「element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(712ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming an insulating film of a semiconductor element substrate has an application process for forming a coated film 2 by applying a constitutional coat for the insulating film, a surface layer curing process for curing the surface layer side 2a of the coated film 2 after the application process, and a pore formation process for forming pores 4 in the coated film 2 after the surface layer curing process.例文帳に追加

半導体素子基板上に絶縁膜を形成する方法において、 前記絶縁膜の構成塗料を塗布して塗膜２を設ける塗布工程と、 前記塗布工程の後、前記塗膜２の表層側２ａを硬化させる表層硬化工程と、 前記表層硬化工程の後、前記塗膜２にポア４を形成するポア形成工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electric solid device by which even when an aperture pattern is formed by dry-etching an overlay conductive film on an insulating film, an insulating film with an appropriate film thickness can be left in a region overlapping the aperture pattern, and to provide an electric solid device and a liquid crystal device having the electric solid device as an element substrate.例文帳に追加

絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。 - 特許庁

A magnetic field analyzer 102 utilizes the databased result in the database 101, analyzes a magnetic field by the finite element method of an analysis target using the modelling (for example, E&S modelling) of two-dimensional vector magnetic characteristics for expressing the relationship between magnetic flux density and magnetic field strength, and obtains magnetic field strength, iron loss, or the like in the analysis target.例文帳に追加

磁界解析装置１０２では、データベース１０１でデータベース化されている結果を利用して、磁束密度と磁界強度の関係を表す二次元ベクトル磁気特性のモデリング（例えばＥ＆Ｓモデリング）を用いた解析対象物の有限要素法による磁界解析を行い、解析対象物中の磁界強度、鉄損等を求める。 - 特許庁

In the manufacturing method of a light-emitting element to carry out transcription from the donor substrate 02 using an energy beam 06, the alignment mark 01 is formed by irradiating the energy beam 06 to the donor substrate 02 or the transcribed substrate, and positioning of the donor substrate 02 and the transcribed substrate is carried out by detecting this alignment mark 01, thereby the transcription is carried out.例文帳に追加

エネルギービーム０６を用いてドナー基板０２から転写を行う発光素子の製造方法において、ドナー基板０２もしくは被転写基板に、エネルギービーム０６を照射することでアライメントマーク０１を形成し、このアライメントマーク０１を検知することでドナー基板０２と被転写基板の位置合わせを行い、転写を行う。 - 特許庁

This method for producing the lithium complexed metal nitride expressed by general formula Li_3-xM_xN (M is at least a metal element selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Al; x is a value more than 0 and less than 0.8) comprises the steps of mixing lithium amide powder with metal M powder and a heat treating the mixture.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_３−ｘＭ_ｘＮ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌより選ばれた少なくとも一種の金属元素、ｘは０＜ｘ＜０．８の範囲の値）で表されるリチウム複合金属窒化物の製造方法であり、リチウムアミド粉末と金属Ｍの粉末とを混合し、加熱処理する構成とする。 - 特許庁

In another embodiment, the method comprises (i) a step of depositing a surface treatment composition containing the adhesion promotor material on the surface of the first electroactive layer and (ii) a step of depositing the second electroactive layer on the surface of the first layer containing the adhesion promotor, in which the composition permits adhesive bonding between the first layer and the second layer of the electroactive element.例文帳に追加

別の実施形態では、（ｉ）第１の電気活性層の表面上に接着促進剤材料を含む表面処理組成物を堆積し、（ｉｉ）接着促進剤を含む第１の層の表面上に第２の電気活性層を堆積する段階とを含み、組成物が電気活性素子の１の層と第２の層との間の接着を可能にする。 - 特許庁

To provide a target molecule recognition polymer, having high discrimination properties only with respect to target molecules, capable of simply and inexpensively executing MIP-filling operation into a channel provided in an analyzer, when performing various analyses, and to provide its filling method, and a chip element and an antigen detection device that uses the target molecule recognition polymer.例文帳に追加

標的分子のみに対して高い識別性を有し、各種の分析を行う際に、分析装置に設けられた流路へのＭＩＰ充填操作が簡便かつ廉価で実施できる標的分子認識ポリマー、及びその充填方法、並びに該標的分子認識ポリマーを用いたチップ素子及び抗原検出装置を提供する。 - 特許庁

