n- typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9351件
the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加
p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet
An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加
n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁
N-TYPE TRANSISTOR, N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE TRANSISTOR CHANNEL例文帳に追加
n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法 - 特許庁
S/N TRANSITION TYPE CURRENT LIMITER例文帳に追加
S/N転移型限流器 - 特許庁
n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加
n型熱電変換材料 - 特許庁
N-TYPE CALCIUM CHANNEL INHIBITOR例文帳に追加
N型カルシウムチャンネル阻害剤 - 特許庁
in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加
半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書
LARGE SCALE N×N TYPE WAVEGUIDE GRATING ROUTER例文帳に追加
大規模N×N型導波管格子ルータ - 特許庁
The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加
第1n型層111、第2n型層112はn−GaNであり、第3n型層113はn−InGaNである。 - 特許庁
The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加
バッファ層2はn型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁
N/C TYPE PRESSURE SWITCH MECHANISM例文帳に追加
N/C型圧力スイッチ機構. - 特許庁
An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加
N^+型基板1の上に、N^-型ドリフト層2、P^+型層3、N^+型層5を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
COMPOSITION FOR N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加
n型熱電素子用組成物 - 特許庁
An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加
n型コンタクト層21には、n型電極5が接合されている。 - 特許庁
The deep n-type well is provided with a first deep n-type well 105.例文帳に追加
ディープn型ウェルは、第一のディープn型ウェル105を備える。 - 特許庁
The N-type diffusion area 53d is connected to a connection node 90, and the N-type diffusion areas 53s are connected to GND.例文帳に追加
N型拡散領域53dが接続ノード90に接続され、N型拡散領域53sがGNDに接続されている。 - 特許庁
On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.例文帳に追加
N型層B-N上にはP型のウェル領域PWELが一様に設けられている。 - 特許庁
The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加
このn型欠陥層は実質的にn型高n^+バッファ層2bとして機能する。 - 特許庁
A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加
シリコン基板1上に、Pウエル2、Nウエル3を互いに隣接して形成する。 - 特許庁
The n-type layer 13 is formed on the p-type layers 2 and 12, and the conductive type of the layer is n type.例文帳に追加
n型層13は、p型層2、12上に形成され、導電型がn型である。 - 特許庁
An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.例文帳に追加
n^+型基板2上にn型バッファー層3を形成し、その上にn^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁
n-TYPE ZnS SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
n型ZnS半導体薄膜 - 特許庁
A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加
サファイア基板1上にGaNバッファ層2、n-GaN層3、n-AlGaInNクラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaInNクラッド層6、p-GaN層7を順次堆積する。 - 特許庁
n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
n型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加
第2n型層112のn型不純物濃度は、第1n型層111、第3n型層113のn型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
The obtained n-type GaN includes n-type carriers in proportion to the oxygen concentration.例文帳に追加
酸素濃度に比例したn型キャリアをもつn型GaNとなる。 - 特許庁
In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5.例文帳に追加
また、N型領域5内には、N^−型領域5bを形成する。 - 特許庁
N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加
N型熱電材料及びその製造方法並びにN型熱電素子 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND例文帳に追加
n型半導体ダイヤモンドの製造方法及びn型半導体ダイヤモンド - 特許庁
The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2.例文帳に追加
このpアノード領域3が形成されないn領域がnドリフト領域2である。 - 特許庁
LOW RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND例文帳に追加
低抵抗n型半導体ダイヤモンド - 特許庁
ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
n型窒化物半導体の電極 - 特許庁
A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.例文帳に追加
N−型層13bに、N+型層13aに達するようにディープN+型領域14が形成されている。 - 特許庁
The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加
p型/n型ソース・ドレイン層37,40をパターニングして、p型/n型ソース・ドレイン37a,37b,40a,40bを形成する。 - 特許庁
In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加
p^+ 型シリコン基板1の上に、n^- 型シリコン層2、n^+ 型シリコン層3、n^- 型シリコン層4が形成されている。 - 特許庁
An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加
P型の半導体基板P-subに中間層として埋め込みN型層B-Nが配設されている。 - 特許庁
There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加
n^+型AlGaAsエミッタ層5直下部のn^+型GaAs基板1裏面には凹部14を有している。 - 特許庁
SIMPLE N POLE TYPE MAGNETICALLY ACTIVATED WATER DEVICE例文帳に追加
N極型簡易磁気活水装置 - 特許庁
The n-type semiconductor layer 11 includes: an n-type AlInGaN contact layer 13; an n-type AlGaN clad layer 14; and an n-type GaN guide layer 15.例文帳に追加
n型半導体層11は、n型AlInGaNコンタクト層13、n型AIGaNクラッド層14およびn型GaNガイド層15を有している。 - 特許庁
Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加
P型半導体26とN型半導体27とが交互に配置され、電極23がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁
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