「element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(715ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing a carbon film comprises depositing or applying boron and/or a rare earth element or their compound on or to at least one side of an aromatic polyamide film, piling the film on or to at least the deposited or applied surface, laminating the plural films and baking the films in an inert atmosphere while pressurizing the film surface in the vertical direction under heat.例文帳に追加

芳香族ポリアミドフィルムの少なくとも片面に、ホウ素および／または希土類元素あるいはそれらの化合物を蒸着あるいは塗布し、少なくとも蒸着あるいは塗布面に該フィルムを重ね合わせ複数枚を積層させた後、不活性雰囲気中でフィルム膜面に垂直方向に加圧加熱しながら焼成することを特徴とする炭素フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a transparent electrode endowed with high conductivity and transparency as well as superb smoothness even after environmental test under high-temperature and high-humidity environments, and excellent in stability (all light transmittance, surface resistance, and surface roughness (Ra, Ry)), a method for manufacturing the transparent electrode, and an organic electroluminescent element excellent in emission uniformity using the transparent electrode.例文帳に追加

本発明の目的は、高温、高湿度環境下における環境試験後でも高い導電性と透明性を有しかつ良好な平滑性を併せ持ち、安定性（全光線透過率、表面抵抗、表面粗さ（Ｒａ、Ｒｙ））の優れた透明電極、該透明電極の製造方法、及び該透明電極を用いた発光均一性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a composite thin film, wherein chemical stability is obtained in any semiconductor device, diffusion or the like is not generated to any element constituting various kinds of thin films arranged vertically in a laminated structure, and application to a protective film or a charge preventing film of semiconductor is possible, and a manufacturing method of a semiconductor device using the composite thin film.例文帳に追加

本発明は、何れの半導体装置においても化学的に安定で、その積層構造において上下に配設される種々の薄膜を構成する何れの元素に対しても拡散等が起きることがない、半導体の保護膜又は帯電防止膜として用い得る複合薄膜を含む半導体装置及び、該複合薄膜を利用する、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting element comprises a first process of preparing a substrate on the surface of which, a first conductive film and a second conductive film are arranged with a certain distance, a second process applying an termination treatment to the first conductive film and the second conductive film by hydrogen through carbon, and a third process removing hydrogen terminating the second conductive film.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法であって、第１導電膜と第２導電膜とが、その表面上に間隔を置いて配置された基板を用意する第１工程と、前記第１導電膜および第２導電膜に、炭素を介した水素による終端処理を行う第２工程と、前記第２の導電膜を終端する水素を除く第３工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The invention relates to the polymerized liquid crystal (LC) film which contains a photosensitive compound and has a low optical retardation, and the method and material for manufacturing such a film, and its uses as an alignment film or an optical retardation film in a liquid crystal display or as other optical or electrooptical element or device, or for decorative or security applications.例文帳に追加

本発明は、感光性化合物を含み、低い光学的遅延を有する重合した液晶（ＬＣ）フィルム、このようなフィルムを製造するための材料および方法、並びに液晶ディスプレイにおける配向膜もしくは光学的遅延フィルムまたは他の光学的もしくは電気光学的素子もしくはデバイスとしての、あるいは装飾もしくはセキュリティー用途のためのこの使用に関する。 - 特許庁

To permit correction so as to quickly and accurately remove an offset component of an image signal in a method and device for detecting radiographic information which record image information for every picture element in response to the irradiation with radiation carrying the image information and detect the radiographic information from a radiation solid detector which outputs an image signal showing the recorded image information.例文帳に追加

画像情報を担持する放射線の照射を受けて前記画像情報を画素毎に記録し、記録した前記画像情報を表す画像信号を出力する放射線固体検出器から放射線画像情報を検出する放射線画像情報検出方法および装置において、高速かつ正確に画像信号中のオフセット成分を除去するように補正できるようにする。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

The method of manufacturing the R-Fe-B-based rare earth sintered magnet includes a slurry preparing process of preparing slurry by mixing magnetic powder containing a rare earth element with higher alcohol, a molding process of forming a molding by subjecting the slurry to wet molding in a magnetic field, and a baking process of manufacturing the rare earth sintered magnet by baking the molding.例文帳に追加

本発明は、希土類元素を含む磁性粉末と高級アルコールとを混合してスラリーを調製するスラリー調製工程と、スラリーを磁場中で湿式成形して成形体を作製する成形工程と、成形体を焼成して希土類焼結磁石を作製する焼成工程と、を有するＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法である。 - 特許庁

To provide an additional information imparting method for a medium, an additional information imparting device, and a medium in which additional information is expressed utilizing a phenomenon in which magnetostriction vibration of each magnetostriction element in an alternate magnetic field is interfered by mutual operation through a medium and a resonance frequency property is varied by forming a plurality of magnetostriction elements on a medium such as a paper.例文帳に追加

この発明は、磁歪素子を紙等の媒体上に複数形成することで、交番磁界中の各磁歪素子の磁歪振動が媒体を介しての相互作用により干渉し、共振周波数特性が変化する現象を利用して付加情報を表現するようにした媒体への付加情報付与方法および付加情報付与装置および媒体を提供する。 - 特許庁

A method and device for reducing the standby power requirement lower the voltage in waiting mode for a load and secure minimum voltage required for the above computer, by connecting another resistor in parallel with one of divided resistors for voltage detection connected in parallel with a smoothing capacitor, by the signal from a microcomputer, thereby changing the current of a current control element.例文帳に追加

マイクロコンピュータからの信号により、平滑コンデンサーに並列接続された電圧検出用分割抵抗の一つに他の抵抗を並列接続させることで、電流制御素子の電流を変えて、負荷に対する待機モードにおける電圧を低下させるとともに、前記マイクロコンピュータに必要な最低限の電圧を確保する待機電力低減方法および装置に関する。 - 特許庁

The method for manufacturing the capacitor, which is equipped with the capacitor element 1 having the internal electrode 11 formed in it and the externally connecting electrode electrically connected to the internal electrode 11, includes a laser beam radiation process for radiating a laser beam on a surface of the internal electrode 11 and an electrode connecting process for connecting the internal electrode 11 and the externally connecting electrode.例文帳に追加

内部電極１１が形成されたコンデンサ素子１と、内部電極１１に導通接続された外部接続用電極と、を備えたコンデンサを製造する方法において、内部電極１１の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、内部電極１１と外部接続用電極との間を接続する電極接続工程と、を含めた。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar battery element having a diffusion layer 2 and an anti-reflection layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 removes a damage layer 11 by performing chemical treatment after forming on the semiconductor layer 1 the damage layer 11 penetrating the anti-reflection layer 3 by performing physical processing above the anti-reflection film 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、拡散層２と反射防止膜３を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜３上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板１に前記反射防止膜３を貫通したダメージ層１１を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層１１を除去することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a connection hole 10a in an insulating film 10; forming a conductive plug 12a in the connection hole 10a; forming the barrier film 20 having a change in a thickness direction in its composition on the plug 12a; and forming the ferroelectric element having a ferroelectric film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０に接続孔１０ａを形成する工程と、接続孔１０ａの中に導電性のプラグ１２ａを形成する工程と、プラグ１２ａ上に、組成に厚さ方向の変化を有するバリア膜２０を形成する工程と、強誘電体膜を有する強誘電体素子を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The method for producing an oxygen-containing halogenated fluoride uses a gas-liquid reaction which is characterized by reacting a mixed gas containing a halogen fluoride and fluorine and a H_2O source, and is represented by the general formula: XO_mF (wherein X is a halogen element constituting the halogen fluoride (Cl, Br or I) and m is 3 or 4).例文帳に追加

含酸素ハロゲン化フッ化物の製造において気液反応を用いる製造方法であり、フッ化ハロゲンとフッ素とを含有する混合ガスと、Ｈ_２Ｏ源を反応させることを特徴とする、一般式：ＸＯ_ｍＦ（但し、Ｘは前記フッ化ハロゲンを構成するハロゲン元素（Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩ）を、ｍは３または４をそれぞれ表す。）で表される含酸素ハロゲン化フッ化物の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a piezoelectric thin-film element having a PZT thin film formed on a substrate has a first process of forming a metal film on the substrate, a second process of sputtering a PZT precursor film on the metal film in an atmosphere containing no oxygen, and a process of applying heating processing to the precursor film to form a PZT crystal.例文帳に追加

基板上にＰＺＴ薄膜を形成した圧電体薄膜素子の製造方法であって、基板上に金属膜を形成する第１の工程と、前記金属膜上にＰＺＴの前駆体膜を酸素を含有しない雰囲気でスパッタリングする第２の工程と、前記前駆体膜を熱処理してＰＺＴの結晶体を形成する工程と、を備えてなる。 - 特許庁