The method includes a first process of melting the solder and a second process of keeping the solar cell element for a predetermined period of time at an ambient temperature, which is lower than the melting point of the solder and is higher than the room temperature.例文帳に追加

太陽電池素子の表面に設けられ、且つ出力を外部へ取り出すためのバスバー電極と、前記バスバー電極に半田を介してインターコネクタを接合してなる太陽電池モジュールの製造方法であって、前記半田を溶融する第１工程と、前記半田の溶融温度よりも低く室温よりも高い雰囲気温度で、前記太陽電池素子を所定時間保持する第２工程と、を有するようにした。 - 特許庁

To provide a GaN light emitting element formed on an n-type SiC substrate doped with nitrogen, which can be improved in brightness by keeping the SiC substrate conductive, restraining the light emitted from a light emitting layer from being reabsorbed, and specifying the range of electron concentration in the SiC board, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒素ドープされたｎ型ＳｉＣ基板上に形成されたＧａＮ系半導体発光素子における、ＳｉＣ基板の導電性を保ち、かつ発光層より発光した光の再吸収を抑制することが可能な、ＳｉＣ基板中の電子濃度範囲を規定することにより、輝度の向上を可能とするＧａＮ系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can form semiconductor dots as desired, while making a semiconductor film polycrystalline without spoiling the planarity of the top surface of a polycrystalline silicon layer and a tunnel oxide film and can easily manufacture a memory element, having a fine particle floating gate easily at a low cost, even when the substrate is made of glass or plastic.例文帳に追加

結晶化シリコン層の表面の平坦性やトンネル酸化膜を損なうことなく、半導体膜を所望のように多結晶化する一方で、所望のように、半導体ドットを形成することができ、基板がガラスあるいはプラスチックで形成されている場合にも、容易に、かつ、低コストで、微粒子フローティングゲートを有するメモリ素子を製造することができるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the sulfide solid electrolyte material characterized in obtaining the sulfide solid electrolyte material in the crystallized glass state only through a synthesis process of using a material composition containing at least a sulfur (S) element and group 13 to group 15 elements, and carrying out high-energy mechanochemical processing at room temperature.例文帳に追加

本発明においては、少なくとも硫黄（Ｓ）元素および第１３族〜第１５族の元素を含有する原料組成物を用い、室温での高エネルギーメカノケミカル処理を行う合成工程のみにより、結晶化ガラス状の硫化物固体電解質材料を得ることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photocatalyst element where a thin film of tungsten oxide is formed on a substrate includes a plating processing step that forms a thin film of tungsten on the surface of the substrate by a molten salt plating process, and an oxidization processing step that forms a thin film of tungsten oxide by oxidizing a thin film of tungsten.例文帳に追加

基板上にタングステン酸化物の薄膜が形成された光触媒素子の製造方法であって、溶融塩めっき法により、基板の表面にタングステンの薄膜を形成させるめっき処理工程と、タングステンの薄膜を酸化することにより、タングステン酸化物の薄膜を基板上に形成させる酸化処理工程とを有している光触媒素子の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic electroluminescence element includes a stage for providing a substrate on which pixel electrodes are formed, a stage for laminating a donor substrate on the whole surface of the substrate, and a stage for scanning a laser beam on a predetermined area of the donor substrate by using the laser irradiation apparatus to form the organic film layer pattern.例文帳に追加

本発明に係る有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、前記レーザー照射装置を用いて前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A production method for an organic layer of an organic electroluminescent element having at least one organic layer between a pair of electrodes comprises the steps of: degassing a deposition material including at least one metal complex having a tridentate or higher ligand; and depositing the deposition material by heating after the degassing.例文帳に追加

一対の電極間に、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有する蒸着材料を脱ガス処理する工程と、該脱ガス処理後に該蒸着材料を加熱して蒸着する工程と、を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法。 - 特許庁

This method for forming the transistor of the semiconductor element comprises a step for forming a plurality of gate stacks 110 on a semiconductor substrate 100, and a step for forming spacer oxide films 118 on a plurality of the gate stacks 110 by supplying trimethyl aluminum and tris- (tert-alkoxy) silanol in a gas state alternately to the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上に複数のゲートスタック１１０を形成する段階と;前記半導体基板１００上に気体状態のトリメチルアルミニウム及びトリス(ｔｅｒｔ-アルコキシ)シラノールを交互に供給することで、前記複数のゲートスタック１１０上にスペーサ酸化膜１１８を形成する段階と；を含んで半導体素子のトランジスタ形成方法を構成する。 - 特許庁

