「ohmic」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OHMIC ELECTRODE AND FORMATION THEREOF例文帳に追加

オーミック電極とその形成方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF OHMIC ELECTRODE例文帳に追加

オーミック電極の形成方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH THE OHMIC ELECTRODE例文帳に追加

オーミック電極及びそのオーミック電極を有する半導体素子 - 特許庁

To reduce ohmic contact resistance of an ohmic electrode without fail.例文帳に追加

オーミック電極のオーミックコンタクト抵抗を確実に低減させる。 - 特許庁

Then, an emitter ohmic electrode 109, base ohmic electrode 110, and collector ohmic electrode 111 are formed.例文帳に追加

エミッタオーミック電極１０９、ベースオーミック電極１１０、コレクタオーミック電極１１１を形成する。 - 特許庁

A desired ohmic electrode is selected among a plurality of ohmic electrodes 4a and the desired ohmic electrode is made to be an electrode of PIN diode.例文帳に追加

このオーミック電極４ａの中から所望のオーミック電極を選択し、ＰＩＮダイオードの一方の電極とする。 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING OHMIC ELECTRODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

オーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING OHMIC ELECTRODE例文帳に追加

オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置 - 特許庁

Gate fingers are disposed between the drain ohmic contacting portion and source ohmic contacting portion.例文帳に追加

ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間に、ゲートフィンガが配置されている。 - 特許庁

MULTILAYER/HIGH REFLECTIVITY OHMIC CONTACT POINT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体デバイス用多層・高反射性オーミック接点 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

オーミック電極の形成方法及び半導体素子 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体装置のオーム性電極 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

オーミック電極及びその製造方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE FOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

発光素子及び半導体素子用オーミック電極構造 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P TYPE OHMIC JUNCTION TO NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体へのＰ型オーム性接合形成方法 - 特許庁

An electrode film is formed on the ohmic film.例文帳に追加

電極膜はオーミック膜上に形成される。 - 特許庁

SILVER-CONTAINING METAL OHMIC CONTACT ELECTRODE例文帳に追加

銀含有金属オーミック接触電極 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

オーミック電極構造体およびその製造方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

オーミック電極およびその製造方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE, AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加

オーミック電極およびその形成方法 - 特許庁

CONDUCTIVE PASTE FOR FORMING OHMIC ELECTRODE例文帳に追加

オーミック電極形成用導体ペースト - 特許庁

SEMICONDUCTOR OHMIC CONTACT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

半導体のオ—ム・コンタクト及びその製作方法 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF FORMING OHMIC ELECTRODE例文帳に追加

電子デバイス及びオーミック電極形成方法 - 特許庁

OHMIC CONTACT STRUCTURE ON P-TYPE GaN例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ上のオーム接触構造 - 特許庁

OHMIC CONTACT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のオーミックコンタクト構造 - 特許庁

The p-type ohmic electrode 105 is made of Ni.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極１０５はＮｉからなっている。 - 特許庁

A first ohmic electrode is formed on the contact layer.例文帳に追加

コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE AND MANUFACTURE OF IT例文帳に追加

オーミック電極およびその製造方法 - 特許庁

To reduce a contact resistance of an ohmic electrode.例文帳に追加

オーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING OHMIC LAYER BY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

プラズマ化学蒸着によるオーミック層形成方法 - 特許庁

OHMIC CONNECTION FORMING METHOD OF WIDEBAND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ワイドバンド半導体のオーミック接続形成方法 - 特許庁

ORGANIC ADHESION LIGHT EMITTING ELEMENT WITH OHMIC METAL BULGE例文帳に追加

オーミック金属バルジを有する有機接着発光素子 - 特許庁

It is sintered over 400°C to form an ohmic electrode.例文帳に追加

その後、400℃以上でシンターしてオーミック電極とした。 - 特許庁

ELECTRODE PATTERN FOR OHMIC-RESISTANCE HEATING ELEMENTS, AND SUBSTRATE TREATING DEVICE例文帳に追加

抵抗加熱素子用電極パターン及び基板処理装置 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR, AND OHMIC ELECTRODE MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

炭化珪素半導体のオーミック電極構造及び、炭化珪素半導体のオーミック電極製造方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ半導体用オーミック電極、ＳｉＣ半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

A source ohmic electrode 16, a gate Schottky electrode 17 and a drain ohmic electrode 18 are provided on the second semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２半導体層１９の上にソースオーミック電極１６、ゲートショットキ電極１７、およびドレインオーミック電極１８を備える。 - 特許庁

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

The P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B and the semiconductor crystal are electrically connected together through the intermediary of the metal layer 2 in an ohmic manner.例文帳に追加

Ｐ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂと半導体結晶１との金属層２を介しての電気接続はオーミック特性を有している。 - 特許庁

A source electrode 5 is brought into ohmic connection to the source contact layer 4a while a drain electrode 6 is brought into ohmic connection to the drain contact layer 4b.例文帳に追加

ソ−スコンタクト層４ａにソ−ス電極５をオ−ミック接続し、ドレインコンタクト層４ｂにドレイン電極６をオ−ミック接続する。 - 特許庁

A passivation capping layer 42 overlies the ohmic contact and has an oxidation rate which is less than the oxidation rate of the ohmic contact.例文帳に追加

パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 - 特許庁

The non-alloy ohmic contact layer is interposed between the metal layer and the luminous structure, thus achieving required ohmic contact.例文帳に追加

非合金オームコンタクト層は金属層と発光構造の間に介装され、これにより必要なオームコンタクトを達成する。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an ohmic electrode which is ohmic-bonded to an SiC semiconductor substrate using silicon carbide as a material.例文帳に追加

炭化ケイ素を材料とするＳｉＣ半導体基板にオーミック接合するオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

A second ohmic contact layer, which is brought into ohmic contact with the surface layer of the luminescence laminate structure, is formed on the front surface of the luminescence laminate structure.例文帳に追加

発光積層構造の表面上に、発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する。 - 特許庁

An ohmic contact with AlGaN is difficult, however, ohmic contact can readily obtained, by interposing the P-type GaN layer 18.例文帳に追加

ＡｌＧａＮとのオーミック接触は困難であるが、Ｐ型ＧａＮ層１８を介在させることでオーミック接触を容易に得ることができる。 - 特許庁