意味 | 例文 (10件) |
o VIの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
Zn, Cd, of Hg is selected as the element of group II, and S, Se, Te, or O is selected as the element of group VI.例文帳に追加
II族元素としては、Zn、Cd、Hg、VI族元素としてはS、Se、Te、Oが選択できる。 - 特許庁
When the power source voltage VCC is lower than or equal to the voltage VI_/O at the end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the voltage VI_/O at the end of the I/O circuit.例文帳に追加
一方、電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/Oより低い場合に、トランジスタM1のNウエルの電圧は入力/出力回路端の電圧V_I/Oにクランプされる。 - 特許庁
To turn off line editing after the shell is running, use the +o emacs or +o vi options to the set builtin (see SHELL BUILTIN COMMANDS below). 例文帳に追加
シェルを起動した後に行編集機能を無効にするには、組み込みコマンドset(後述のシェルの組み込みコマンドを参照) に対して+o emacsオプションまたは+o viオプションを設定してください。 - JM
7.Insert mode So far, we've covered how to move around in vi, perform file i/o, and perform basic editing operations.例文帳に追加
挿入モード挿入モード今まで私たちはviの中での移動、ファイルの入出力、基本的な編集操作方法を学習してきました。 - Gentoo Linux
The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O.例文帳に追加
電流注入により発光する活性層5が、その活性層5よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるn形クラッド層4およびp形クラッド層6により挟持される構造で、前記活性層5がZnと、Oと、O以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。 - 特許庁
The page preferential weight pref (u, v) of each web page vi is calculated first and then the object preferential weight pref (u, o, v) of each object o belonging to Ov is calculated.例文帳に追加
最初に、各ウェブ・ページv_iに対するページ優先順位重みpref(u,v)を計算し、次に、各オブジェクトo∈O_vに対するオブジェクト優先順位重みpref(u,o,v)を計算する。 - 特許庁
To obtain a back-type DC-to-DC converter circuit, that can carry out zero voltage switching, even when an output voltage where the relationship between a DC power supply Vi and an output voltage Vo, Vo<Vi/2 is obtained.例文帳に追加
直流電源V_iと出力電圧V_oの関係がV_o<V_i/2の出力電圧を得る時でも、ゼロ電圧スイッチングを行えるバック型DC−DCコンバータ回路を提供する。 - 特許庁
The semiconductor optical element has an active layer composed of the mixed crystal of four or more elements of a group II-VI chemical compound of group II elements mainly containing Zn and group VI elements containing at least O and containing two or more of S, Se and Te.例文帳に追加
Znを主体とするII族元素と、少なくともOを含みかつS,Se及びTeのうちの2種以上を含むVI族元素とのII−VI族化合物の4元以上の混晶からなる活性層を有することを特徴とする半導体光素子。 - 特許庁
意味 | 例文 (10件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
Copyright 2001-2010 Gentoo Foundation, Inc. The contents of this document are licensed under the Creative Commons - Attribution / Share Alike license. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |