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semiconductor quantum structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 232件
QUANTUM NANO-STRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
量子ナノ構造半導体レーザ - 特許庁
PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE例文帳に追加
半導体量子ドット構造の製造方法 - 特許庁
MULTIPLEX QUANTUM WELL STRUCTURE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT例文帳に追加
多重量子井戸構造半導体発光素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
半導体量子井戸構造およびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
半導体量子ドット構造及びその製造方法 - 特許庁
QUANTUM WELL STRUCTURE, OPTICAL CONFINEMENT TYPE QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER, SPECTROGRAPH, AND MANUFACTURING METHOD OF THE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加
量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法 - 特許庁
QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, SPECTRAL MEASURING INSTRUMENT AND METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加
量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING QUANTUM DOTS, SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
量子ドットを有する半導体構造体の製造方法、半導体構造体、及び半導体装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE例文帳に追加
半導体積層構造の製造方法及び半導体量子ドット構造の製造方法 - 特許庁
FORMATION OF QUANTUM DOTS, QUANTUM DOT STRUCTURE FORMED THEREBY AND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT LASER例文帳に追加
量子ドットの作製方法並びに該方法により作製された量子ドット構造及び半導体量子ドットレーザ - 特許庁
A first magnetic semiconductor multiple quantum well structure 2, a non-magnetic semiconductor quantum well structure 3 and a second magnetic semiconductor multiple quantum well structure 4 are formed in this order on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1上に、第1の磁性半導体多重量子井戸構造2、非磁性半導体量子井戸構造3、及び第2の磁性半導体多重量子井戸構造4を順次形成する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL APPARATUS HAVING QUANTUM DOT STRUCTURE例文帳に追加
量子ドット構造を備えた半導体光装置の製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING QUANTUM STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
量子構造体を有する半導体素子とその製造方法 - 特許庁
FORMATION METHOD OF POSITION-CONTROLLED QUANTUM DOT OF NITRIDE SEMICONDUCTOR IN DROPLET EPITAXY, QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE例文帳に追加
位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE, AND FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
量子井戸構造を有する半導体素子、および半導体素子を形成する方法 - 特許庁
To provide a semiconductor laser having a multiple quantum well structure (MQN).例文帳に追加
多重量子井戸構造(MQN)の半導体レーザを提供する。 - 特許庁
A semiconductor device 1 comprises an active region 3 having quantum well structure.例文帳に追加
半導体素子1は、量子井戸構造を有する活性領域3を含む。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
量子井戸構造を有する半導体光素子およびその製造方法 - 特許庁
METHOD OF GROWING CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, STRUCTURE OF QUANTUM WALL, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor lower layer in repetitive structure of an electron barrier layer and a quantum well layer.例文帳に追加
電子障壁層と量子井戸層の繰返し構造を有する半導体下層を備えている。 - 特許庁
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LASER, AND QUANTUM WIRE STRUCTURE例文帳に追加
半導体装置の製造方法,半導体レーザの製造方法,及び量子細線構造の製造方法 - 特許庁
The waveguide structure has a quantum well structure 20 layered on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加
導波構造は半導体基板10上に積層される量子井戸構造20を備えている。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING QUANTUM WELL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加
量子井戸構造の形成方法および半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
Si BASED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
量子井戸構造を有するSi系半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁
The semiconductor crystal may have a structure having a double hetero junction or a structure having a quantum well structure.例文帳に追加
半導体結晶がダブルへテロ接合を有する構成でもよいし、量子井戸構造を有する構成でもよい。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING DUAL BARRIER LAYERS, SEMICONDUCTOR LASER EMPLOYING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
二重障壁層を備える量子井戸構造体を含む半導体素子とそれを採用した半導体レーザ、及びその製造方法 - 特許庁
As for a quantum logic element which uses the electron state of a semiconductor quantum structure, inter-polarization interaction between excitons having polarization in a semiconductor quantum well structure is used.例文帳に追加
本発明は、半導体量子構造の電子状態を利用した量子論理素子に関し、半導体量子井戸構造中の分極を有する励起子間の分極間相互作用を利用する。 - 特許庁