In this manufacturing method, the conductive particulates which contain conductive material and 0.001 to 1 wt.% of boron element and in which the weight average particle diameter is 0.1 μm or less, conductive material powders containing at least one of oxide of indium, tin, and zinc, and boric acid are mixed, and heat-treated in the inert gas.例文帳に追加

導電性材料と、ホウ素元素０．００１〜１質量％とを含有し、且つ、重量平均粒径が０．１μｍ以下であることを特徴とする導電性微粒子及びインジウム、錫及び亜鉛の少なくとも一種の酸化物を含有する導電性材料粉末と、ホウ酸とを混合し、不活性ガス下で加熱処理する導電性微粒子の製造方法である。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magneto-optical recording medium formed by stacking a plurality of magnetic layers, at least two of magnetic layers are manufactured by sputtering the same target means in the same vacuum tank under a different condition at a sputtering process depending on the respective element composition ratio and/or magnetic characteristics.例文帳に追加

複数の磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリングすることにより造り分けることが可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for manufacturing a liquid crystal display element which can remove a removal material part easily, and enhance productive efficiency by readily removing the removal material part, before dividing substrates into rectangles while a pair of the substrates is stuck together at removal of the removal material part in the liquid crystal display device, using a plastic plate which consists of a thermoplastic resin.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなるプラスチック基板を用いた液晶表示素子においても、除材部の除去を容易に行うことができ、かつ、除去の際に、一対の基板を貼り合わせた状態で、短冊分断する前に除材部を容易に除去して生産効率の向上を図り得る液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子の製造装置を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the magnesium alloy material includes the steps of: preparing a material to be worked of the magnesium alloy, which contains at least aluminum and zinc as an additive element; subjecting the material to be worked to temperature-lowering multispindle-forging treatment; and rolling the material to be worked which has been subjected to temperature-lowering multispindle-forging treatment, with a rolling reduction of 20% at the maximum.例文帳に追加

マグネシウム合金材料を製造する方法であって、少なくともアルミニウムと亜鉛とを添加元素として含む、マグネシウム合金の被加工材料を準備するステップと、前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップと、前記降温多軸鍛造処理された被加工材料を、最大２０％の圧下率で圧延処理するステップと、を有することを特徴とする方法。 - 特許庁

To prevent weld cracks such as ductility degradation cracks and weld metal solidification cracks caused by the deviation of an amount of addition from an adequate range by the change of the La amount for each layer by the mixture of a material forming a substrate with a filler metal when performing a multi-layer welding method for preventing any weld crack by adding a rare earth element such as La to the filler metal.例文帳に追加

Ｌａのような希土類元素を溶加材に添加して溶接割れを防止するようにした溶接方法において、多層溶接を行う場合下地となる材料と溶加材とが混合して各層毎にＬａ量が変化して、添加量の適正範囲から外れてしまい、延性低下割れや凝固割れなどの溶接割れを引き起し、これを防ぐことが望まれている。 - 特許庁

The sealing substrate 13 is formed by a substrate having transparency, in the inner face of the sealing substrate 13, a black matrix 15 is formed according to necessity and a color filter layer 14 is formed, and the color display panel of the top emission method in which light emission from an organic EL element passes through the color filter layer 14 and is taken out from the sealing substrate 13 side is constituted.例文帳に追加

封止基板１３は透明性を有する基板によって形成され、封止基板１３の内面には、ブラックマトリクス１５が必要に応じて形成されると共に色フィルタ層１４が形成されており、有機ＥＬ素子からの発光が色フィルタ層１４を通過して封止基板１３側から取り出されるトップエミッション方式のカラー表示パネルを形成している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cured film, a light diffusing film, a heat conductive film, an electroconductive film or a cured film capable of being applied as a polarizing element which is a cured film having anisotropy in physical properties with respect to light, heat, electricity and the like, by forming a film alone utilizing characteristics of the cured film or forming the cured film on a substrate.例文帳に追加

光、熱、電気等に対する物性が異方性を有する硬化膜であって、その特性を利用して膜単独で、あるいは基体上に硬化膜を形成して、光拡散フィルム、光拡散膜、熱伝導性膜、熱伝導性フィルム、電気伝導性膜、電気伝導性フィルムあるいは偏光素子としての応用が可能な硬化膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIT type switching element, by which a gate electrode, which has a sufficiently small gate hole, in which the gate hole is formed uniformly and which has superior durability, can be obtained easily and which displays superior switching characteristics, when a gate electrode for an SIT using an organic semiconductor, capable of being manufactured at a low temperature as an active layer is manufactured.例文帳に追加

