveyer belt B1 based on the initial distribution state of the globular particle ptcl or the moving state of the supply belt B2 and the conveyer belt B1, and is conveyed with the conveyer belt B1, then exhausted from an exhausting shoot 11 is successively described by an individual element method.例文帳に追加

前記球状粒子ptclの初期分布状態や供給ベルトＢ２及びコンベアベルトＢ１の移動状態等に基づいて、搬送物挙動記述手段３２により、供給ベルトＢ２からコンベアベルトＢ１上に落下し、その後、コンベアベルトＢ１により搬送されて、排出シュート１１から排出される球状粒子ptclの挙動を、個別要素法により逐次記述する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor epitaxial wafer which comprises the steps of heating a compound semiconductor substrate 1 arranged in a reaction tube while allowing raw materials of groups III to V to flow through the reaction tube and growing epitaxial layers 2 and 3 having an objective element structure on the substrate 1 in a vapor phase, the substrate 1 is cleaned with CH_3Cl immediately before growing the epitaxial layer 2.例文帳に追加

反応管内に設置した化合物半導体基板１を加熱し、その反応管内にIII族−Ｖ族の原料を流してその基板１上に目的とする素子構造のエピタキシャル層２，３を気相成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記エピタキシャル層２の成長を行う直前に、その基板１をＣＨ_3Ｃｌでクリーニングする。 - 特許庁

To provide a transparent conductor in which an auxiliary electrode layer is formed partially on a concavo-convex part by vapor depositing obliquely a conductive material without patterning, and high transparency and high conductivity are realized compatibly, and which includes an improved light extraction efficiency when used for a light emitting element, and a manufacturing method of the transparent conductor for manufacturing the transparent conductor efficiently.例文帳に追加

凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することによりパターニングなしで、部分的に補助電極層を形成可能であり、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いると光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法の提供。 - 特許庁

In this method for manufacturing a solid electrolytic capacitor using conductive polymer as an electrolyte, a capacitor element 1 in which conductive polymer is formed is immersed in a dissolved solder solution before being sealed in a metallic case or a resin armor, and power supply aging is carried out by setting the anode side of the capacitor as a positive potential and the solder solution side as a negative potential.例文帳に追加

本発明は、電解質として導電性ポリマーを用いた固体電解コンデンサの製造方法において、前記導電性ポリマーが形成されたコンデンサ素子を、金属ケース又は樹脂外装で封止するに先立ち、溶解した半田液に浸漬し、前記コンデンサ素子の陽極側を正電位に、半田液側を負電位にして通電エージングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide toner for electrostatically charged image development which eliminates the waste of a charging control agent which has been considered to be a problem so far and has superior powder flowability, transfer property, heat-resistive storage, low-temperature fixing properties, and offset resistance, and to provide an analysis method which is suitable for element analysis of elements in the toner by an X-ray photoelectron spectroscopy device.例文帳に追加

従来問題とされていた帯電制御剤の無駄がなく、しかも粉体流動性、転写性、耐熱保存性、低温定着性、耐ホットオフセット性のいずれにも優れ、画像品質の優れた静電荷像現像用トナーを提供すること、また、Ｘ線光電子分光装置により該トナー中の元素の元素分析に適した分析方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for packaging an electrolytic capacitor capable of repeating unsealing/resealing comparatively simply even by a user having no sealing means such as a heat sealing device when the electrolytic capacitor, in which a capacitor element with an anode member with a dielectric film thereon, is impregnated with a liquid or solid cathode member, is housed in an aluminum laminated bag and forwarded and/or stored.例文帳に追加

誘電体皮膜が形成された陽極部材を備えるコンデンサ素子に、液体又は固体の陰極部材を含浸した電解コンデンサを、アルミラミネート袋に収納して出荷及び／又は保管するに当たり、熱シール装置等の密封手段を持ち合わせていないユーザでも、比較的簡単に開封／再密封を繰り返すことができるような、電解コンデンサの包装方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises a step of supplying a substrate which already has an element structure which results in uneven topography, a step of forming the film, and while forming the film, performing ion bombardment to promote gap-filling of the film, and a step of continuously performing the ion bombardment up to a specified time, after stopping the film formation to improve the extent of the flatness of the film.例文帳に追加

