「solid-state circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The driving circuit 10 has a diode bridge 11 for converting an ac voltage from an ac power supply 20 to a dc voltage, a solid state relay 12 for switching on and off the dc voltage converted by the diode bridge 11, and a resistor R1 connected between the output terminal of the solid state relay 12 and the connection terminal 13a of the plug socket portion 13.例文帳に追加

上記駆動回路１０は、交流電源２０からの交流電圧を直流電圧に変換するダイオードブリッジ１１と、ダイオードブリッジ１１により変換された直流電圧をオンオフするソリッドステートリレー１２と、ソリッドステートリレー１２の出力端子と差込部１３の接続端子１３aとの間に接続された抵抗Ｒ１を有する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device comprising at least a casing covering a solid-state image pickup element mounted on a circuit board, an IR cut filter provided inside the casing and a lens holder provided with a lens inside and screwed to the upper part of the casing by a screw mechanism, a through part is provided at a position facing the bottom surface of the lens holder of the casing.例文帳に追加

少なくとも、回路基板に搭載された固体撮像素子を覆う筐体と、該筐体内部に具備されたＩＲカットフィルタと、内部にレンズを具備し前記筐体上部にネジ機構により螺合するレンズホルダーを有する固体撮像装置において、前記筐体の前記レンズホルダー底面と対向する位置に貫通部を設けた固体撮像装置とする。 - 特許庁

To provide a stacked solid-state electrolytic capacitor which can reduce variation in element shape without increasing short circuit defects and stably manufacture a thin capacitor element, enables high capacity by increasing the number of stacking of capacitor elements in a solid-state electrolytic capacitor chip, and has small variation in equivalent series resistance, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

短絡不良を増加させること無く素子形状のバラツキを少なく、かつ薄いコンデンサ素子を安定して作製し、固体電解コンデンサチップ内のコンデンサ素子の積層枚数を増やして高容量化を可能とし、さらに等価直列抵抗のバラツキが小さい積層型固体電解コンデンサ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that can be low in power consumption without increasing the circuit scale, and can avoid a state wherein a sensor output terminal has a large DC level difference between a vertical transfer period and a horizontal transfer period.例文帳に追加

回路規模を拡大することなく、低消費電力を実現し、かつ、垂直転送期間と水平転送期間との間でセンサ出力端子に大きな直流的なレベル差が発生する事態を回避することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

While a CPU 25 displays a time denoted by a clock circuit 24 on the liquid crystal display panel 12, the CPU 25 applies drive control to the solid-state image pickup device 14 to pick up the image of the object transmitted through the cells in an optical transmission state and the magic mirror 13.例文帳に追加

ＣＰＵ２５は，計時回路２４の示す時刻を液晶表示パネル１２に表示する一方，固体撮像装置１４を駆動制御して，液晶表示パネル１２の光透過状態にあるセルおよびマジックミラー１３を透過した被写体の像を撮像する。 - 特許庁

To provide a drive circuit of a solid-state imaging device which can generate vertically scanning pulses of which interval changes nonlinearly, pulses other than the vertically scanning pulses and the like without increasing a circuit scale and a communication time for setting an electronic shutter.例文帳に追加

回路規模、及び、電子シャッタの設定のための通信時間を増大させることなく、間隔が非線形に変化する垂直走査用パルス及び該垂直走査用パルス以外のパルス等を生成可能な固体撮像素子の駆動回路を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a CCD solid state imaging device provided with a board bias circuit that can improve the maximum value of output voltage of the board bias circuit without increasing power supply voltage and generate high output voltage even if the power supply voltage is reduced.例文帳に追加

電源電圧を高くすることなく基板バイアス回路の出力電圧の最大値を向上でき、又は電源電圧を低減しても高い出力電圧を発生することのできる基板バイアス回路を有したＣＣＤ固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

After a reset level in the input signal of the solid-state image pickup element 1 receiving the prescribed operating level is clamped to the prescribed level Vref, the level is sampled and held by a sample-hold circuit consisting of the MOS TR4 and the capacitor C4 via the buffer circuit 12.例文帳に追加

所定の動作電位を与えられた固体撮像素子１の出力信号中のリセット電位は所定の電位Ｖｒｅｆにクランプされた後、バッファ回路１２を経て、ＭＯＳトランジスタＴＲ４と容量Ｃ４で構成されるサンプリングホールド回路でサンプルホールドされる。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 1 includes a pixel part X having a plurality of pixels; a peripheral circuit part Y which is electrically connected to the pixel part X; and a substrate 12 which is disposed to face the peripheral circuit part Y and in which a first wiring 31 that is electrically connected to the peripheral circuit part Y is arranged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、複数の画素を有する画素部Ｘと、画素部Ｘと電気的に接続される周辺回路部Ｙと、周辺回路部Ｙに対向して配置されるとともに、周辺回路部Ｙと電気的に接続される第１の配線３１が設けられた基板１２とを備える。 - 特許庁

In an output circuit 17 for a CCD solid-state imaging apparatus, the output circuit 17 is constituted of a two-stage source follower circuit configuration, and a depletion MOS transistor is employed as a driving MOS transistor 21 for the first stage while the enhancement MOS transistor is employed as the driving MOS transistor 22 for a second stage.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像装置の出力回路１７において、当該出力回路１７を２段ソースフォロア回路構成とし、１段目の駆動ＭＯＳトランジスタ２１としてデプレッションＭＯＳトランジスタを用い、２段目の駆動ＭＯＳトランジスタ２２としてエンハンスメントＭＯＳトランジスタを用いるようにする。 - 特許庁

Photoelectric conversion of an image signal of each pixel imaged in the same frame is confirmed, and various parameters such as a color correction coefficient of a color correction circuit 10, a gradation conversion characteristic by a gradation conversion circuit 11, and an LPF coefficient and a coring count of a coring circuit 12 are switched on the basis of the dynamic range of the solid-state imaging device 2.例文帳に追加

同一フレームで撮像された各画素の画像信号の光電変換を確認し、色補正回路１０の色補正係数や、階調変換回路１１の階調変換特性や、コアリング回路１２のＬＰＦ係数やコアリング計数などの各種パラメータを、固体撮像素子２のダイナミックレンジに基づいて切り換える。 - 特許庁

Whereby, an impurity which diffuses from the surrounding circuit area 3 to the pixel area 2 is caught, the impurity is prevented from diffusing to the pixel area 2, and a solid-state image pickup element excellent in a quality can be attained.例文帳に追加

これにより、周辺回路領域３から画素領域２に対して拡散する不純物を捕獲し、画素領域２に対する不純物拡散が抑制され、高品質な固体撮像素子が実現できる。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus that prevents an image picked up by an XY read type solid-state imaging device from being distorted and suppresses the quantity of generated noise due to a leak of light into a pixel circuit.例文帳に追加

ＸＹ読み出し方式の固体撮像素子による撮像画像の歪みが防止されるとともに、画素回路内への光の漏れ込みに起因するノイズの発生量が抑制された撮像装置を提供する。 - 特許庁

A selection circuit 36 alternately captures the first and second image signals Ya(t), Yb(t) in a timing in response to operating timings of the first and second CCD solid-state imaging devices and outputs the result as an image signal Y(t).例文帳に追加

選択回路３６は、第１及び第２のＣＣＤ固体撮像素子の動作タイミングに応答するタイミングで、第１及び第２の画像信号Ｙa(t)、Ｙb(t)を交互に取り込み、画像信号Ｙ(t)として出力する。 - 特許庁

A column AD conversion circuit 34 converts the pixel signal composed in this manner to a digital type from an analog one before a horizontal signal line 35C transmits the signal for outputting from the solid-state imaging element 3.例文帳に追加

こうして合成された画素信号を、カラムＡＤ変換回路３４によりアナログ形式からデジタル形式に変換した後、水平信号線３５ｃにより伝送して固体撮像素子３から出力する。 - 特許庁

The solid state imaging device consists of a pixel array wherein there are arranged a plurality of unit pixels each including a photodiode and an insulating gate field-effect transistor for photoelectric charge detection, and of a control circuit for controlling the operation of the pixel array.例文帳に追加

固体撮像装置は、フォトダイオードと光電荷検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを有する単位画素が複数配列された画素アレイと、画素アレイの動作を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus wherein capacity coupling of signal lines provided in adjacent columns with each other is reduced even when pixel and column signal output circuit is refined and the degradation of image characteristics is suppressed.例文帳に追加

画素及び列信号出力回路を微細化した場合でも、隣接する列に設けられる信号線同士の容量結合を低減し、画像特性の劣化が抑制された固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To realize an imaging unit for an endoscope which is easy to connect when connecting a plurality of signal wires to the external lead and the circuit substrate of a solid state image pickup device and which improves the reliability of the connection part.例文帳に追加

