set-backの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
To set an elevator frame, a lower platform and a personnel cage back to a set-back position in suspension work near an elevator for avoiding interference with a crane and smoothing work.例文帳に追加
エレベータ近傍での吊り込み作業時には、エレベータフレーム、下部プラットホーム、人員ケージをともにセットバック位置に待避させることで、クレーンとの干渉を避け、作業の円滑化を図る。 - 特許庁
The film thickness in the down track direction of the air bearing surface part is preferably not larger than half the film thickness of the set-back part.例文帳に追加
好ましくは、浮上面部分のダウントラック方向の膜厚を後退部分の膜厚に比べて1/2以下とする。 - 特許庁
To provide a segment joining structure capable of suppressing the set-back necessary for the segment assembly to be small, and preventing the misalignment of each segment.例文帳に追加
セグメント組立てに必要なセットバック量を小さく抑えると共に、各セグメントの目違いも防止できるセグメントの接合構造を提供する。 - 特許庁
The annular body 20 includes at least one radial slot associated with clamping means, and includes a set-back portion 21 in its face facing towards the stator structure 10.例文帳に追加
環状の本体20は、クランプ手段に関連して設けられている少なくとも1つの径方向のスロットを有し、且つステータ構造体10に面している面にセットバック部分21を有する。 - 特許庁
The line extending along the short side of the base part at the position of the folded part of the locking part suppresses the set-back in assembling the segment to be smaller than that of a conventional structure in which a joint in a diagonally intersected condition only at the line in the axial direction of the tunnel.例文帳に追加
そして、係止部の折曲部分位置で基部の短辺に沿って延びる線がトンネル軸方向線だけに斜交状態となる継ぎ手を用いる従来構造よりも、セグメント2組立て時のセットバック量を小さく抑える。 - 特許庁
When the first end cutting edge group 18 positioned at the tip of the tool wears away, the second end cutting edge group 20 put in the set-back position is located at the tip of the tool instead of the first end cutting edge group 18 by re-polishing the first end cutting edge group 18.例文帳に追加
工具先端に位置する第1の底刃群18が磨耗したときには、第1の底刃群18を再研磨することによって、後退位置の第2の底刃群20が、第1の底刃群18に代わって、工具先端に位置するようになる。 - 特許庁
A method for manufacturing a compound semiconductor device comprises a step of forming a delta-doped layer 112, having impurity concentration higher than that of a collector layer 103 on a region of about 10 nm or smaller, from a heterojunction interface to a set-back layer 104 of a collector layer 103, having a band gap larger than that of a base layer 105.例文帳に追加
ベース層105よりもバンドギャップが大きいコレクタ層103におけるセットバック層104とのヘテロ接合界面から10nm程度以内の領域に、コレクタ層103よりも不純物濃度が高いデルタドープ層112が形成されている。 - 特許庁
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