既に素子構造を具備し地勢の高低が起伏している基板を提供するステップ、上記基板上にフィルムを形成しフィルムの形成の際イオンボムバードメントを進行してフィルムのギャップフィリングを増進するステップ、上記フィルムの形成を停止した後再び持続的にイオンボムバードメントを特定時間まで進行してフィルムのフラット程度を改善するステップとを備えてなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing powder capable of providing multi-component inorganic compound powder (precursor powder) having a stable quality, by controlling stably a temperature atmosphere by suppressing temperature rise in a device when suppressing segregation of a specific element or bulking of crystals by further miniaturizing sprayed droplets, and by preventing contamination of carbon dioxide.例文帳に追加

噴霧された液滴をさらに微細化させて特定元素の偏析や結晶の粗大化を抑制するに際して、装置内の温度の上昇を抑制することにより温度雰囲気を安定的に制御し、さらに二酸化炭素による汚染を阻止して、安定した品質の多元系無機化合物粉末（前駆体粉末）を提供することができる粉末作製方法を提供する。 - 特許庁

A method comprises the steps of forming a gate oxide film and an amorphous silicon layer on a semiconductor substrate, changing an amorphous silicon layer into a first polysilicon layer with large grain by carrying out an SPG process, forming a nitride film on a first polysilicon layer, and forming a second polysilicon layer for floating gates by carrying out an element segregation process and a nitride film elimination process.例文帳に追加

半導体基板上にゲート酸化膜及び非晶質シリコン層を形成する段階と、ＳＰＧ工程を行って非晶質シリコン層をグレインの大きい第１ポリシリコン層にする段階と、第１ポリシリコン層上に窒化膜を形成する段階と、素子隔離工程及び窒化膜除去工程を行い、フローティングゲート用第２ポリシリコン層を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh.例文帳に追加

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。 - 特許庁

A manufacturing method of an electrode for an electrochemical element comprises: a thickness adjustment step of adjusting an aluminum porous body having a communicating pore to a prescribed thickness by compressing the body; a filling step of filling the thickness-adjusted aluminum porous body with an active material; and a cutting step of cutting the aluminum porous body to a prescribed length dimension before the filling step.例文帳に追加

連通気孔を有するアルミニウム多孔体を圧縮して所定の厚さに調整する調厚工程と、調厚された前記アルミニウム多孔体に活物質を充填する充填工程と、充填工程の前に、アルミニウム多孔体を所定の長さ寸法に切断する切断工程とを備えていることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

An organic compound such as dimethylzinc and a gas element compound such as oxygen are used for starting materials, which are dissociated and ionized by non-resonant multiple photon absorption not through an intermediate level by emission of an excimer laser 21, and impurities are separated from the ionized elements by the mass separation method using an electromagnetic field 55 to deposit only the prescribed ionized elements onto a target 61.例文帳に追加

ジメチル亜鉛などの有機化合物及び酸素などの気体元素化合物を出発原料として、エキシマレーザー２１照射により中間準位を経ない非共鳴の多光子吸収により解離及びイオン化し、イオン化された元素を電磁場５５による質量分離法により不純物を分離して所定のイオン化元素のみをターゲット６１上に堆積させる。 - 特許庁

This method for preparation of the zeolite with MTW-type structure includes at least (i) a process for mixing at least one supply source of at least one tetravalent element with at least one nitrogen-containing organic species having the formula expressed herein; and (ii) a process for hydrothermally treating the above mixture until the zeolite with MTW-type structure is formed.例文帳に追加

ＭＴＷ構造型を有するゼオライトの調製方法であって、i）水性媒体中、少なくとも１種の四価元素の少なくとも１種の供給源および下記式を有する少なくとも１種の窒素含有有機種を混合する工程と、ii）前記ＭＴＷ構造型を有するゼオライトが形成されるまで前記混合物を水熱処理する工程とを少なくとも包含する。 - 特許庁

To provide a method for forming a titanium oxide film capable of using a low heat-resistant material for a transparent conductive film and a substrate by excluding a high temperature treatment, reducing cost thereby, realizing a flexible solar cell having flexibility and suppressing lowering of its activity, an apparatus for its forming, and a photoelectric conversion element equipped with such a titanium oxide film.例文帳に追加