複数の信号線を固体撮像素子の外部リード及び回路基板に接続する際に、接続し易く、また、その接続部の信頼性を向上することが可能な内視鏡用撮像ユニットを実現する。 - 特許庁

To provide: a semiconductor device that can reduce the effect of noise due to a connection portion between both chips, requires no special circuit for communication, and can resultantly reduce cost; and a solid-state imaging apparatus and a camera system.例文帳に追加

両チップ間の接続部によるノイズの影響を低減でき、通信に特別な回路を必要とせず、結果的にコスト削減を図ることができる半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A solid-state image pickup element 9 consists of a photoelectric cell array 90 that accumulates in every pixel signal charges in response to their exposure time and a read circuit 91 that reads information of the signal charges in the photoelectric cell array 90.例文帳に追加

固体撮像素子９は、露光時間に応じた信号電荷を画素ごとに蓄積する光電セル配列９０と、光電セル配列９０の信号電荷の情報を読出す読出し回路９１とで構成されている。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus is provided with a pixel array part 10 in which a plurality of unit pixels 11 are two-dimensionally arranged and a vertical scanning circuit 31 for successively selecting and scanning a plurality of rows of the pixel array part 10.例文帳に追加

固体撮像装置は、複数の単位画素１１が二次元状に配置されてなる画素アレイ部１０と、画素アレイ部１０の複数行に対して順次選択走査を行う垂直走査回路３１とを具備する。 - 特許庁

A digital process circuit 14 inputs an image signal during a blanking term of a solid-state image sensor 1 in the form of pixels over a plurality of horizontal lines and determines an average value of image signals for each horizontal address of the pixel.例文帳に追加

ディジタルプロセス回路１４は、固体撮像素子１のブランキング期間における画像信号を複数の水平ラインの画素の形で入力し、画像信号の平均値を、画素の水平アドレスごとに求める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid state image sensor in which a photoelectric conversion part, consisting of a semiconductor thin film having excellent crystallinity, can be laminated on a substrate without affecting a drive circuit or an electrode.例文帳に追加

駆動回路や電極に影響を及ぼすことなく、この上部に結晶性に優れた半導体薄膜からなる光電変換部を積層形成することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A line used to apply a voltage to a photoelectric conversion element (102) is used in common to a line used to apply a voltage to a read circuit (106), and the solid-state image pickup apparatus is provided with a means (131) to vary the voltage on the common line (101).例文帳に追加

光電変換素子(102)に電圧を供給する配線と、読出し回路(106)に電圧を供給する配線とを共通化し、その共通化した配線(101)の電圧を変化させるための手段(131)を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup apparatus capable of suppressing variations in clipping operation to the minimum by preventing threshold values of clipping operations from being different per pixel without differently providing a clip circuit for preventing a lateral streak phenomenon.例文帳に追加

横すじ現象の発生防止用のクリップ回路を別途設けることなく、クリップ動作の閾値を画素毎に異ならないように、クリップ動作のばらつきを最小限に抑えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

When the luminance range of a subject to be detected by the detector 4 is smaller than the fixed value (2.5 digits, e.g.) a switch judging circuit 5 judges that the sensor (solid-state image pickup element) 3 should be made to execute linear transformation.例文帳に追加

又、輝度検出装置４により検出する被写体の輝度範囲がある一定の値（例えば、２．５桁）よりも狭くなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ３を線形変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device which can reduce fixed- pattern noise produced when the output signal of the image pickup device varies due to the circuit configuration, etc., of the image pickup device.例文帳に追加

本発明は、固体撮像装置の回路構成などに起因してその出力信号に生じるバラツキによる固定パターンノイズを低減させることが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device that uses a correction circuit to receive a video signal and a noise signal outputted by each column via the same signal line so as to correct dispersion in the sensitivity of each pixel.例文帳に追加

本発明は、各列毎に出力される映像信号とノイズ信号を、同一の信号線で補正回路に送出して、各画素の感度のバラツキ補正を行う固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Pixel data A taken into the storage device 3 and shading correction pixel data B formed of a plurality of samples having the same shading characteristics as those of the solid-state image pickup element of an element to be inspected are taken into a data processing circuit 5.例文帳に追加

