「implanted condition」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide yarn capable of forming a vascular stent by which a vessel can be securely kept in a condition expanded in diameter without harming the vessel to which the stent is implanted.例文帳に追加

植え込まれる脈管に損傷を与えることなく、確実に脈管を拡径させた状態に維持できる脈管用ステントを形成できる糸を提供する。 - 特許庁

Furthermore, ions are implanted into the epitaxial layer formed in the device formation area 2 and a silicon substrate in the PCM formation area 3, at the same timing and under the same condition.例文帳に追加

ついで、デバイス形成領域２に形成されたエピタキシャル層と、ＰＣＭ形成領域３におけるシリコン基板とに、同条件で、同時期に、イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a novel insulin-secreting beta cell line capable of being implanted in a human organ so as to secret a biological product which the cell line normally secrets under a culturing condition.例文帳に追加

培養条件下においてその細胞系が通常分泌する生物学的物質をヒトの臓器に移植されても分泌可能な新規のインシュリン分泌β細胞系を提供する。 - 特許庁

A thermal stress analysis condition is automatically implanted by the 3D data base and the basic piping plan so that the decision of the analytic result can be automatically carried out by the 3D-CAD.例文帳に追加

熱応力解析条件は、３Ｄデータベース、基本配管計画より自動移植されるため解析結果の判定は３Ｄ−ＣＡＤが自動的に行うことが可能である。 - 特許庁

Biomedical applications of these hydrogels include applications wherein the hydrogel is implanted in the body of a patient and an environmental condition at the implantation site causes the hydrogel to expand it in situ.例文帳に追加

これらのヒドロゲルの生物医学的用途には、ヒドロゲルを患者の体内に移植し、移植部位の環境条件によってヒドロゲルをイン・シトゥで膨張させる用途が含まれる。 - 特許庁

Then, by using the photoresist 30 for an implantation mask, N-type impurities 31 such as phosphorus are vertically implanted under an implantation condition that energy is 300 to 700 keV and a dosage is 1E12 to 1E14 ions/cm^2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３０を注入マスクに用いて、リン等のＮ型不純物３１を、エネルギーが３００〜７００ｋｅＶ、ドーズ量が１Ｅ１２〜１Ｅ１４ions／ｃｍ^2の注入条件で垂直注入する。 - 特許庁

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11.例文帳に追加

また、リンイオン２１を、Ｐ型領域形成位置９では注入マスク用絶縁膜１３に留まり、Ｎ型領域形成位置１１ではＳＯＩ層５に留まる条件で注入する。 - 特許庁

When the same impurity is implanted in different implantation energy, projection range and dispersion are extracted under the condition that these are reduced with reduction of the implantation energy and a degree of strain, a degree of sharpness, and a weighting coefficient are extracted under the condition that these are increased with reduction of the implantation energy.例文帳に追加

同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、投影飛程と分散は注入エネルギーの減少につれて減少する条件下で抽出され、歪度と尖度、及び重み付け係数は注入エネルギーの減少につれて増加する条件下で抽出される。 - 特許庁

Irregularities 19 are provided on the rear of a wafer by wet etching, and then phosphorus (P) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 190 keV, and an average projection range is, for instance 0.24 μm.例文帳に追加

ウエットエッチングにより、ウエハの裏面に凹凸部１９が形成された後、加速エネルギーが例えば１９０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．２４μｍの条件で、例えばリン（Ｐ）がイオン注入される。 - 特許庁

For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1.例文帳に追加

この条件では、リンイオンは、低耐圧のＮＭＯＳ領域では基板に注入されるが、高耐圧のＰＭＯＳ領域では、厚いゲート酸化膜５ｂ中に止まり、シリコン基板１に達しない。 - 特許庁

By using the threshold voltage model where the profile of the channel direction is linearly approximated using the length by which an implanted pocket has soaked into a channel direction and a maximum impurity concentration in the implanted pocket as physical parameters, and by solving the model analytically using a new threshold condition in consideration of a nonuniform profile, the threshold voltage can be found precisely.例文帳に追加

チャネル方向の注入ポケットの染み出し長と注入ポケットの最高不純物濃度とを物理パラメータとして、チャネル方向のプロファイルを線形近似したしきい値電圧モデルを用い、不均一なプロファイルを考慮した新たなしきい値条件を用いて、モデルを解析的に解くことにより、しきい値電圧を適確に求めることができる。 - 特許庁

Ions of impurities are implanted to the surface layer of the substrate using the gate electrode as a mask on a condition that an angle is not more than 7° formed between a line image vertically projecting the progressing direction of an ion beam on the substrate surface and both edges of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとして、基板の表層部に、イオンビームの進行方向を基板表面に垂直投影した線像と、ゲート電極の両側の縁との成す角度が７°以下になる条件で、不純物をイオン注入する。 - 特許庁

Then, the region RN-1, Where ion is implanted under the condition, is shielded with a mask, and related to the remaining CN, with a mask for exposure in-between, an ion-implantation process is performed with a region 44 under conditions which compensates for the ion-implantation conditions to the remaining region.例文帳に追加

以後、前記適合した条件でイオン注入された領域ＲＮ−１はマスクで遮断して、残り領域ＣＮは露出させるためのマスクを介在して前記残り領域に対するイオン注入条件を補償する条件で領域４４にイオン注入工程を遂行する。 - 特許庁