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element methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 36054件
The method includes: a step of preparing a liquid jet recording head with an electric wiring member with a connection opening that communicates a region surrounded by the recording element substrate, a support part and a plurality of electrode leads with air; a step of applying the sealing material to a surface of the plurality of electrode leads; and a step of suctioning air in the region from the communication opening and introducing the sealing material to the region.例文帳に追加
記録素子基板と支持部と複数の電極リードとに囲まれる領域と大気とを連通する連通口を備える電気配線部材を備える液体噴射記録ヘッドを用意する工程と、複数の前記電極リードの表面に封止材を塗布する工程と、前記連通口から前記領域の空気を吸引し、前記領域に前記封止材導入する吸引工程と、を備える。 - 特許庁
To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加
本発明はSIMOX基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常(例えば真空度の低下,異常放電等)により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。 - 特許庁
To appropriately correct variations in the mobility, in a transistor which drives a light-emitting element, even if the emission luminances differ, and effectively avoid shading due to the correction of the variations in the mobility, by applying the present invention to a display device or a display device driving method, for example, an active matrix-type display device having organic EL elements that use polysilicone TFTs.例文帳に追加
本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えばポリシリコンTFTを用いた有機EL素子によるアクティブマトリックス型のディスプレイ装置に適用して、発光輝度が種々に異なる場合でも、発光素子を駆動するトランジスタにおける移動度のばらつきを適切に補正するようにして、移動度のばらつき補正によるシェーディングの発生を有効に回避することができるようにする。 - 特許庁
The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加
炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁
This manufacturing method can produce a titania nano-array electrode comprising a nanotube-shaped titania with a high aspect ratio in such a way that a transparent conductive film is formed on the alloy containing a titanium metal or titanium material as a main element, and the anodic oxidation of the electrode with a transparent substrate attached to this transparent conductive film is performed in the electrolytic solution containing a halogen atom such as a perchloric acid aqueous solution.例文帳に追加
チタン金属もしくはチタンを主成分とする合金上に透明導電膜を形成し、さらに当該透明導電膜上に透明基板を貼り付けた電極を、過塩素酸水溶液のようなハロゲン原子を含有するイオンを含む電解質溶液中で、陽極酸化を行うことにより高アスペクト比のナノチューブ形状のチタニアから構成されるチタニアナノアレイ電極を製造することができる。 - 特許庁
To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加
第1発熱導体の周囲に絶縁層を介して第2発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第1発熱導体と第2発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加
半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極26を形成するステップと、前記下部電極上に第1誘電体としてSTO薄膜27を形成するステップと、前記STO薄膜上に前記STO薄膜をシード層にして第2誘電体としてBST薄膜28を形成するステップと、前記BST薄膜上に上部電極29を形成するステップとを含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method.例文帳に追加
薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたTi系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ti系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A semiconductor light-emitting element manufacturing method comprises a first step of forming a ground layer on a substrate at a first metalorganic chemical vapor deposition apparatus, and a second step of sequentially laminating a first n-type semiconductor layer, a second n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer on the ground layer at a second metalorganic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加
第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に下地層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記下地層上に第一n型半導体層、第二n型半導体層、発光層およびp型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 - 特許庁
The titled method comprises steps of providing a sensor element 30 having at least one outlet 36 for a fluid 52, the outlet 26 being positioned in the region of a standard position of the surface section 32, letting the fluid 52 flow from the outlet 36 and determining a proper parameter for a quantity of the fluid 52 flowing from the outlet 36.例文帳に追加