本発明は、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いたＳＩＴのゲート電極を作製するにあたり、ゲート孔が十分小さくかつゲート孔を均一に形成し耐久性に優れたゲート電極を容易に得ることができ、良好なスイッチング特性を示すＳＩＴ型のスイッチング素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This inspection method for the semiconductor integrated circuit includes a burn-in pattern generating process for generating a burn-in test pattern for performing a burn-in test for the integrated circuit, and the generating process is characterized by including an equalization process for generating an equalization burn-in test pattern equalizing the number of times of toggling on each element level of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路の検査方法は、前記半導体集積回路のバーインテストを行うためのバーンインテストパターンを生成するバーンインパターン生成工程を含み、該バーンインパターン生成工程は、前記半導体集積回路の各素子レベルでのトグル回数を平準化する平準化バーンインテストパターンを生成する平準化工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method for the laminated ceramic electronic component has a burning process for burning an element main body having dielectric layers and internal electrode layers containing base metal arrayed by turns; and the burning process has a temperature raising process for raising the temperature up to burning temperature and hydrogen is introduced from halfway in the temperature raising process.例文帳に追加

誘電体層と、卑金属を含む内部電極層とが交互に複数配置された焼成前素子本体を焼成する焼成工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記焼成工程が、焼成温度まで昇温させる昇温工程を有し、前記昇温工程の途中から水素を導入することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it for realizing miniaturization at the time of mounting a semiconductor element (chip) on a package, for increasing the degree of freedom of wiring, for making it unnecessary to form any via hole for carrying out electric conduction with the chip, for easily realizing the three-dimensional arrangement configuration and interconnection of the chip as necessary, and for contributing to high functioning.例文帳に追加

パッケージに半導体素子（チップ）を実装するに際し小型化を図ると共に、配線の自由度を高め、チップとの電気的導通をとるためのビアホールの形成を不要とし、必要に応じてチップの３次元的な配置構成及び相互間の接続を簡便に行えるようにし、高機能化に寄与することができる「半導体装置及びその製造方法」を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加

磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where an MOS transistor having a gate insulating film 15b and a capacitance element 17 having a capacitance insulating film 15a are formed on a semiconductor substrate 11, an isolation region 12 is formed on the semiconductor substrate 11 and then a lower electrode 13 of silicon having impurity concentration of about 1×10^19 cm^-3 or above is formed on the isolation region 12.例文帳に追加

半導体基板１１に、ゲート絶縁膜１５ｂを有するＭＯＳトランジスタと、容量絶縁膜１５ａを有する容量素子１７とを形成する半導体装置の製造方法は、半導体基板１１に素子分離領域１２を形成した後、素子分離領域１２上に、不純物濃度が約１×１０^19ｃｍ^-3以上のシリコンからなる下部電極１３を形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a spacer to be arranged between a first board provided with an image forming member and a second board provided with an electron emitting element, a glass base material 501 is prepared, and a part of the glass base material 501 is drawn while being heated by a heater 502, and the drawn glass base material 501 is cut at the predetermined length by a cutting means 504.例文帳に追加

画像形成部材が配置された第一の基板と、電子放出素子が配置された第二の基板との間に配置されるスペーサの製造方法であって、ガラス母材５０１を用意し、そのガラス母材５０１の一部を、ヒータ５０２により加熱しながら引き伸ばし、その引き伸ばしたガラス母材５０１を、切断手段５０４により所望の長さに切断する。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁

The preparation method of polytetramethylene ether glycols comprises copolymerising tetrahydrofuran and a tetrahydrofuran derivative in the presence of a solid catalyst of an oxide, which contains an element belonging to the 3-14 groups in the periodic table, and a carboxylic acid or a carboxylic acid anhydride to give a cyclic ether copolymer and further transforming an ester part of the above cyclic ether copolymer to an alcohol by decomposing through hydrolysis or alcoholyois.例文帳に追加

周期律表第3〜14族の元素を含む酸化物から成る固体触媒及びカルボン酸又はカルボン酸無水物の存在下に、テトラヒドロフランとテトラヒドロフラン誘導体とを共重合させて、環状エーテル共重合体を製造し、さらには該環状エーテル共重合体のエステル部分を加水分解または加アルコール分解してアルコールに変換してポリテトラメチレンエーテルグリコール類を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a water borne dispersing element for chemical mechanical polishing that prevents scratches even on an object to be polished having an insulation film of small mechanical strength, can polish with high efficiency both a copper film and a barrier metal film, and can sufficiently flatten an insulation film without excessively polishing the film to provide a highly precise finished surface, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