This method comprises a step of adsorbing a halogen atom on the surface of a TiN thin film while forming the TiN thin film 17 on a semiconductor substrate 11 by using a Ti compound and an NH_3 reaction product containing a halogen element, and a step of forming a copper thin film 19a on the TiN thin film by using the adsorbed halogen atom as a catalyst.例文帳に追加

半導体基板１１上にハロゲン元素を含むＴｉ化合物とＮＨ_３反応物を利用してＴｉＮ薄膜１７を形成すると同時に、ＴｉＮ薄膜の表面にハロゲン原子を吸着させる段階と、前記吸着されたハロゲン原子を触媒として利用して前記ＴｉＮ薄膜上に銅薄膜１９ａを形成する段階とを含んで構成される。 - 特許庁

The method for treating the exhaust gas includes a process of desorption after adsorbing the organic solvents to an adsorbent by bringing the exhaust gas containing the organic solvents into contact with the adsorbent made of zeolite and possesses a means for eliminating liquid components of the organic solvent in the exhaust gas before bringing the exhaust gas into contact with the adsorbing element.例文帳に追加

有機溶剤を含有する排ガスを、ゼオライトからなる吸着材に接触させ、該吸着材に前記有機溶剤を吸着させた後に脱着させる工程を含む排ガスの処理方法であって、前記排ガスを前記吸着素子に接触させる前に、前記排ガス中の有機溶剤の液状成分を除去する手段を有することを特徴とする排ガスの処理方法。 - 特許庁

A manufacturing method of organic electroluminescent element, which includes a first electrode 3, a second electrode 7, and an organic layer 6 provided between the first electrode 3 and the second electrode 7, includes the step of forming the organic layer 6 by forming a thin film containing an organic compound, and then, by calcining the thin film under an atmosphere containing reductive gas.例文帳に追加

第１の電極３と、第２の電極７と、該第１の電極３及び該第２の電極７の間に設けられた有機層６とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該有機層６は、有機化合物を含む薄膜を形成し、還元性の気体を含む雰囲気下で該薄膜を焼成して形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

A method for producing the algaecidal additive comprises mixing ferric oxide with the simple oxide of at least one rare earth element selected from lanthanum, praseodymium, neodymium and yttrium, or its compound giving the oxide, when fired, crushing the mixture, firing the crushed mixture to produce a fired product containing an orthoferrite as a main component, and then finely crushing the fired product.例文帳に追加

また、防藻用添加剤の製造法では、ランタン、プラセオジム、ネオジム及びイットリウムの少なくともいずれか１つの希土類元素の単体酸化物または焼成して酸化物となる化合物と酸化第二鉄とを混合し、粉砕し、焼成して、オルソフェライトを主成分とする焼成体を製造し、次に、この焼成体を微粉砕して、防藻用添加剤粉末を製造する。 - 特許庁

The catalyst is preferably obtained by a preparation method including a step of obtaining a first complex from a compound containing the lanthanoid element and a titanium compound, a step of obtaining a second complex by heat-treating the first complex, and a step of mixing the second complex with at least one selected from the group consisting of metal silver and a silver compound.例文帳に追加

この触媒は、ランタノイド元素を含む化合物及びチタン化合物から第１の複合体を得る工程と、該第１の複合体を熱処理して第２の複合体を得る工程と、該第２の複合体と、金属銀及び銀化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを混合する工程とを有する調製方法により得られたものが好ましい。 - 特許庁

In the manufacturing method of a piezoelectric oscillator composed of a piezoelectric vibrator in which an exciting electrode is formed on a piezoelectric element plate and a semiconductor integrated component forming an oscillator circuit, the semiconductor integrated component is mounted on the piezoelectric vibrator, and an undesired principal plane part of the semiconductor integrated component is subsequently ground by machining.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、圧電素板に励振用電極を形成した圧電振動子と、発振回路を形成した半導体集積部品とから成る圧電発振器の製造方法において、前記圧電振動子に前記半導体集積部品を実装した後に、前記半導体集積部品の不要主面部を機械加工により研削することにより課題を解決する。 - 特許庁