この方法は、i) 流体(52)用の少なくとも1つの流出口(36)を有するセンサ素子(30)を設け、前記流出口(36)を前記表面部分(32)の基準位置領域に配置する工程と、ii) 前記流体(52)を前記流出口(36)から流出させる工程と、iii) 前記流出口(36)から流出する前記流体(52)の量に固有のパラメータを決定する工程とを含む。 - 特許庁
In this method, energy to be applied to the resin and a time from the application of the energy to the press molding of the resin are determined to adjust the viscosity of the resin in press molding so that the resin can keep its shape when handled and be press-molded at a pressure preventing the occurrence of an optical strain in the optical element at room temperature.例文帳に追加
本発明による複合型光学素子を製造する方法において、プレス成形する際のエネルギー硬化樹脂の粘度が、取り扱いの際に形状を維持することができ、かつ、常温において複合型光学素子に光学ひずみを生じさせない圧力で、プレス成形することができる値となるように、エネルギー硬化樹脂に与えるエネルギーおよびエネルギーを与えてからプレス成形するまでの時間を定める。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a prism assembly which can easily be manufactured by making two glass plates outside an effective area which are adhered to both end parts among optical glass plates, constituting a polarized light converting element, thicker than other optical glass plates in the effective area, the prism assembly, and a liquid crystal projector device in which the prism assembly is built.例文帳に追加
本発明は、偏光変換素子を構成する複数枚の光学ガラス板のうち、両端部に接着される有効領域外の2枚のガラス板を、有効領域内の他の光学ガラス板よりも厚いガラス板とすることにより、簡単に製造することができるプリズムアセンブリの製造方法及びプリズムアセンブリ並びにプリズムアセンブリを組み込んだ液晶プロジェクタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The solvent or solvent composition for pattern printing of an organic electroluminescence device is a solvent composition which is used when an element pattern constituting the organic electroluminescence device is formed by a printing method, and contains a compound in which one of two terminal alkyl groups of a dipropylene glycol dialkyl ether is a methyl group and the other is a 4 or 5C straight chain or branched chain alkyl group.例文帳に追加
本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスのパターン印刷用溶剤又は溶剤組成物は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスを構成する素子パターンを印刷法により形成する際に使用する溶剤組成物であって、プロピレングリコールジアルキルエーテルの2つの末端アルキル基の一方がメチル基であり、もう一方が炭素数4又は炭素数5の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基である化合物を含むことを特徴とする。 - 特許庁
In the method for manufacturing the optical element having at least a stage for fixing the stimulus responsive polymeric gels onto the substrate and a stage for filling the space between the substrates with the liquid absorbable in the stimulus responsive polymeric gels, the stimulus responsive polymeric gels are fixed onto the substrate with a swelling quantity smaller than the swelling quantity during light developing or light scattering.例文帳に追加
また、少なくとも、基板上に、刺激応答性高分子ゲルを固定化する工程と、該刺激応答性高分子ゲル中に吸収可能な液体を基板間に充填する工程とを有する光学素子の製造方法において、該刺激応答性高分子ゲルを発色時あるいは光散乱時の膨潤量よりも小さい膨潤量で前記基板上に固定化することを特徴とする光学素子の製造方法である。 - 特許庁
The manufacturing method of a laminated capacitor where an electrode foil consisting of an anode foil and a cathode foil and a separator are laminated includes a step for laminating the separator at least on one side of the electrode foil and forming a laminate by pressing the electrode foil and the separator and then fixing the electrode foil and separator, and a step for forming a capacitor element by laminating the laminates.例文帳に追加
陽極箔と陰極箔とからなる電極箔と、セパレータとを積層する積層型のコンデンサの製造方法において、前記電極箔の少なくとも片面に前記セパレータを積層し、前記電極箔と前記セパレータとを押圧して前記電極箔と前記セパレータを固定して積層体を形成する処理と、前記積層体を積層してコンデンサ素子を形成する処理とを含むことを特徴としている。 - 特許庁
The method for producing an alkylated aromatic compound is one for producing the alkylated aromatic compound by reacting a starting material containing an aromatic compound, a ketone, and hydrogen in the presence of a catalyst, wherein the catalyst is formed from a solid acid component and a metallic component containing at least one metallic element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, and rhenium, and the raw material contains water.例文帳に追加
