「sog-10」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This semiconductor integrated circuit device reduces the SOG amount exposed at a lateral wall of an opening 10 and the degassing amount from an SOG film by making the shape of the opening 10, into which plugs 11 constituting a part of the first guard ring GL1 and the second guard ring GL2 are embedded, into a hole pattern.例文帳に追加

第１のガードリングＧＬ_1 、第２のガードリングＧＬ_2 の一部を構成するプラグ１１が埋め込まれる開口部１０の形状を穴パターンとすることにより、開口部１０の側壁に露出するＳＯＧ量を低減して、ＳＯＧ膜からの脱ガス量を減少させる。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

Thereby, the SOG solution layer 2 is changed into a diffraction pattern layer 12 having a rugged surface complementary to the rugged surface of the mother mold 1 and a composite material 10 made by adhering the diffraction pattern layer 12 onto the substrate 3 is provided.例文帳に追加

これにより該ＳＯＧ溶液層２が該母型１の凹凸面と相補的な凹凸面を有する回折パターン層１２へと変化するとともに、該回折パターン層１２が該基板３に固着した複合体１０を得る。 - 特許庁

After connection hole wirings 10 are buried in the contact holes, a modified SOG film 11 and an upper metal wiring layer 12 are formed using the damascene method.例文帳に追加

コンタクトホール９ａ，９ｂ内に接続孔配線１０を埋め込んだ後、ダマシン法を用いて、改質ＳＯＧ膜１１及び上層金属配線１２を形成する。 - 特許庁

After a diffused resistance wiring 15 is formed on a main surface side of a single crystal silicon substrate 10 and a silicon nitride film 19a is formed, the main surface side of the single crystal silicon substrate 10 is planarized by coating an SOG film by rotating the substrate 10.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加

第１の配線２上に中間メタル１０を形成し、第２の絶縁膜３、ＳＯＧ溜まり４および第３の絶縁膜５からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル１０が露出するまで、ＣＭＰにより平坦化を行い、中間メタル１０上に第２の配線１１を形成する。 - 特許庁

Furthermore, since the dimension adjusting layer 10 protects the surface of the nano-column 6, uniformity of embedding causing the problem in surface protection by burying an SOG will not causes problems, and the surface protection excelling in controllability and reproducibility can be realized.例文帳に追加

また、径調整層１０はナノコラム６の表面を保護するので、ＳＯＧの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 - 特許庁

Since the very low refractive index porous SOG film has the dispersion of the film thickness of not more than 2 μm and film thickness within a ±10 Å range, it can be used as an intermediate layer between the transparent substrate of the display window material which is adjusted to the request level for practical use, and a transparent electrode.例文帳に追加

この超低屈折率多孔質ＳＯＧ膜は、２μｍ以下の膜厚と±１０Å範囲内の膜厚の散布度とを有して構成できるので、実用化のための要求水準に合致したディスプレイ用窓材の透明基板と透明電極との間の中間層として用いることができる。 - 特許庁

Then, by removing the SOG film 26 formed on the upper surface of the drive circuit part 60 by etch-back, a level difference between the upper surface of the drive circuit part 60 and the insulating substrate 10 is mitigated, and the disconnection of the wiring layer 30 near the bottom part of the drive circuit part 60 is prevented.例文帳に追加

そして、さらに駆動回路部６０の上面に形成されたＳＯＧ膜２６をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部６０の上面と絶縁性基板１０との間の段差を緩和し、駆動回路部６０の底部近傍で配線層３０が断線することを防止する。 - 特許庁

A substrate W where solution containing a silica compound is applied is accommodated into an aging chamber 10, and the mixed gas of ammonia and nitrogen gases and vapor is supplied from a vaporizer 30 to the aging chamber 10 for advancing the crosslinking reaction of the silica compound, thus forming the SOG film on the substrate W.例文帳に追加

シリカ化合物を含む溶液を塗布した基板Ｗをエージングチャンバ１０に収容し、そのエージングチャンバ１０にベーパライザ３０からアンモニアガスと窒素ガスと水蒸気との混合ガスを供給することによってシリカ化合物の架橋反応を進行させ、基板Ｗ上にＳＯＧ膜を成膜する。 - 特許庁

Before making connection by the wiring layer 30 for connecting a drive circuit part 60 of which the height from the insulating substrate 10 to the upper surface is high and a TFT 35 provided on the insulating substrate 10 at a prescribed distance from the drive circuit part 60, an SOG film 26 is formed between the TFT 35 and the drive circuit part 60.例文帳に追加

絶縁性基板１０からその上面までの高さが高い駆動回路部６０と、駆動回路部６０と所定の距離を隔てて絶縁性基板１０上に設けられたＴＦＴ３５とを接続する配線層３０によって接続する前に、ＴＦＴ３５と駆動回路部６０との間にＳＯＧ膜２６を形成する。 - 特許庁

The film base material 10 for the wiring substrate comprises a resin film 11 of a polyimide or a liquid crystal polymer (LCP), a siloxane polymer-containing polymer film 12 made by curing a coating film of an organic SOG solution applied on the resin film 11, and a metallic film 13 formed by soaking the polymer film 12 in a Ni-B electroless plating solution to form a plated underlayer.例文帳に追加

ポリイミドまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に塗布された有機ＳＯＧ溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜１２と、ポリマー膜１２を下地層としてＮｉ−Ｂ無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜１３と、を有する配線基板用フィルム基材１０。 - 特許庁