「pn junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A junction withstand voltage is lower in the pn junction regions 22, 23 than in the pn junction region 21 of the resistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域２２、２３は、抵抗１のＰＮ接合領域２１より接合耐圧が低い。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON FILM, METHOD FOR FORMING PN JUNCTION, AND PN JUNCTION FORMED BY USING THE SAME例文帳に追加

シリコン膜の形成方法、ｐｎ接合の形成方法、及びこれを用いて形成されたｐｎ接合 - 特許庁

OXIDE SEMICONDUCTOR PN JUNCTION DEVICE例文帳に追加

酸化物半導体ＰＮ接合デバイス - 特許庁

PN JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオード - 特許庁

The temperature sensor is a pn junction silicon diode.例文帳に追加

温度センサは、ｐｎ接合シリコンダイオードである。 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法 - 特許庁

DIELECTRIC EMITTER HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合を有する誘電体放出器 - 特許庁

METHOD OF FORMING EXTREMELY SHALLOW PN JUNCTION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

PN JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合素子及びその製造方法 - 特許庁

The generated electron is detected in the PN junction.例文帳に追加

この電子は、ＰＮ接合にて検出される。 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL, AND METHOD OF FORMING pn JUNCTION例文帳に追加

結晶成長法及びｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

To inhibit leakage current occurring at a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合におけるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To suppress a parasitic resistance of a pn junction diode.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオードの寄生抵抗を抑制すること。 - 特許庁

PN junction is exposed to the side of the stand-like part 20.例文帳に追加

ＰＮ接合を台状部分２０の側面に露出させる。 - 特許庁

The pn junction contains a polycrystal silicon.例文帳に追加

ｐｎ接合は、多結晶シリコンを含みうる。 - 特許庁

The pn junction areas 34 and 35 are lower in junction withstand voltage than the pn junction areas 32 and 33 of the MOS transistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域３４、３５は、ＭＯＳトランジスタ１のＰＮ接合領域３２、３３より接合耐圧が低い。 - 特許庁

The pn junction areas 21 and 22 are lower in junction withstand voltage than the pn junction area 20 of the npn transistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域２１、２２は、ＮＰＮトランジスタ１のＰＮ接合領域２０より接合耐圧が低い。 - 特許庁

A pn junction behaves as a diode, so it becomes conductive if the gate voltage gets reversed. 例文帳に追加

pn接合はダイオードとして動作するので,ゲートの電圧が逆転すると,伝導性を持つようになる． - コンピューター用語辞典

By spot light irradiation Lgt, the reverse current of the PN junction of the photodiode PD1 is increased.例文帳に追加

スポット光照射Lgtにより、フォトダイオードPD1のPN接合の逆方向電流は増大する。 - 特許庁

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

Thus, an exposed part 5A of the PN junction surface 5 is away from an anode electrode 8 while the PN junction surface 5 has a wide area.例文帳に追加

そのため、ＰＮ接合面５の露出部５Ａは、アノード電極８からは遠く離れており、また、ＰＮ接合面５は広い面積を有することができる。 - 特許庁

METHOD OF LINEARITY ADJUSTMENT, MANUFACTURING METHOD OF PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE, AND PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE例文帳に追加

直線性調整方法、ＰＮ接合型可変容量ダイオードの製造方法、およびＰＮ接合型可変容量ダイオード - 特許庁

This solar cell is provided with a pn junction, and a layer composing the pn junction is an In0.1Ga0.9As layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にｐｎ接合を具えていて、このｐｎ接合を構成する層を、Ｉｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ａｓ層とする。 - 特許庁

To provide a pn junction photovoltaic device of photo-conductive organic semiconductor, that is, an organic solar cell, where a light irradiating the solar cell is much absorbed by an active zone near a pn junction, and the solar cell is made low in internal resistance.例文帳に追加

太陽電池セルで、照射した光がｐｎ接合近傍の活性域で多く吸収され、かつ、内部抵抗が低くなるようにする。 - 特許庁

The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加

第１のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度は第２のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁

To provide a pn junction diode device which can further be reduced in size and also provide a method of manufacturing the same pn junction diode device.例文帳に追加

より小型が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR JUNCTION ELEMENT, PN-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

ｎ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子および光電変換装置 - 特許庁

To increase a junction area of a pn junction diode and to enable cost reduction thereof.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor element in which a PN junction and a Schottky junction are arranged adjacently.例文帳に追加

ＰＮ接合とショットキ接合とが隣接した、信頼性の高い半導体素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウエハ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR BOARD HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハの製造方法 - 特許庁

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PN JUNCTION WITH VOLTAGE ABSORBING EDGE例文帳に追加

電圧吸収エッジを有するｐｎ接合を含むＳｉＣ半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING REPETITIVE pn JUNCTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加

繰り返しｐｎ接合の形成方法及びそれを用いた半導体装置 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTALLINE WAFER HAVING pn JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

After the PN junction is formed, the semiconductor chip is sealed with a resin.例文帳に追加

このＰＮ接合部を形成した後に、半導体チップを樹脂で封止する。 - 特許庁

A first PN junction diode is connected to the current detecting resistor.例文帳に追加

電流検出抵抗には、第１のＰＮ接合ダイオードが結合されている。 - 特許庁

Furthermore, the pn junction has an inactivation layer adjacent to the edge area.例文帳に追加

さらに、ｐｎ接合が、エッジ面に隣接した不活性化層を有する。 - 特許庁

To reduce pn junction leakage at a low voltage in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの低電圧でのｐｎ接合リークを低減する。 - 特許庁

The Ge density of the SiGe layer 24 is made small near to a PN junction 23.例文帳に追加

ＳiＧe層２４のＧe濃度をＰＮ接合２３に近い程小さくする。 - 特許庁