The method of producing semiconductor devices comprises the step of: attaching gold bump elements to electrodes of a semiconductor element and transferring molten solder elements to the gold bump elements in an environment containing inert gas at an oxygen concentration of not larger than 10,000 ppm, and using at least one of alcohol, ketone, ester, ether and a mixture thereof as a fluxing agent for transferring prior to transferring the molten solder elements.例文帳に追加

半導体素子の電極の上に金バンプ要素を取り付け、非活性ガスを用いて酸素濃度１００００ｐｐｍ以下の雰囲気中で該金バンプ要素の上にはんだ要素を溶融転写し、はんだ要素を溶融転写する前に、アルコール、ケトン、エステル、エーテル及びその混合物の少なくとも一つを転写用フラックス剤として用いるように構成する。 - 特許庁

To provide a substrate with a transparent conductive oxide film (a substrate with transparent conductive oxide film useful as a substrate for a thin film silicon-based solar cell in particular), having low resistance, high transparency, satisfactory light scattering performance, and excellent mass productivity, over a full wavelength region (300 nm-3 μm), its manufacturing method, and a photoelectric conversion element using the substrate.例文帳に追加

低抵抗、高透明で、太陽光の全波長域（３００ｎｍ〜３μｍ）で良好な光散乱性能を有する特徴を有し、量産性に優れた、透明導電性酸化物膜付き基体（特に薄膜シリコン系太陽電池用基板として有用な透明導電性酸化物膜付き基板）とその製造方法および該基板を用いた光電変換素子（特に太陽電池）の提供。 - 特許庁

In the method for producing the ZnTe-based compound semiconductor single crystal or an at least ternary ZnTe-based compound semiconductor single crystal containing ZnTe, at least one element selected from the group 3B elements in the Periodic Table, such as Al, Ga or In, or halogen elements, such as Cl, Br or I, is added as an impurity during the growth of the single crystal.例文帳に追加

ＺｎＴｅあるいはＺｎＴｅを含む三元以上のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法において、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等の周期表３Ｂ族元素のいずれか一種類以上の元素またはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加するようにした。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic photoelectric conversion element wherein a layer containing an organic compound having light conductivity is arranged between a pair of electrodes, vapor phase epitaxy is performed while controlling a part or all of the layer containing the organic compound having light conductivity at a substrate temperature of 60°C to 250°C, and the organic compound is a quinacridone-based colorant which improves the orientation of molecules.例文帳に追加

一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 - 特許庁

To provide a high-quality, high-reliability, and high dielectric thin film capacitor which shows the same permittivity as that shown by a capacitor in which a noble metallic element is used for metallic electrodes, through the capacitor uses an inexpensive metallic material for its metallic electrodes and is less in leakage current, and to provide a method by which the capacitor can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

In the method for producing polyester, antimony acetate and antimony trioxide used as polycondensation catalysts of the polyester satisfy the following conditions (1) to (3) when the polyester, having not more than 10 ppb lead element in polyethylene terephthalate, are produced by performing polycondensation after performing a transesterification reaction or an esterification reaction of terephthalic acid or an ester-forming derivative thereof and ethylene glycol.例文帳に追加

テレフタル酸またはそのエステル形成性誘導体ならびにエチレングリコールを、エステル交換反応または、エステル化反応した後、重縮合してポリエチレンテレフタレート中の鉛元素が１０ｐｐｂ以下であるポリエステルを製造するに際して、ポリエステル重縮合触媒として用いる酢酸アンチモンと三酸化アンチモンとが下記条件(１)〜(３)を満足することを特徴とするポリエステルの製造方法。 - 特許庁

In this computer system 10 and its operation method, a second input device 14 requiring second authentication input for enabling authentication of an authentication input from an ordinary keyboard 12 is selectively arranged between the keyboard 12 and a security element related to a system mother board for avoiding possibility of careless disclosure or attachment of an authentication date row.例文帳に追加

通常のキーボード１２からの認証入力の認識を可能にするために第２の認証入力を要求する第２の入力装置１４が、認証データ列の不注意な開示または添付の可能性を避けるために、キーボード１２と、システム・マザーボードに関連するセキュリティ・エレメントとの間に選択的に介在させられているコンピュータ・システム１０およびオペレーション方法である。 - 特許庁

A method for manufacturing an electrode for an electrochemical element comprises the steps of: charging slurry containing an active material into communicating pores of an aluminum porous body; and drying the charged slurry.例文帳に追加