触媒の存在下で、芳香族化合物とケトンと水素とを含む原料を反応させてアルキル化芳香族化合物を製造する方法であって、前記触媒が、固体酸成分と、銅、ニッケル、コバルトおよびレニウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属元素を含む金属成分とから形成され、前記原料中に水が含まれることを特徴とするアルキル化芳香族化合物の製造方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing steam to obtain a crystalline semiconductor film 104b.例文帳に追加
本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、(a)基板101の上に非晶質半導体膜104を形成する工程と、(b)非晶質半導体膜104に結晶化を促進する触媒元素106を付与する工程と、(c)水蒸気を含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜104を結晶化し、結晶質半導体膜104bを得る工程とを包含する。 - 特許庁
This electroluminescent element is composed of an anode, a cathode, a hole transfer layer of a hole transfer organic material formed between an anode layer and a cathode layer, and an electron transfer layer composed of a polymer compound in compliance with a designated condition and an electron transfer low-molecule and formed by a wet method by using a solvent in compliance with a designated condition.例文帳に追加
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、前記陽極層と前記陰極層との間に形成された正孔輸送性有機物からなる正孔輸送層と、所定の条件を満たす高分子化合物と電子輸送性低分子とからなり、前記正孔輸送層と前記陰極層との間に所定の条件を満たす溶媒を用いて湿式法により形成された電子輸送層とからなる。 - 特許庁
To provide an optical element array obtained by molding a plurality of units each consisting of a pair of lenses arranged at right angles and a prism or mirror corresponding to the lenses in a body and capable of giving high grade and high definition images without generating ghost images because the travel of light to adjacent units is suppressed even when the array is miniaturized and to provide a method for producing the array.例文帳に追加
本発明の光学素子アレイ及びその製造方法は、直角に配置された一対のレンズとそれに対応するプリズムもしくはミラーにより構成されるユニットを複数一体に成形して得られる光学素子アレイにおいてその形状が微細化しても隣接ユニットへの光の進行を抑え、それに起因するゴースト画像の発生を生じることなく高品位、高精細な画像を得ることができる。 - 特許庁
In this production method for a piezoelectric element, when cooling and dicing a wafer 1, with which an electrode 3 composed of Al alloy is formed on a piezoelectric substrate 2 composed of piezoelectric materials, formed by using a halogen containing gas by cooling water, cooling water containing a compound for forming anticorrosion coating on the surface of the electrode composed of Al alloy by reacting with Al is used as cooling water.例文帳に追加
圧電材料よりなる圧電基板2上にAl合金よりなる電極3が形成されており、かつハロゲン元素含有ガスを用いて形成されているウェハー1を、冷却水により冷却しつつダイシングするにあたり、冷却水としてAlと反応してAl合金からなる電極表面に防食被膜を形成する化合物が含有されている冷却水を用いる、圧電素子の製造方法。 - 特許庁
A method which is executed by a similar document detection device includes the steps of: extracting entities of which an importance contributing element to be calculated, from plural web documents; calculating weight values for the respective entities based on the calculated importance contributing elements; and determining whether the plural web documents are similar to each other on the basis of the calculated weight values.例文帳に追加
類似文書検出装置で行われる方法であって、複数のウェブ文書それぞれからエンティティ(entity)及び重要度寄与要素を算出するエンティティを抽出し、算出された重要度寄与要素に基づいて各エンティティに対する加重値を計算し、算出された加重値に基づいて複数のウェブ文書が類似文書であるか否かを検出すること、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
This manufacturing method of the electroluminescent element has an organic EL layer composed of one layer or a plurality of organic functional layers, and has a process to form at least one organic functional layer by coating a solution containing an organic functional material on a substrate, and a process to swell the organic functional layer by a solvent soluble to the organic functional layer, and to heat for annealing treatment.例文帳に追加
一層又は複数の有機機能層からなる有機EL層を有するエレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、少なくとも一の有機機能層を、有機機能性材料を含む溶液を基板上に塗布することで形成する工程と、前記有機機能層に可溶な溶媒により該有機機能層を膨潤させるとともに加熱するアニール処理工程とを有する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.例文帳に追加
銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the oxide catalyst includes: the firing step of supplying a catalyst precursor to the firing vessel to fire the catalyst precursor at the temperature equal to or higher than the melting point of an oxide of a constituent metallic element of the oxide catalyst; and a low temperature treatment step of temporarily treating the catalyst precursor and/or the oxide catalyst at the temperature lower than the firing temperature during the firing step.例文帳に追加
触媒前駆体を焼成器に供給し、触媒構成元素の金属酸化物の融点以上の温度で焼成する工程を含む酸化物触媒の製造方法であって、 前記焼成工程中に前記触媒前駆体及び/又は前記酸化物触媒の温度を一時的に焼成温度よりも低い温度にする低温処理工程を含む、酸化物触媒の製造方法。 - 特許庁
The method for manufacturing a photovoltaic element having a wire electrode of metal wires coated with a conductive coating layer comprises a step of arranging the wire electrodes on a photovoltaic body and then removing the conductive coating layer partially or entirely, except for the joint of the wire electrode arranged on the photovoltaic body.例文帳に追加
導電性被覆層で被覆された金属ワイヤからなるワイヤ電極を有する光起電力素子の製造方法において、光起電力体上に前記ワイヤ電極を配設した後、前記光起電力体上に配設された前記ワイヤ電極の接着部以外の前記導電性被覆層の一部もしくは全てを除去する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method of a light olefin and/or a monocyclic aromatic compound comprises carrying out a catalytic cracking reaction by bringing a hydrocarbon raw material into contact with a catalyst in the presence of steam in a moving bed reactor, where pentasil zeolite having an Si/Al atomic ratio smaller than 50 and containing a rare earth element is used as the catalyst.例文帳に追加
移動床反応器を用いて、水蒸気の存在下、炭化水素原料を触媒に接触させて接触分解反応を行い、軽質オレフィン及び/又は単環芳香族化合物を製造する方法であって、該触媒として、Si/Al原子比が50より小さく、かつ希土類元素を含有するペンタシル型ゼオライトを用いることを特徴とする軽質オレフィン及び/又は単環芳香族化合物の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a plant carbide usable for practical usages such as a deodorant or a dehumidifying agent by introducing/ disposing a plant into a kiln to indirectly heat the plant like the burning in a casserole as well as usable for an interior decoration by carbonizing the plant while retaining the shape of the plant in itself to add an aesthetic element thereto.例文帳に追加
窯の中に植物を搬入・配置して、間接的にいわば蒸し焼きのように植物を加熱することによって炭化させ脱臭性や除湿性といった実用面のみならず、植物自体の形状を保持しながら炭化させることによって審美的な要素を付加して装飾的なインテリアとしても使用可能な植物炭化物の製造方法とそれを利用した脱臭剤を提供することである。 - 特許庁
This manufacturing method of a magnetoresistive effect element which has palladium- or manganese-based antiferromagnetic layers 24a and 24b adjacent to a soft magnetic layer 23 comprises a process in which the antiferromagnetic layers 24a and 24b are formed and a process in which antiferromagnetism of at least 30 oersted is given to the antiferromagnetic layers 24a and 25b by heat treatment.例文帳に追加
軟磁性層23と接してPd、Mnを主成分とする反強磁性層24a,24bが形成されている磁気抵抗効果素子の製造方法であって、反強磁性層24a,24bを形成する工程と、次いで、反強磁性層24a,24bを加熱処理することにより反強磁性層24a,24bに30エルステッド以上の反強磁性を付与する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an ultrasonic probe in which an organic piezoelectric element having no variation in composition, increasing physical properties, excellent in piezoelectric performance, and being highly sensitive can be easily manufactured and managed, manufacturing quality is stabilized, high yield, cheap price and easy manufacturing can be achieved by considering vapor deposition polymerization using an oligomer, regarding vapor deposition polymerization conventionally related to more than two kinds of monomers.例文帳に追加
本発明の目的は、従来2種以上のモノマーがかかわっていた蒸着重合について、オリゴマーを用いる蒸着重合を考慮することにより、組成の変動がなく、物性を高め、圧電性能に優れた、高感度の、有機圧電素子を製造管理がし易く製造品質が安定に、高収率、安価、容易に、製造できる超音波探触子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor element, in which an oxide film is formed on a semiconductor substrate including SiC, includes a step of oxide film formation of forming an oxide film including SiO_2 on the semiconductor substrate in a condition where the SiC is not oxidized; and a step of oxynitride film formation for forming an oxynitride film by oxynitriding SiC at an interface between the oxide film and the semiconductor substratre.例文帳に追加
SiCからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記SiCを酸化させない条件で、SiO_2からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のSiCを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。 - 特許庁