記憶器３に取り込んだ画素データＡと、被検査素子の固体撮像素子７と同等のシェーディング特性を持つ複数サンプルから作成のシェーディング補正用画素データＢをデータ処理回路５に取り込む。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which can stop the operation of a column circuit corresponding a column of pixels thinned in column-thinning reading, and reducing power consumption in the column-thinning reading.例文帳に追加

列間引き読み出し時に間引きされる画素の列に対応した列回路の動作を停止させることができ、列間引き読み出し時における消費電力を低減することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A selection circuit 36 alternately capture the first and second image signals Ya(t), Yb(t) in a timing in response to an operation timing of the first and second CCD solid-state imaging elements and provide the output of an image signal Y(t).例文帳に追加

選択回路３６は、第１及び第２のＣＣＤ固体撮像素子の動作タイミングに応答するタイミングで、第１及び第２の画像信号Ｙa(t)、Ｙb(t)を交互に取り込み、画像信号Ｙ(t)として出力する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus which is suppressed with an increase in circuit scale and is excellent in time response and is hardly affected by a variation in voltage of a vertical signal line and is blackening-proof, and to provide its driving method.例文帳に追加

回路規模の増大を抑えつつ、時間応答性に優れ、且つ垂直信号線の電圧ばらつきの影響を受けにくい、黒潰れ対策が施された固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A boosting circuit is integrally constituted on a semiconductor substrate wherein the MOS type solid-state imaging element is constituted while the boosting circuit is constituted so as to comprise a charge pump circuit 11 for changing an input voltage into a voltage higher than the input voltage, and an LDO circuit 12 for converting the input voltage VCP inputted from the charge pump circuit 11 into a smoothed and stabilized voltage OUT and outputting the same.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子が構成された半導体基板上に昇圧回路を一体に構成し、この昇圧回路を、入力電圧を該入力電圧よりも高い電圧に変換するチャージポンプ回路１１と、このチャージポンプ回路１１から入力される電圧ＶＣＰを平滑化され安定化された電圧ＯＵＴに変換して出力するＬＤＯ回路１２と、を含んで構成した固体撮像装置。 - 特許庁

To provide a pulse generating circuit capable of keeping a phase relation between a periodic pulse and a non-periodic pulse which are pulses for driving a solid-state image pickup device in a constant state without influenced by a change or variation in temperature, power supply voltage or element characteristic, and to provide an image pickup device and a camera.例文帳に追加

固体撮像素子を駆動するパルスである周期的パルス及び非周期的パルスの位相関係を、温度、電源電圧、素子特性などの変化やばらつきに影響されることなく一定に保つことができるパルス生成回路、撮像装置及びカメラを提供する。 - 特許庁

In accordance with setting of an analog gain, a control circuit 105 in a solid-state imaging apparatus controls a current value change decoder 130 and a comparator current generating circuit 140 and performs current modulation of each comparator so as to provide a correlation on system between the gain setting and current values of the comparators.例文帳に追加

制御回路１０５がアナログゲインの設定に応じて電流値変更用デコ−ダ１３０及び比較器電流発生回路１４０を制御し、各比較器１０２の電流変調を行うことにより、ゲイン設定と比較器の電流値にシステム上の相関を持たせる。 - 特許庁

The contour emphasis circuit 205 controls a contour emphasis amount in contour emphasis processing when generating images on the basis of the signals of the light receiving part of the solid-state imaging element 102 corresponding to the detected result of the beat noise components or the linear scratches by the vertical line/horizontal line detection circuit 204.例文帳に追加

輪郭強調回路２０５は、縦線・横線検出回路２０４によるビートノイズ成分もしくは線状のキズの検出結果に応じて、固体撮像素子１０２の受光部の信号に基づいて画像を生成する際の輪郭強調処理における輪郭強調量を制御する。 - 特許庁

To provide a signal processing circuit which can perform suitable defective pixel correction processing by locally determining whether defects of pixels of the same color are consective in an array of read pixels without discriminating a readout method of a solid-state imaging element, and to provide an imaging device with the signal processing circuit.例文帳に追加

固体撮像素子の読み出し方法を区別することなく、読み出し画素の配列で同色画素の欠陥が連続しているかどうかを局所的に判別し、適切な欠陥画素補正処理を行うことができる欠陥補正回路及びそれを備えた撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a method of driving the same, and a camera system which can suppress circuit noise which occurs in a bias voltage generating circuit causing image deterioration and an external noise which is generated from a device external portion and goes around to a column processing system, without adding external capacity.例文帳に追加