連通気孔を有するアルミニウム多孔体の連通気孔中に、活物質を含有するスラリーを充填するスラリー充填工程と、充填されたスラリーを乾燥するスラリー乾燥工程とを有し、スラリー乾燥工程の後に、スラリーが充填、乾燥されたアルミニウム多孔体を圧縮する圧縮工程を経ずに、電気化学素子用電極を製造する電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.例文帳に追加

配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第１工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第２工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第３工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

Further, as a frictional and stirring joining method, mutual foils of an aluminium material, or the foil and the lead-out terminal are overlapped, and a rotary element rotating at a high speed is brought into contact with one surface to join by friction heat, thereby preventing the occurrence of a damage or distortion of the foils or lead-out terminal to make a more stable electrical connection.例文帳に追加

また、摩擦撹拌接合方法として、アルミニウム材の、箔どうし、または、箔と引出端子を重ね合わせ、一方の表面に高速回転する、回転素子を接触させて摩擦熱で接合させることにより、箔または引出端子の破損や歪の発生を防止し、より安定な電気的導通させることを特徴とする電解コンデンサ電極の接合方法を提供するものである。 - 特許庁

After a process in which a thermal diffusive organic compound donor containing a binder and the thermal diffusive organic compound, and a receptor base material are superposed and heated, and a process in which the thermal diffusive organic compound donor is peeled off from the receptor base material, this manufacturing method of the organic thin film element has a process in which the organic compound layer is formed on the receptor base material.例文帳に追加

バインダーと熱拡散性有機化合物を含む熱拡散性有機化合物供与体と受容体基材を重ね合わせて加熱する工程、該熱拡散性有機化合物供与体を該受容体基材から剥離する工程を経て、前記受容性基材上に有機化合物層を形成する工程を有することを特徴とする有機薄膜素子の製造方法。 - 特許庁

In this method which judges a theft action in a crime prevention device which detects abnormality with a sensor and prevents a crime, the existence/absence of a theft action is discriminated by deciding whether the output waveform of a detection signal from the sensor is the (B) waveform by a disturbance element that is not caused by preliminarily calculated artificial action or belongs to the (A) waveform peculiar to an artificial theft action.例文帳に追加

センサにて異常を検知し防犯を行う防犯装置における盗難行為の判定方法であって、センサからの検知信号の出力波形が、予め求めてある人為的な行為によらない外乱要素による（Ｂ）の波形か又は人為的な盗難行為に特有の（Ａ）の波形に属するかを判定することによって、盗難行為の有無を判定する。 - 特許庁

The motion analysis method performs, at each predetermined time step, a fluid analysis step s1 for calculating pressure of each element constituting a model of a body in fluid by numerical fluid dynamics, and a motion analysis step s2 for obtaining fluid force by the pressure to calculate at least the position and attitude of the model by a motion equation of a rigid body system.例文帳に追加

本発明の運動解析方法は、数値流体力学により流体中の物体のモデルを構成する各要素の圧力を計算する流体解析ステップｓ１と、前記圧力より流体力を求め剛体系の運動方程式により、前記モデルの少なくとも位置及び姿勢を計算する運動解析ステップｓ２と、を所定の時間ステップ毎に行う。 - 特許庁

To provide a fine structure drying treatment method and a fine structure drying treatment apparatus for efficiently, quickly, and uniformly drying a large-diameter substrate of 100 mm or larger, in which a fine pattern is formed where pattern falls and element adhesion may occur by the influence of the surface tension of a rinse liquid simply by locally heating only a dry fluid in drying.例文帳に追加

本発明の目的は、乾燥時に乾燥流体だけを局部的に加熱するだけで、リンス液の表面張力の影響によりパターン倒れや素子の固着が発生しうる微細なパターンを形成した１００ｍｍ以上の大口径基板に対して効率良く短時間で均一に乾燥させることができる微細構造乾燥処理法及びその装置を提供することにある。 - 特許庁

This preparation method includes a first step S1 for dividing the semiconductor substrate into a plurality of regions, a second step S2 for generating a second impedance net model for a specified, arbitrary region, and a third step S3 for connecting the second impedance net model obtained for the entire region by a specific second connection impedance element, and for generating an optimum impedance net model.例文帳に追加

