「extreme ultra-violet」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

EXTREME ULTRA-VIOLET LIGHT SOURCE AND SEMICONDUCTOR ALIGNER例文帳に追加

極端紫外光源および半導体露光装置 - 特許庁

To provide a method of correcting defects in a multilayer film due to irregularities on a reflective mask for EUV (Extreme Ultra Violet) lithography.例文帳に追加

ＥＵＶ（極端紫外:Extreme Ultra Violet）リソグラフィ用の反射型マスクの基板の凹凸に起因する多層膜の欠陥の修正方法を提供する。 - 特許庁

The illumination system includes a radiation-production system that produces extreme ultra-violet radiation and a radiation-collection system that collects extreme ultra-violet radiation.例文帳に追加

該照明システムは極紫外線を生成する放射線生成システムと、極紫外線を収集する放射線収集システムを配備する。 - 特許庁

To heighten the radiation luminance of extreme ultra-violet rays whose wavelength is 13.5 nm.例文帳に追加

波長１３． ５ｎｍの極端紫外線の放射輝度を上げること。 - 特許庁

REFLECTION MASK FOR EXTREME ULTRA-VIOLET RAY EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

極紫外線露出用の反射マスク及びその製造方法 - 特許庁

MASK FOR EXTREME ULTRA-VIOLET EXPOSURE, BLANK, AND METHOD FOR PATTERN TRANSFER例文帳に追加

極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 - 特許庁

EVALUATION DEVICE FOR EVALUATION OF EXTREME ULTRA VIOLET LIGHT SOURCE, AND EVALUATION METHOD USING IT例文帳に追加

ＥＵＶ光源の評価用評価装置、およびそれを用いた評価方法 - 特許庁

To reduce arcing generation and nozzle erosion in a laser plasma extreme ultra violet radiation source.例文帳に追加

レーザープラズマ極紫外線源におけるアーキングの発生とノズルの浸食を減少させる。 - 特許庁

The extreme ultra-violet light emitting device 1 is provided with a mono-stannane synthesizer 2.例文帳に追加

極端紫外光発光装置１は、モノスタナン合成装置２を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate especially suitable for EUV (extreme ultra-violet) micro-lithography.例文帳に追加

ＥＵＶマイクロリソグラフィーに特に適した基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

OFF-AXIS PROJECTION OPTICAL SYSTEM AND EXTREME ULTRA VIOLET LITHOGRAPHY EQUIPMENT THAT EMPLOYS THE SAME例文帳に追加

非軸上プロジェクション光学系及びこれを適用した極紫外線リソグラフィ装置 - 特許庁

To provide an extreme ultra-violet ray light emitting device which gains an extreme ultra-violet ray from Sn ions and uses SnH_4 without problems on safety and dissolution.例文帳に追加

Ｓｎイオンから極端紫外光を得る極端紫外発光装置において、安全性に問題がなく、かつ、分解の問題がなくＳｎＨ_4 を用いることができるようにすること。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique of a semiconductor integrated circuit apparatus utilizing a defect modification technique of a reflection-type mask which uses an extreme ultra violet light (EUV) with a wavelength near 13.5 nm as an exposure light source.例文帳に追加

波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

An EUV (Extreme Ultra Violet) mask inspection device 100 includes an EUV light source 101, an illumination optical system, a Schwarzschild optical system 108 and a TDI sensor 109.例文帳に追加

本発明にかかるＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光源１０１、照明光学系、シュバルツシルト光学系１０８及びＴＤＩセンサー１０９を有する。 - 特許庁

Notably, this invention can be also applied to other light sources like an extreme ultra-violet light source of a plasma focus type and a Z-pinch type.例文帳に追加

なお、本発明は、プラズマフォーカス型やＺ−ピンチ型の極端紫外光源等のその他の光源にも適用することができる。 - 特許庁

To provide a substrate processing method of preventing contamination of the backside of an EUV (Extreme Ultra-Violet) mask in manufacturing the EUV mask.例文帳に追加

ＥＵＶマスクを製造する際のＥＵＶマスク裏面の汚染を防止する基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a laser plasma EUV(extreme ultra violet) light source generating larger liquid droplets relative to a plasma target material.例文帳に追加

プラズマ標的材料に対するより大きい液滴を発生させるレーザプラズマＥＵＶ光源を提供する。 - 特許庁

To provide an LPP type extreme ultra violet light source device that produces an EUV light having a stable energy used for exposure.例文帳に追加

露光のために用いるエネルギーの安定したＥＵＶ光を発生するＬＰＰ型極端紫外光源装置を提供する。 - 特許庁

The radiation-collection system is adjusted to collect extreme ultra-violet radiation which radiates in a collection-direction, which is substantially different from the particle-movement direction.例文帳に追加

該放射線収集システムは粒子移動方向と大きく異なる収集方向に放射する極紫外線を収集するように調整される。 - 特許庁

To provide a manufacturing technology of a semiconductor device using a defective modification technology of a reflective mask which lets extreme ultraviolet (EUV) light having the wavelength of near 13.5 nm be an exposure light source.例文帳に追加

波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

The spectral purity of extreme ultra violet (EUV) radiation beam is improved by the multilayer spectral purity filter and debris emitted from a radiation source is collected.例文帳に追加

多層スペクトル純度フィルタにより、極紫外（ＥＵＶ）放射ビームのスペクトル純度が改善され、且つ、放射源から放出されるデブリスが収集される。 - 特許庁

In addition, a plurality of liquefaction stannane containers are provided, and supply and liquefaction storage operations are alternately repeated therein, thereby continuously obtaining light emission of extreme ultra-violet ray from Sn ions for a long time.例文帳に追加

また、液化モノスタナン容器を複数設け、複数の液化スタナン容器において、供給と液化貯蔵を時間的に交互に繰り返すことにより、長時間連続でＳｎのイオンから極端紫外の発光が得られるようにしてもよい。 - 特許庁

The SnH_4 stored in the liquefaction stannane container 5 is supplied to a plasma generation part 6, and it is changed to plasma by laser or electric discharging, resulting in generating an extreme ultra-violet ray of 13.5 nm from Sn ions.例文帳に追加

液化スタナン容器５に貯蔵されたＳｎＨ_4 は、プラズマ生成部６に供給され、レーザあるいは放電によりプラズマ化され、Ｓｎイオンから１３．５ｎｍの極端紫外光を得る。 - 特許庁

Consequently, gas discharge occurs inside the capillary 211 to form high-temperature plasma and generate the extreme ultra-violet light whose wavelength is 13.5nm and it is radiated into a space Sb.例文帳に追加

これにより、キャピラリ２１１内部でガス放電が生じ、高温プラズマが形成され、波長１３．５ｎｍの極端紫外光が発生し、この極端紫外光は、空間Ｓｂへ放射される。 - 特許庁

The spectral purity of extreme ultra violet (EUV) radiation beam is improved by the multilayer spectral purity filter and debris emitted from a radiation source is collected.例文帳に追加

多層スペクトル純度フィルタにより、極紫外（ＥＵＶ）放射ビームのスペクトル純度が改善され、且つ、放射源から放出されるデブリスが収集される。 - 特許庁

To provide a polishing method for a glass substrate required to have extremely high surface smoothness and surface precision like a glass substrate to be used for e.g. a reflective mask for extreme ultra violet lithography.例文帳に追加

ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method preventing an optical system from being damaged with EUV (Extreme Ultra-Violet) exposure to prevent a reduction in reflectivity, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device, a dehydrator and an aligner.例文帳に追加

ＥＵＶ露光における光学系の損傷を防止して反射率の低下を防止することが可能なパターン形成方法、半導体装置の製造方法、脱水装置および露光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus which is lithographic projection apparatus which uses extreme ultra-violet rays, wherein a substrate is disposed on a carrier in the minimum delivery number and high accuracy, when the substrate is loaded into a vacuum chamber via a load lock.例文帳に追加

超紫外線を使うリソグラフィ投影装置であって、基板をロードロックを介して真空室に装填する場合に、基板を最少の受渡し回数で且つ高精度で支持体上に配置する方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To elongate the useful life of an optical element by preventing debris, discharged from plasma produced by exciting a target in a chamber by laser beam together with EUV (extreme ultra violet) light, from adhering to an optical element provided in the chamber and forming a metal film, in an EUV light source device.例文帳に追加

ＥＵＶ光源装置において、チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマからＥＵＶ光と共に放出されるデブリが、チャンバ内に設けられた光学素子に付着し金属膜が形成されることを防止して、光学素子の耐用期間を延ばす。 - 特許庁

To provide an LIPS sensor for measuring an EUV (extreme ultra violet) projected from a mask pattern through an opening by a photo-diode to search a position relation between a mask and a wafer, and to prevent heat distortion from being generated even when EUV is absorbed by a slit for detecting lights from a reference pattern on the mask.例文帳に追加

マスクパターンから投影されたＥＵＶを、開口を通してフォトダイオードで測定し、マスクとウエハの位置関係を求めるというＬＩＰＳセンサーに関する発明で、マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットがＥＵＶを吸収しても熱歪みを生じさせない様にする。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition which is excellent in resolution, environmental durability and storage stability as a chemically amplified resist sensitive to active radiation, for example, ultraviolet radiation such as g-line or i-line, far-ultraviolet radiation typified by KrF excimer laser, ArF excimer laser or F2 excimer laser, and EUV (Extreme Ultra Violet), or electron beam or the like.例文帳に追加

活性放射線、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーもしくはＦ２エキシマレーザー、ＥＵＶに代表される遠紫外線、もしくは電子線などに感応する化学増幅型レジストとして、解像度、環境耐性に加え、保存安定性に優れる感放射性組成物を提供すること。 - 特許庁