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half-value depthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加
Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁
A first prepit formed in the system lead-in area 24A has 80 to 110 nm depth and 160 to 190 nm half value width.例文帳に追加
システム・リードイン領域２４Ａに形成される第１プリピットの深さを、８０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下とし、第１プリピットの半値幅を、１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下とする。 - 特許庁
A second prepit formed in the system lead-out area 24B has 25 to 35 nm depth and 170 to 210 nm half value width.例文帳に追加
システム・リードアウト領域２４Ｂに形成される第２プリピットの深さを、２５ｎｍ以上、３５ｎｍ以下とし、第２プリピットの半値幅を、１７０ｎｍ以上、２１０ｎｍ以下としている。 - 特許庁
When a control part 20 detects shutter half-push in a photographing mode, the control part 20 sets a low power consumption mode, and when power of a battery is not higher than a prescribed value, the control part 20 measures the brightness of an object and sets (fixes) a prescribed diaphragm value so that depth of field exceeds a prescribed value.例文帳に追加
制御部２０は、撮影モードにおいて、シャッタ半押しを検知すると、低消費電力モードであり、かつ電池残量が所定残量以下である場合には、被写体の明るさを計測し、被写界深度が所定以上となるように所定の絞り値を設定（固定）する。 - 特許庁
At this time, the size of the reference window is determined so that the product of a bit depth in the half tone processing and the number of pixels in the reference window reaches a minimum value exceeding the gradation number of the restored multi-valued image.例文帳に追加
このとき、参照ウィンドウのサイズは、中間調処理におけるビット深度と該参照ウィンドウ内の画素数との積が、復元後の多値画像の階調数を超える最小の値となるように決定されている。 - 特許庁
This putter head is so constituted that the gravity center depth ZGR is a value larger than the half of the head width W, namely, ZGR≥W/2, and the inertia moment IY around the gravity center is IY≥400 g cm^2.例文帳に追加
重心深さＺＧＲがヘッド幅Ｗの半分より大きい値であり、すなわち、ＺＧＲ≧Ｗ／２、であり、かつ、重心まわりの慣性モーメントＩＹが、ＩＹ≧４００ｇ・ｃｍ^２、となるように構成する。 - 特許庁
The glass substrate for a mask blank is a glass substrate comprising SiO_2 as a main component and having a polished main surfaces, wherein concave defects and convex defects on the main surface have a depth of 2 nm or smaller and a height of 2 nm or smaller, respectively and have a half-value width value of 60 nm or smaller.例文帳に追加
主表面が研磨されている、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板であって、前記主表面の凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であるマスクブランクス用ガラス基板。 - 特許庁
A thickness measurement means 6 measures the thickness of a semiconductor wafer 26 to be marked, and a depth calculation means 38 calculates the target depth of a marking dot before grinding of the semiconductor wafer by adding the target depth of the marking dot after grinding of the semiconductor wafer to a value derived by a half of the difference in the thickness of the semiconductor wafer 26 measured by the thickness measurement means 6 and a reference thickness.例文帳に追加
厚さ測定手段６が、マーキングを行うべき半導体ウェハー２６の厚さを測定し、深さ算出手段３８は、厚さ測定手段６が測定した半導体ウェハー２６の厚さから基準厚を差し引き２で割った値に、半導体ウェハー研磨後の目標とするマーキングドットの深さを加算して、半導体ウェハー研磨前の目標とするマーキングドットの深さを算出する。 - 特許庁
In the method of half cut dicing an object to be machined to the prescribed depth D2 of cut by a dicing blade 4, the height from a stage loading surface 3a atop the object to be machined which is placed on the stage 3 is mechanically measured and the depth D2 of cut is set on the basis of the front surface of the object to be machined in accordance with the measured value.例文帳に追加
ガラス基板１等の被切削物をステージ３に載置し、ダイシングブレード４で被切削物を所定の切り込み深さＤ2 にハーフカットダイシングする方法において、ステージ３に載置した被切削物の上面のステージ載置面３ａからの高さを機械的に測定し、その測定値に基づき、被切削物の上面を基準として切り込み深さＤ2 を設定する。 - 特許庁
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