高温処理を省くことで、透明導電膜や基板に耐熱性の低い材料の使用を可能とし、これにより、低コスト化が可能で、しかも、柔軟性を有するフレキシブルな太陽電池が実現可能でかつ活性低下を抑制し得る、酸化チタン膜を形成する方法および形成するための装置ならびにこのような酸化チタン膜を備えた光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent electrode endowed with high conductivity and transparency as well as superb smoothness even after environmental test under high-temperature and high-humidity environments, and excellent in stability (all-light transmittance, surface resistance, and surface roughness (Ra, Ry)), a method for manufacturing the transparent electrode, and an organic electroluminescent element excellent in emission uniformity using the transparent electrode.例文帳に追加

本発明の目的は、高温、高湿度環境下における環境試験後でも高い導電性と透明性を有しかつ良好な平滑性を併せ持ち安定性（全光線透過率、表面抵抗、表面粗さ（Ｒａ、Ｒｙ））に優れた透明電極、該透明電極の製造方法、および該透明電極を用いた発光均一性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。 - 特許庁

At least an Al containing semiconductor layer is laminated on a semiconductor substrate, and the Al containing layer is partially removed, and a sacrificial layer is embedded in the removed area, and a semiconductor joint layer is laminated on the Al including layer and the sacrificial layer, and the sacrificial layer is selectively removed, and the Al including layer is selectively oxidized in this method for manufacturing this semiconductor element.例文帳に追加

その製造方法は、半導体基板上に、少なくともＡｌ含有半導体層を積層し、該Ａｌ含有層を部分的に除去し、該除去された領域に犠牲層を埋め込み、前記Ａｌ含有層および犠牲層上に半導体接合層を積層し、前記犠牲層を選択的に除去した後、前記Ａｌ含有層を選択的に酸化する工程を含む - 特許庁

This method for increasing the production of secondary metabolite in plants comprises performing for plant bodies which have passed a seedling growing period, control of at least one kind of element selected from photosynthesis light quantum flux density, carbon dioxide concentration, light wave length, light period, temperature, humidity and nutrient quantity as elements influencing growth of Saint-John's-wort and Glycyrrhiza family plant.例文帳に追加

植物における二次代謝物の産生を増大せしめる方法であって、植物が、セイヨウオトギリソウ、Glycyrrhiza属である植物の生育に影響する要素である光合成光子量密度、二酸化炭素の濃度、光の波長、明期、温度、湿度および栄養分の量からの少なくとも１種の要素の制御を、成苗期を経過した植物体に対して行うことを含む、前記方法。 - 特許庁

A mold release agent 1 used in this method comprises a mold release powder containing 3A group element oxide powder at 5 wt.% or more but 60 wt.% or less, a binder containing a polyvinyl system resin such as a polyvinylbutyral at 1 wt.% or more but 40 wt.% or less and a solvent at 30 wt.% or more but 94 wt.% or less.例文帳に追加

この製造方法で用いられる離型剤１は、５重量％以上で６０重量％以下の３Ａ族元素の酸化物の粉末よりなる離型粉末と、１重量％以上で４０重量％以下のポリビニルブチラール等のポリビニル系樹脂よりなるバインダーと、３０重量％以上で９４重量％以下の溶剤と、を含有してなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive electrode film of a transparent electrode of a transparent organic electroluminescent element formed by laminating a transparent electrode supported on a transparent substrate, an organic thin film containing organic light emitting film, an electron injective protection film, and a transparent electrode in the above sequence, wherein reduction of wiring resistance and high transmissivity of visible light are realized.例文帳に追加

透明基板に支持された透明電極、有機発光膜を含む有機薄膜と、電子注入性保護膜、透明電極とその順で成膜を行う透明有機電界発光素子の透明電極の透明導電膜の形成方法において、配線抵抗の低抵抗化、高い可視光透過性を実現する透明電極成膜技術の確立が重要な課題となる。 - 特許庁

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a step of forming an adhesion layer 56 composed of zirconium on an insulator film 55 composed of zirconium oxide; a step of forming a first electrode 60 on the adhesion layer 56; a step of forming a piezoelectric layer 70 composed of complex oxide containing bismuth on the first electrode 60; and a step of forming a second electrode 80 on the piezoelectric layer 70.例文帳に追加

酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５上にジルコニウムからなる密着層５６を形成する工程と、密着層５６上に第１電極６０を形成する工程と、第１電極６０上にビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層７０を形成する工程と、圧電体層７０上に第２電極８０を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