「p-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加

ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜／トンネル酸化膜／第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The p+ layer 3 extends in a lateral direction from a p-type electrode end, and the width Lp of the p+ layer is larger than the width of the p-type electrode.例文帳に追加

ｐ＋層３はｐ型電極端部から横方向に延在し、ｐ＋層の幅Ｌｐが前記ｐ型電極の幅よりも大きい。 - 特許庁

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown.例文帳に追加

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加

ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

Type p to display your disk's current partition configuration: 例文帳に追加

現在のディスクのパーティション情報を表示するにはpを入力します。 - Gentoo Linux

Omit the -p if the user does not have a password.Otherwise, when prompted, type the password. 例文帳に追加

ユーザーにパスワードがない場合は -p を省略します。 - NetBeans

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

By these processes, hydrogen content in a clad layer 506 of p-type (Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P is lowered.例文帳に追加

これにより、p型（Al_0.7Ga_0.3）_0.5In_0.5Pクラッド層５０６中の水素含有量を低減する。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a p-type GaN layer.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層１３上にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

A P well 4 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板７の表面にＰウェル４が形成されている。 - 特許庁

The p-side electrode 17p is provided on the p-type region.例文帳に追加

ｐ側電極１７ｐは、ｐ型領域の上に設けられている。 - 特許庁

The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加

p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

A p-side electrode is electrically connected to the p-type contact layer 14.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１４にはｐ側電極が電気的に接続される。 - 特許庁

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

The p-side electrode 15 is connected to the p-type surface 20ap.例文帳に追加

ｐ側電極１５は、ｐ型表面２０ａｐに接続されている。 - 特許庁

An p-side electrode 22 is connected to the p-type doping region 20.例文帳に追加

ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.例文帳に追加

表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

A buried layer is formed by selective growth, and the structure of a p-type clad layer has an inverse trapezoidal shape, so that the resistance of the p-type clad layer and the resistance of the p-type contact layer can be reduced.例文帳に追加

埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

The p-type window layer 8 is made of a conductive p-type GaP transmitting an infrared ray and doped with zinc as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ウインドウ層８は、赤外線を透過でき、ｐ型のドーパントとして亜鉛がドープされた導電性のｐ型ＧａＰからなる。 - 特許庁

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING COMPOSITION, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加

ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device being capable of reducing a contact resistance between a p-type contact layer and a p-type electrode and having the p-type electrode.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加

埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁

A p-type well 22 of a photoelectric conversion part and a p-type well 24 of a signal scanning circuit part in a photodiode are formed on a p-type substrate 20.例文帳に追加

ｐ型基板２０上にフォトダイオードの光電変換部のｐ型ウェル２２と、信号走査回路部のｐ型ウェル２４が形成される。 - 特許庁

A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１５０とｐ型ヘテロバッファ層１６０の間に、常に一定量の歪みを与えるｐ型ＡｌＡｓ層１６５を挿入する。 - 特許庁

A ridge Ri is formed which comprises the p-type clad layer 104, the p-type contact layer 105, and the p-type ohmic electrode 106.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１０４、ｐ型コンタクト層１０５およびｐ型オーミック電極１０６からなるリッジ部Ｒｉが形成されている。 - 特許庁

The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加

ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁

The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加

リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The p-type guide layer 16 has a super lattice structure wherein a p-type AlGaN layer and p-type GaN layer are alternatively repeatedly stacked a plurality of times.例文帳に追加

ｐ型ガイド層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層を交互に複数回繰り返し積層した超格子構造を有している。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of the P-type well area 52C is formed, and a MOS transistor is formed in the P-type well area 52C.例文帳に追加

Ｐ型ウエル領域５２Ｃの底部に接するＰ＋型埋め込み層５５を設け、Ｐ型ウエル領域５２Ｃの中にＭＯＳトランジスタを設ける。 - 特許庁

A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加

ソース領域７およびドレイン領域９は、ｎ型エピタキシャル層４に接続されている。 - 特許庁