To realize a highly efficient quantum dot device which reflects narrow state density of quantum dot by forming a semiconductor quantum dot structure with highly uniform size distribution.例文帳に追加
高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。 - 特許庁
To provide the fine structure of a compound semiconductor containing a quantum box and a quantum small wire in a small number of processes.例文帳に追加
少ない工程数により、量子箱や量子細線を含む化合物半導体の微細な構造を提供すること。 - 特許庁
To provide a quantum semiconductor device having a quantum dot proximity laminate structure which actualizes a high uniformity and light emission characteristics.例文帳に追加
高い均一性と発光特性を実現する量子ドット近接積層構造の量子半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including quantum well structure having dual barrier layers, a semiconductor laser employing the semiconductor device, and methods of manufacturing the semiconductor device and the semiconductor laser.例文帳に追加
二重障壁層を備える量子井戸構造体を含む半導体素子とそれを採用した半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device excellent in a steepness property of an interface inside quantum well structure.例文帳に追加
量子井戸構造内の界面の急峻性に優れた半導体素子を提供する。 - 特許庁
To provide a technique which enables formation of quantum well structure using an Si based semiconductor.例文帳に追加
Si系半導体を用いて量子井戸構造を形成できる技術を提供する。 - 特許庁
QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR ELEMENT EMPLOYING IT AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
量子井戸構造およびそれを用いた半導体素子ならびに半導体素子の製造方法 - 特許庁
To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加
本発明は、従来より厚みの厚いIn組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a high-performance quantum-dot device, which reflects the narrow-state density of the quantum dots by forming the structure of the semiconductor-quantum dots having the highly uniform size distribution.例文帳に追加
高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。 - 特許庁
QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, OPTICAL TRANSMITTING MODULE, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加
量子井戸構造および半導体発光素子および光送信モジュールおよび光伝送システム - 特許庁
SOLID-STATE NMR QUANTUM COMPUTER USING SEMICONDUCTOR CRYSTAL HAVING ISOTOPE SUPER-GRATING STRUCTURE例文帳に追加
同位体超格子構造を有する半導体結晶を用いた固体NMR量子計算機 - 特許庁
Si SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM STRUCTURE INCLUDING METAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
金属層を有する量子構造を備えたSi系半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE FOR INCREASING EFFECTIVE PHOTOCURRENT GENERATING CAPABILITY例文帳に追加
有効光電流発生能を増大させた量子井戸構造を有する半導体光変調器 - 特許庁
The electron energy level of the quantum well structure can be obtained easily, the energy band structure of the quantum well structure is specified, and the design of a semiconductor device can be supported.例文帳に追加
量子井戸構造の電子エネルギー準位を簡単に求めることができ、量子井戸構造のエネルギーバンド構造を特定し、半導体装置の設計を支援することができる。 - 特許庁
To obtain a semiconductor quantum dot element provided with high density quantum dots having a peak-like state density of steep energy width by arranging the thickness of quantum dot structure arbitrarily.例文帳に追加
量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。 - 特許庁
To provide a quantum well structure, semiconductor laser, spectral measuring instrument and method of manufacturing the quantum well structure in which performance of characteristics can be improved by accomplishing the quantum well structure in which a large crystal of In composition thicker than the prior art is made into quantum well layer.例文帳に追加
本発明は、従来より厚みの厚いIn組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
A quantum well layer 22 in the quantum well structure has an intersection region 22a intersecting a virtual plane approximately perpendicular to the arrangement direction of the quantum well structure with respect to the semiconductor substrate 10, and the real part of the dielectric constant of the quantum well structure is negative to THz waves at a predetermined wavelength.例文帳に追加
量子井戸構造内の量子井戸層22は、半導体基板10に対する量子井戸構造の配列方向に略直交する仮想平面と交差している交差領域22aを有し、量子井戸構造の誘電率の実数部は所定波長のTHz波に対して負である。 - 特許庁
A semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 13, and an active layer 12 having a multilayer quantum well structure sandwiched by the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
半導体発光装置は、n型半導体層11とp型半導体層13とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層12とを有している。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加
量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びMBE装置の状態を管理する方法 - 特許庁
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