To execute accurate simulation by calculating an accurate delay time while appropriately reflecting the computation of the delay time with the effect of a gate delay saturation phenomenon due to the influence of wiring resistance when computing the delay time of a computing element gate unit in a logic cell of a semiconductor integrated circuit including an LSI or the like, regarding a method and apparatus for computing a delay time of a circuit.例文帳に追加
回路の遅延時間演算方法及び遅延時間演算装置に関し、LSI等を含む半導体集積回路の論理セルにおける演算素子ゲート部の遅延時間を演算するに際し、配線抵抗の影響によるゲート遅延の飽和現象の効果を適切に当該遅延時間の演算に反映させ、正確な遅延時間の算出により正確なシミュレーションを実行させることを目的とする。 - 特許庁
This invention creation support method includes: a first configuration determination step of determining first configuration consisting of the plurality of essential elements of the product; a second configuration determination step of determining second configuration having one element among the plurality of essential elements; and a third configuration determination step of determining third configuration in which the second components are combined with new elements which are not included in the plurality of essential elements.例文帳に追加
この発明創出支援方法は、製品の複数の必須要素から成る第1の構成を定める第1構成決定ステップと、この複数必須要素の一要素を有する第2の構成を定める第2構成決定ステップと、第2の構成要素と前記複数の必須要素に含まれていない新要素を組み合わせた第3の構成を定める第3構成決定ステップとで構成される。 - 特許庁
To provide a new optical isolator element which is formed by laminating at least one or more single panel-like polarizers and at least one or more single panel-like 45° Faraday rotators and which can be reduced in the size and cost of an optical isolator and is improved in mass productivity by providing a means for the purpose of having high reliability and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は、少なくとも1枚以上の単板状の偏光子と少なくとも1枚以上の単板状の45度ファラデー回転子とを積層してなる光アイソレータ素子において、高い信頼性を有することができるための手段を提供して、光アイソレータの小型化及び低価格化を図ることができ、量産性が向上する新規な光アイソレータ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
In a method for molding an optical glass element 1 having at least one face having a convex optical face with a small radius of curvature by press-molding a preform 10 for molding between a pair of molding dies, a preform 10 for molding whose radius of curvature at the smallest part of the preform is smaller than the radius of a sphere having a volume corresponding to the preform for molding is used.例文帳に追加
一対の成形用金型間で成形用プリフォーム10をプレス成形することによって、少なくとも一面が曲率半径の小さい凸光学面を有する光学ガラス素子1を成形する方法において、成形用プリフォームの最も小さい部分の曲率半径が、成形用プリフォームに相当する体積を有する球体の半径よりも小さい成形用プリフォーム10を用いる。 - 特許庁
To provide a method of cleaning a used jig, capable of efficiently removing only deposits while suppressing corrosion of the surface of a base material, applicable to cleaning of a jig made of a member such as ceramics and not using hydrofluoric acid extremely harmful to a human body and superior in cost benefit and safety in the jig to be used in a semiconductor element manufacturing process and is made of a quartz member.例文帳に追加
半導体素子製造工程で用いられる石英部材からなる治具において、基材表面の腐食を抑えつつ付着物のみを効率的に除去可能であり、且つセラミックス等の部材からなる治具の洗浄にも適用可能な、人体に非常に有害なフッ化水素酸そのものを使用しない、経済的且つ安全性に優れる、使用済み治具の洗浄方法を提供する。 - 特許庁
Before wire bonding is performed on the circuit element, the manufacturing method of the circuit device suitable for mass production in extreme resource saving can be realized by performing wire bonding after automatically determining the coordinate of the position of each conductive pattern 51 of each block indirectly.例文帳に追加
ブロック62毎の導電パターン51を形成する際に、導電箔60の上下周端に認識パターン100を形成し、回路素子へのワイヤーボンディングを行う前に認識パターン100を認識することで、間接的に各ブロック62の各導電パターン51の位置の座標を自動的に決めてから、ワイヤーボンディングを行うことで極めて省資源で大量生産に適した回路装置の製造方法を実現できる。 - 特許庁
