「magnetron‐type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This modified magnetron type plasma treatment apparatus is constituted so as to ground a susceptor for placing the substrate via variable impedance.例文帳に追加

この変形マグネトロン型プラズマ処理装置は、基板を載置するサセプタを可変インピーダンスを介して接地するように構成する。 - 特許庁

As a treatment apparatus, a modified magnetron type plasma treatment apparatus capable of controlling the energy of ions incident to a substrate independently from plasma generation is used.例文帳に追加

処理装置として、プラズマ生成とは独立に基板に入射するイオンのエネルギーを制御することができる変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

A modified magnetron type plasma treatment apparatus capable of controlling the energy of ions incident to a substrate independently of, plasma generation is used as an apparatus for forming a thin film.例文帳に追加

薄膜を形成する装置として、プラズマ生成とは独立に基板に入射するイオンのエネルギーを制御することができる変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode which improves a utilizing efficiency of a target while improving a film forming speed and a uniformalization of a film thickness at the same time and a magnetron type sputtering device furnished with it.例文帳に追加

成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

When a photoresist 13 used as an etching mask is removed by ashing, a susceptor 9 for supporting a substrate 11 is ashed with plasma- excited oxygen, by using a modified magnetron type plasma treatment device grounded via a high-frequency matching circuit 10.例文帳に追加

エッチングマスクとして用いたフォトレジスト１３をアッシングにて除去する際、基板１１を支持するサセプタ９を高周波整合器１０を介して接地した変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いて、プラズマ励起した酸素によりアッシングを行う。 - 特許庁

The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.例文帳に追加

ＲＦマグネトロン型スパッタ装置において、Ｓｉ_３Ｎ_４により形成されたターゲット１０１を用い、９９．９％以上のＮ_２を含むスパッタガスによりターゲット１０１をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A substrate is placed direct below a magnetron type discharge electrode where a high frequency electric field applied from the outside intersects a stationary magnetic field at a right angle, a metallic catalyst supported on a support is fixed on the substrate, magnetron plasma is produced under the coexistence of a hydrocarbon gas while heating the substrate by a heater and the single-wall carbon nanotube is formed on the metallic catalyst under the DC bias control of the substrate.例文帳に追加

外部印加の高周波電場と定常磁場とが直交するマグネトロン型放電電極の直下に基板を設置すると共に、該基板上に担体に担持された金属触媒を固定し、該基板をヒーターで加熱しながら炭化水素ガスの共存下にマグネトロンプラズマを発生し、該基板の直流バイアス制御のもとに前記金属触媒上に単層カーボンナノチューブを生成する。 - 特許庁

A MMT (Modified Magnetron Type) device 100 includes: a processing chamber 201 for processing a wafer 200; a susceptor 300 provided in the processing chamber 201 and holding the wafer 200; a heater 310 provided in the susceptor 300 and heating the wafer 200; and a spacer 320 disposed forming a space between the susceptor 300 and heater 310.例文帳に追加

ＭＭＴ装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、ウエハ２００を保持するサセプタ３００と、サセプタ３００内に設けられ、ウエハ２００を加熱するヒータ３１０と、サセプタ３００とヒータ３１０との間に空間が形成されるように配置されたスペーサ３２０とを有する。 - 特許庁

To prevent the cooling capability of a target 1 from being more lowered due to that a backing plate 2 to support/cool the target is expanded and warped to form a gap at its center part caused by the temperature rising together with the target 1 by temporarily exceeding its cooling capability by the sputtering of large electric power supply in a sputtering source of a magnetron type sputtering system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン型スパッタリング装置のスパッタ源において、ターゲット１及びこれを支えかつ冷却する目的のバッキングプレート２が、大電力供給によるスパッタリングで一時的にバッキングプレートの冷却能力を超えて、ターゲットと共に温度上昇して膨張し、中央部分が反りかえって間隙６を作り、ターゲットの冷却能力が更に低下するのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

In the preparing method for a semiconductor device, a first amorphous semiconductor film where the concentration of oxygen is set to 7×10^19 cm^-3 or less is formed on an insulating board, the first amorphous semiconductor film is crystallized by heat treatment, and a second amorphous semiconductor film is formed by a magnetron type RF sputtering method using a single crystal silicon as a target under an atmosphere containing argon.例文帳に追加

本発明によると、絶縁基板上に酸素濃度が７×１０^１９ｃｍ^−３以下である第１の非晶質性半導体膜を形成し、前記第１の非晶質性半導体膜を熱処理により結晶化し、アルゴンを含む雰囲気下、単結晶シリコンをターゲットに用いたマグネトロン型ＲＦスパッタ法により、第２の非晶質性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法が提供されている。 - 特許庁