半導体基板を複数の領域に分割する第１ステップＳ１と、指定された任意の前記領域について、第２インピーダンス網モデルを生成する第２ステップＳ２と、全ての領域について求めたこの第２インピーダンス網モデルを、所定の第２接続インピーダンス要素で接続して最適化インピーダンス網モデルを生成する第３ステップＳ３とを含み、構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a chip type electronic component capable of surely obtaining the chip type electronic component for which an adhesive material is moved back from a stacked body end face and thus the reliability of the electrical connection of an external electrode and the electrode of an element substrate is excellent at low cost without executing troublesome processes and without the need of excess working devices.例文帳に追加

積層体端面から接着剤が後退されており、それによって外部電極と素子基板の電極との電気的接続の信頼性に優れているチップ型電子部品を、煩雑な工程を実施することなく、かつ余分な加工装置を必要とすることなく、安価にかつ確実に得ることを可能とするチップ型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.例文帳に追加

かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の０．１〜１０％である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

This method includes a process (a) adding and mixing an aqueous alkaline solution to a strong acidic radioactive waste liquid with mainly radioactive element and iron dissolved therein, and making the waste liquid weakly acidic so as to generate iron colloid, a process (b) adding and mixing granular insoluble tannin to the radioactive waste liquid generating iron colloid, and a process (c) separating insoluble tannin from the waste liquid.例文帳に追加

(a) 放射性元素と鉄が主として溶解している強酸性の放射性廃液にアルカリ水溶液を添加混合して前記廃液を弱酸性にすることにより鉄のコロイドを生成する工程と、(b) 鉄のコロイドを生成した放射性廃液に粒状の不溶性タンニンを添加混合する工程と、(c) 不溶性タンニンを前記廃液から分離する工程とを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, at least one organic functional layer, a second electrode, and a sealing layer are laminated in sequence on a base material comprises a discharging process, where at least the discharging process is done in an environment with an oxygen concentration ranging from 100 to 1000 ppm.例文帳に追加

基材上に、第１の電極と、少なくとも１層の有機機能層と、第２の電極と、封止層とを順次積層した構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記製造方法は除電工程を含み、少なくとも前記除電工程の環境が、酸素濃度１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

The soldering method can achieve soldering connection with high reproducibility by contacting the metallikon electrode and the lead-out electrode via a cream solder and soldering the contacted part by induction heating while pressing an induction heating apparatus made up with a heat resistant insulator, to the contacted part, restrain the excess heat stress to the element, and shorten the operation time by reducing the heating time.例文帳に追加

メタリコンと引き出し電極を、クリーム半田を介した状態で当接させ、当接部分が耐熱性絶縁物からなる誘導加熱装置を押し当てながら誘導加熱することで半田付けをすることにより再現性の高い半田接合を実現でき、加熱時間が短いことより素子への過大な熱ストレスを抑制できるとともに作業時間を短縮できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the light receiving element with the reflective structure includes the processes of: forming the photoelectric conversion layer of the Si crystal on the substrate; and changing the part of the Si crystal forming the photoelectric conversion layer into the a-Si layer by laser irradiation using a short-pulse laser and forming the reflective structure composed of the multilayer film of a-Si/c-Si.例文帳に追加

また、反射構造を備えた光受光素子の製造方法を、 基板上にＳｉ結晶による光電変換層を形成する工程と、 前記光電変換層を形成するＳｉ結晶の一部を、短パルスレーザによるレーザ照射によってａ−Ｓｉ層に変質させ、ａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉによる多層膜で形成された反射構造を形成する工程と、 を有する構成とする。 - 特許庁

Crystal having characteristics (dielectric loss tangent: tan δ) better than that of fluororesin, LTCC or the like used conventionally as a substrate of a resonance part 1 and on which a fine metal film pattern can be formed by a photolithographic method is used as a crystal substrate 10, and a conductive line is formed on the crystal substrate 10 to form an inductance element 11 in the resonance part 1.例文帳に追加

従来から共振部１の基板として用いられているフッ素樹脂やＬＴＣＣなどよりも良好な特性（静電正接：ｔａｎδ）を持ち、しかもフォトリソグラフィ法により微細な金属膜のパターンを形成できる水晶を水晶基板１０として用いて、この水晶基板１０上に導電線路を形成して共振部１のインダクタンス素子１１を構成する。 - 特許庁