機械的強度が小さい絶縁膜を有する被研磨物に対してもスクラッチが抑制され、銅膜とバリアメタル膜の両方を高い効率で研磨することができ、絶縁膜が過度に研磨されず、十分に平坦化されて精度の高い仕上げ面が得られる化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method for the multi-layered liquid crystal optical element which includes a cell substrate manufacturing step in which a plurality of transparent substrates are stacked and arranged by being aligned by using alignment marks formed on the respective transparent substrates, the alignment being carried out in the cell substrate forming step by using a multifocal optical system.例文帳に追加

数枚の透明性基板を、各透明性基板に形成されたアライメントマークを用いて、各透明性基板のアライメント合わせにより、複数枚の透明性基板を積層配置するセル基板作製工程を有する多層液晶光学素子の製造方法において、セル基板形成工程におけるアライメント合わせを、多重焦点光学系を用いて行う製造方法を採用した。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for changing the refractive index of a Bragg fiber grating includes a step of exposing an element made of germanium silicate glass to a laser radiation; and the laser radiation is selected from a group of a radiation that an argon laser emits, a third higher harmonic of a radiation of a neodymium laser, a radiation of a nitrogen laser, a radiation of a Krypton laser, and a helium laser and has a wavelength from 333 to 364 nm.例文帳に追加

ブラッグファイバー格子の屈折率変更方法は、ケイ酸ゲルマニウムガラスから形成した素子をレーザー放射にさらす工程を含み、当該レーザー放射を、アルゴンレーザーが発する放射、ネオジムレーザーの放射の第３高調波、窒素レーザーの放射、クリプトンレーザーの放射、及びヘリウム−カドミウムレーザーの放射からなる群より選び、当該放射の波長を３３３〜３６４ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

To provide electronic parts with a high reliability which prevent plating liquid from passing through an external electrode and from penetrating into a ceramic element and prevent humidity in an outside environment from inwardly penetrating, and which don't produce any solder sticking failure and any solder splitting failure resulting from the fact that a glass component deposits on a front surface of the external electrode, and to provide a method of manufacturing the electronic parts.例文帳に追加

めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したり、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止するとともに、ガラス成分が外部電極の表面に析出して、はんだ付き性不良やはんだ爆ぜ不良を生じたりすることがなく、信頼性の高い電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the image forming method where development processing is applied to an imagewise exposed silver halide photographic sensitive material, visualized color element image information is read through an image input medium, converted into an electric signal, and digital image data subjected to prescribed image processing are outputted to a storage medium, the gradation of the digital image data is revised depending on the number of output gradation of the digital image data.例文帳に追加

像様露光したハロゲン化銀写真感光材料を現像処理し、顕在化した色素画像情報を画像入力媒体を介して読み取り電気的な信号に変換した後、所定の画像処理を施したデジタル画像データを記憶媒体に出力する画像形成方法において、該デジタル画像データの出力階調数に応じて該デジタル画像データの階調を変更する。 - 特許庁

In the manufacturing method for a gas sensor element that is the laminate of solid electrolyte sheets 112 and 132 becoming solid electrolytes 112 and 132 after baking and the substrate sheet 123 becoming a substrate 123 after baking, in the sheet manufacturing process, 1-20 mass% of organic matter with a melting point of 40-80°C is added to the substrate sheet 123 based on insulating ceramic.例文帳に追加

焼成後に固体電解質体１１２，１３２となる固体電解質シート１１２，１３２と、焼成後に基体１２３と成る基体シート１２３とを積層するガスセンサ素子の製造方法において、シート作製工程で、絶縁性セラミックを主成分とする基体シート１２３に、４０℃以上８０℃以下の融点をもつ有機物を１質量％以上２０質量％以下含有させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a piezoelectric element 300, a first electrode 132, a piezoelectric substance layer 135, a second electrode 136, and an insulating layer 138 are formed in this order above a first substrate 110, and the insulating layer 138 is etched so that at least a portion of the second electrode 136 is exposed and the insulating layer 138 has a projection 138x projected above relative to the second electrode 136.例文帳に追加

圧電素子３００の製造方法は、第１基板１１０の上方に第１電極１３２、圧電体層１３５、第２電極１３６および絶縁層１３８をこの順で形成し、第２電極１３６の少なくとも一部が露出し、かつ、絶縁層１３８が第２電極１３６に対し上方に突出する突出部１３８ｘを有するように、絶縁層１３８をエッチングする。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