「solid-state circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

This solid state relay is provided with a light emitting element 46 for emitting a light upon receiving an input signal, and a photo-TRIAC 44 for turning on when receiving this light, and for turning on a TRIAC 45, and an overvoltage protecting circuit 49 incorporated in the TRIAC 44 for turning off a thyristor 44a or 44b when an overvoltage which is a non-repetition peak-off voltage or more is applied.例文帳に追加

本発明のソリッドステートリレーは、入力信号を受けると光を発光する発光素子４６と、この光を受光するとオンし、トライアック４５をオンさせるフォトトライアック４４と、このフォトトライアック４４内に設けられ、非繰り返しピークオフ電圧以上の過渡電圧が印加されると上記サイリスタ４４ａ又は４４ｂをオフさせる過渡電圧保護回路４９ａとを備えている。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus and an integrated circuit for an imaging element that are applied to, for example, video cameras for recording moving picture imaging results, electronic still cameras, and monitoring devices or the like so as to effectively utilize a high degree of freedom of reading imaging results being features of CMOS solid-state imaging elements or the like thereby simplifying the entire configuration and surely attaining rate control.例文帳に追加

本発明は、撮像装置及び撮像素子の集積回路に関し、例えば動画による撮像結果を記録するビデオカメラ、電子スチルカメラ、監視装置等に適用して、ＣＭＯＳ固体撮像素子等の特徴である撮像結果の読み出しに係る高い自由度を有効に利用して、全体構成を簡略化して確実にレート制御することができるようにする。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition suitable for electronic components of an integrated circuit device, a liquid crystal display, a solid-state image sensor, etc., and giving a resin film excellent in sensitivity to radiation and excellent also in light resistance and dielectric characteristics, and to provide a laminate obtained by forming a resin film using the radiation sensitive composition on a substrate and a method for manufacturing the laminate.例文帳に追加

放射線に対する感度に優れ、耐光性にも優れ、更に誘電特性にも優れた樹脂膜を与える、集積回路素子、液晶表示素子、固体撮像素子等の電子部品に好適な感放射線組成物、この感放射線組成物を用いてなる樹脂膜を基板上に形成した積層体、及びこの積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

With such a constitution, a built-in circuit 37 made by the thin film transistor 38 is formed on the same semiconductor substrate 32, whereon a solid-state image pickup element body 36 is formed.例文帳に追加

電荷転送電極４４を構成する２層の多結晶半導体層４５，４６と同時形成の第１層目多結晶半導体層をトランジスタ基板５１とし、第２層目多結晶半導体層をゲート電極５３とした薄膜トランジスタ３８を構成し、この薄膜トランジスタ３８による内蔵回路３７を固体撮像素子本体３６が形成されたと同一の半導体基板３２上のフィールド絶縁層４８上に形成して構成する。 - 特許庁

The capacitor is formed by forming a lower metal layer of at least one kind of valve metal selected from aluminum, tantalum, niobium, tungsten, vanadium, bismuth, titanium, zirconium or hafnium, a dielectric layer composed of an oxide of valve metal in the lower metal layer, an intermediate layer of solid state electrolyte, and an upper metal layer of electrode metal sequentially on an underlying wiring layer in a circuit board.例文帳に追加

回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも１種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。 - 特許庁