外部容量を付加することなく、画像劣化の要因となるバイアス電圧の生成回路で生じる回路ノイズやデバイス外部から経由する外部ノイズのカラム処理系への回り込みを抑止することが可能な固体撮像素子およびその駆動方法、カメラシステムを提供する。 - 特許庁

The wide dynamic rage image pickup device quantizes a high sensitive video signal 12 expressing an image generated by a solid state image pickup device 10 by 10-bit resolution through an analog/digital(A/D) conversion circuit 16 and quantizes a low sensitive video signal 14 by 8-bit resolution through an A/D conversion circuit 18.例文帳に追加

広ダイナミックレンジ撮像装置は、固体撮像デバイス10で生成された１つの画像を表わす高感度の映像信号12をアナログ・ディジタル変換回路16によって10ビットの分解能で量子化し、低感度の映像信号14をアナログ・ディジタル変換回路18によって８ビットの分解能で量子化する。 - 特許庁

Not only a solid-state imaging device but also a video signal processor, a display data output circuit, a compressed data generation circuit and the like are comprised of one single chip, and an imaging signal processing apparatus outputs display data so as to interleave compressed data simultaneously therewith.例文帳に追加

固体撮像素子だけでなく、映像信号処理器、ディスプレイデータ出力回路、及び圧縮データ生成回路などが、一つの単一チップより構成され、ディスプレイデータの出力と同時に圧縮データをインターリーブするように出力する撮像信号処理装置である。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is provided with a circuit that has a function of multiplying electric charges generated in a photoelectric conversion layer of a pixel, varies the multiplication factor of the photoelectric conversion layer and calculates the multiplication factor and with a circuit that corrects the strength of the output signal of the pixel in response to the calculated multiplication factor.例文帳に追加

画素の光電変換層に生成した電荷を増倍する機能をもたせ、光電変換層の増倍率を可変にするとともに、増倍率を算出する回路と、画素の出力信号の強度を算出した増倍率に応じて補正する回路を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes a solid-state image pickup device with a plurality of pixel units arranged thereon, each of which has photoelectric conversion elements and a detection circuit for detecting a signal charge converted by the photoelectric conversion elements and which can easily enlarge the detection circuit formation area within the pixel unit.例文帳に追加

光電変換素子と、光電変換素子で変換された信号電荷を検出する検出回路とが形成された画素ユニットが、複数並べられた固体撮像素子を含み、画素ユニット内で検出回路の形成領域を広くとることが容易な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 14 has a light reception surface 14-1 tilted with respect to the surface of the circuit board 11, and is mounted on the surface of the circuit board 11 so that the light reception surface 14-1 is located at the position at which the return light from the document 12 forms an image by the SELFOC lens array 15a.例文帳に追加

固体撮像装置１４は、回路基板１１面に対して傾斜した受光面１４−１を有し、この受光面１４−１が、セルフォックレンズアレー１５ａによって原稿１２の反射光が結像される位置に配置されるように、回路基板１１の表面上に実装される。 - 特許庁

A solid-state imaging module formed on a semiconductor substrate that feeds a voltage to a solid-state imaging element, includes a potential generation circuit for generating a predetermined overflow drain potential signal in accordance with an input bias voltage and a first switch means for turning on or turning off the predetermined overflow drain potential signal to an output terminal in accordance with a first input control signal.例文帳に追加

固体撮像素子に電圧の供給を行う半導体基板上に形成される固体撮像モジュールは、入力バイアス電圧に応じて所定のオーバーフロードレイン電位信号を生成する電位生成回路と、前記所定のオーバーフロードレイン電位信号を、第１の入力制御信号により出力端子へオン・オフさせるための第１のスイッチ手段とを有する。 - 特許庁

An imaging module 11 with a sensor function includes a solid-state imaging device 101 for converting video information into an electric signal, at least one sensor for detecting information other than video information, a connection part 106 for connecting the solid-state imaging device 101, the sensor, and an external circuit, and an insulating resin mold 103 having the sensor and the connection part 106 mounted thereon.例文帳に追加

本発明のセンサ機能付撮像モジュール１１は、映像情報を電気信号に変換する固体撮像素子１０１と、映像情報以外の情報を検知する少なくとも１つのセンサと、固体撮像素子１０１およびセンサと外部回路とを接続する接続部１０６と、固体撮像素子１０１、センサおよび接続部１０６を搭載する絶縁樹脂モールド１０３とを含む。 - 特許庁