The method comprises the step of loading a semiconductor substrate into the reaction chamber for performing deposition, the step of charging nitrogen atmosphere gas which contains a nitrogen element decomposable at low temperature into the reaction chamber to generate a nitrogen atmosphere in the reaction chamber, and the step of charging silicon source gas and oxygen source gas into the reaction chamber to deposit a silicon oxide layer on the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体基板を蒸着工程の行われる反応チャンバ内にローディングする段階、前記反応チャンバ内に低温で分解可能な窒素元素を含む窒素雰囲気ガスを投入して前記反応チャンバ内を窒素雰囲気に形成する段階及び前記反応チャンバ内にシリコンソースガス及び酸素ソースガスを投入して前記半導体基板上にシリコンオキシド層を蒸着する段階を含む。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes steps of: forming the conductive plug connecting with an element on a semiconductor substrate on an insulation film of the semiconductor substrate; forming an oxygen barrier layer comprising titanium aluminum nitride on the conductive plug; forming a seed layer comprising titanium on the oxygen barrier layer, and forming a lower electrode film of the ferroelectric capacitor on the seed layer.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜に、前記半導体基板上の素子に接続する導電性プラグを形成する工程と、前記導電性プラグ上に、チタンアルミナイトライドから成る酸素バリア層を形成する工程と、前記酸素バリア層上に、チタンから成るシード層を形成する工程と、前記シード層上に、強誘電体キャパシタの下部電極膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁
To provide a method for easily producing poly-o-methylphenols useful e.g. as a raw material for synthetic resins having high heat-resistance and good moldability such as liquid-crystalline polyester resin, polyarylate resin, polycarbonate resin and epoxy resin and a raw material for highly functional compounds such as liquid crystal display element and photoresist from easily available raw materials on an industrial scale in high purity and yield.例文帳に追加
高耐熱性かつ良成形性をもつ、液晶ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂等の合成樹脂原料、液晶表示素子、及びフォトレジスト等の高機能化合物原料等の用途に有用であるポリオルソ−メチルフェノール類を、容易に入手し得る原料を用いると共に、工業的に容易に、高純度かつ収率よく得ることのできる製造方法の提供。 - 特許庁
The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加
本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体10の上方に下部電極20を形成する工程と、下部電極20の上方に層状部311aを形成する第1工程、および、層状部311aを化学的機械研磨により薄くする第2工程の組を1または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
In the organic EL display panel wherein an organic electroluminescent element is formed on each pixel of a TFT substrate, at least one layer among organic layers constituting the organic EL elements is formed at a stripe shape by adjusting to a position of each pixel train by using a letterpress printing method, and a partition is not formed in the vicinity of each pixel on the TFT substrate.例文帳に追加
TFT基板の各画素上に有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される有機ELディスプレイパネルにおいて、前記有機EL素子を構成する有機層の内、少なくとも一層が凸版印刷法を用いて各画素列の位置に合わせてストライプ状に形成され、前記TFT基板は、各画素周辺に隔壁が形成されていないことを特徴とする有機ELディスプレイパネル及びその製造方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the liquid crystal display element includes steps for: forming electrode patterns on respective surfaces of a pair of substrates; forming alignment layers on the electrode patterns; subjecting the alignment layers to rubbing treatment; irradiating the alignment layers subjected to rubbing treatment with plasma; and interposing a liquid crystal between the pair of substrates on which the alignment layers irradiated with plasma are formed to form a liquid crystal cell.例文帳に追加
一対の基板の各々表面上に電極パターンを形成する工程と、電極パターンの上に配向膜を形成する工程と、配向膜をラビング処理する工程と、ラビング処理した配向膜にプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持して液晶セルを形成する工程とを含む液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: burying the insulating film in a groove formed in the semiconductor device; forming a coating film to cover the buried insulating film; and forming the element isolation region by leaving stress in the insulating film, the stress generating strain in a region of the semiconductor substrate at a periphery of the insulating film through a heat treatment after forming the coating film.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成した溝内に絶縁膜を埋め込む工程と、埋め込まれた前記絶縁膜上を覆うように被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を形成した後、熱処理により、前記半導体基板の前記絶縁膜周辺の領域に歪みを発生させる応力を前記絶縁膜に残留させ、素子分離領域を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
This method of thin layer analysis comprises: a process for performing oblique etching or oblique grinding for the analysis specimen having a thin-layer laminated structure to expose the measurement layer; a process for exciting characteristic X rays from the exposed measurement layer by electron beam irradiation; a process for detecting only the characteristic X rays from the measurement layer; and a process for determining the element composition from the detected X rays.例文帳に追加
本発明は、薄層の積層構造を有する分析試料に斜めエッチングまたは斜め研磨を行なって、測定層を露出させる工程;電子線照射によって、露出させた測定層から特性X線を励起させる工程;測定層からの特性X線のみを検出する工程;および検出した特性X線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which a light emitting diode or a semiconductor laser can emit a yellow light or a red light by using Ga1-xInxN as a light emitting material as well as lights having various wavelengths by using a nitride-based III-V compound semiconductor containing Ga1-xInxN as a light emitting material.例文帳に追加
Ga_1-x In_x Nを発光材料として用いた黄色や赤色で発光可能な発光ダイオードや半導体レーザを実現することができるのみならず、Ga_1-x In_x Nを含む窒化物系III−V族化合物半導体を発光材料として用いた様々な波長で発光可能な発光ダイオードや半導体レーザをも実現することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
This method for producing the acrylonitrile and/or the acrylic acid by a vapor-phase catalytic oxidation reaction of the propane in the presence of a complex metal oxide catalyst consisting essentially of molybdenum, vanadium, and at least one kind of element of tellurium and antimony is characterized in that the concentration of sulfur in a raw material gas introduced into a reaction vessel is regulated so as to be ≤200 ppm.例文帳に追加
モリブデン、バナジウム、およびテルルまたはアンチモンのうちの少なくとも一種の元素を必須成分とする複合金属酸化物触媒の存在下、プロパンの気相接触酸化反応によりアクリロニトリルおよび/またはアクリル酸を製造する方法において、反応器に導入される原料ガス中のイオウの濃度を200ppm以下とすることを特徴とするアクリロニトリルおよび/またはアクリル酸の製造方法。 - 特許庁
In the case of the method for preparing the peroxodisulfate, for example, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate and potassium peroxodisulfate by anodically oxidizing an electrolyte containing sulfate and/or hydrogensulfate, a diamond layer which is arranged on a conductive carrier and is made conductive by doping using a tervalent or pentavalent element is used as an anode and the accelerators are not added to an anolyte.例文帳に追加
硫酸塩および/または硫酸水素塩を含有する電解質を陽極酸化することによって、ペルオキソ二硫酸塩、例えばペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウムおよびペルオキソ二硫酸カリウムを製造する方法の場合に、導電性担体上に配置されかつ3価または5価の元素を用いてのドーピングによって導電性にされたダイヤモンド層を陽極として使用し、陽極液に促進剤を添加しない。 - 特許庁
The method for manufacturing the organic thin-film element configured, by interposing an organic thin film between a pair of thin-film electrodes, at least one of which is a transparent electrode, includes a step of forming the transparent electrode by spraying a stock solution containing a transparent electrode forming material on a substrate and a step of forming the organic thin film on the transparent electrode.例文帳に追加
少なくとも一の電極が透明電極である一対の薄膜電極間に有機薄膜を含んで構成される有機薄膜素子の製造方法であって、基材上に透明電極形成材料を含む原料液を噴霧することにより透明電極を形成する工程と、前記透明電極上に有機薄膜を形成する工程と、を含む有機薄膜素子の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁
A manufacturing method of an electron emitting element having a cathode substrate and an anode substrate disposed in a vacuum via a spacer and an electron emitting source formed on the cathode substrate includes the steps of applying active treatment to a surface of the electron emitting source and burning the electron emitting source in a temperature range of 400 to 500°C after the activation treatment.例文帳に追加
真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を400〜500℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 特許庁
In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加
本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第1の反応ガスとフッ素を含む第2の反応ガスとを加熱体110に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁
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