「solid-state circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a transistor having an LDD structure by self-alignment by preventing a positional shift without increasing the number of masks or the number of processes when a side wall for transistor formation of the LDD structure in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is formed.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路におけるＬＤＤ構造のトランジスタ形成のためのサイドウォールの形成にあたり、マスク数あるいは工程数の増大を招くことなく位置ずれを防止し、セルフアラインでＬＤＤ構造のトランジスタを形成する。 - 特許庁

In the driving circuit using the solid-state relay 16, the resistance element 12 arranged on the input side has a positive temperature coefficient whose gradient is gentle, and can reduce a value of a current applied to the light emitting element when a temperature is high.例文帳に追加

このソリッドステートリレー１６を使用した駆動回路において、入力側に配置した抵抗素子１２は、ゆるやかな傾きの正の温度係数を有するものであり、高温時に発光素子に流す電流値を少なくすることができる。 - 特許庁

Furthermore, a 2nd engagement section 122 of a pin-like shape is projected from the cover 10 and penetrated through the board 14 and the penetrated tip is fitted to a positioning hole 31 of a printed circuit board 3 on which the solid-state image pickup device 1 is mounted for the positioning.例文帳に追加

また、カバー１０にピン状の第２係合部分１２２を突設して基板１４を貫通させ、貫通した先端部を固体撮像装置１を実装する回路基板３の位置決め孔３１に内嵌して位置決めする構成とした。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device where occurrence of dark electrons on a well surface under a gate electrode can be suppressed, a method of control and a circuit never become complicated, and a problem of an after image or kTC noise never occurs; and to provide a method for driving thereof.例文帳に追加

ゲート電極下のウェル表面での暗電子の発生を抑制することができ、かつ、制御方法や回路が煩雑にならず、また、残像やｋＴＣノイズの問題が生じない固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A silicon nitriding film formed by a plasma CVD method exists on the peripheral circuit part 24 of the outside of at least an imaging area 23, and a solid-state imaging element 1 without having the silicon nitriding film is constituted on the sensor part 11 of the imaging area 23.例文帳に追加

少なくとも撮像領域２３外の周辺回路部２４上に、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜を有し、撮像領域２３内のセンサ部１１上にはこのシリコン窒化膜を有しない固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

When the detection result of the motion detecting circuit 45 is the threshold or less, a normal illumination light source 50 and a specific illumination light source 51 of a light source device 12 are alternately turned on and off at intervals of charge accumulation time of a solid-state image pick-up device 23.例文帳に追加

動き検出回路４５の検出結果が閾値以下の場合は、光源装置１２の通常照明光用光源５０、特殊照明光用光源５１が、固体撮像素子２３の蓄積期間単位で交互に点消灯される。 - 特許庁

The output difference between an R pixel and a Gr pixel is eliminated to make the outputs of the R pixel and the Gr pixel almost the same levels by controlling the D range of the reset gate of the solid-state image pickup device with a drive voltage inputting the outputs to a CDS circuit 100.例文帳に追加

ＣＤＳ回路１００に入力する前に、固体撮像素子のリセットゲート部のＤレンジを駆動電圧で制御することにより、Ｒ画素とＧｒ画素の出力差を無くし、Ｒ画素とＧｒ画素の出力をほぼ同じレベルにする。 - 特許庁

To deposit a film substantially on the same level from an imaging section to a peripheral circuit by reducing stepped portions on a boundary of the imaging section and the peripheral circuit, even if a wiring layer in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is multilayered, and to prevent a dielectric breakdown without exposing a wiring pattern during the etch-back of an upper layer film to improve sensitivity characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性を良好にすること。 - 特許庁

The solid-state image pickup element is constituted by connecting pixel circuits equipped with photodetectors, respectively, and each pixel circuit computes the mean value of the quantity of incident light detected by itself and the quantity of incident light detected by a pixel circuit adjacent to this pixel circuit and varies its photodetection sensitivity range according to the computed mean value to detect the quantity of incident light.例文帳に追加

それぞれフォトディテクタを備えた複数の画素回路が接続されてなる固体撮像素子において、各画素回路は、その画素回路で検出された入射光量とその画素回路に隣接する画素回路とで検出された入射光量との平均値を演算し、その演算された平均値に基いて受光感度範囲を変化させて入射光量を検出する。 - 特許庁

The solid state image pick-up device 28 comprises a pixel region 23 which is formed on the light incident side of a substrate and in which multiple pixels including a photoelectric conversion part PD are arranged, and a peripheral circuit 25 which is formed below the pixel region 23 in the depth direction of the substrate and includes active elements.例文帳に追加

固体撮像装置２８は、基板の光入射側に形成され、光電変換部ＰＤを含む画素が複数配列された画素領域２３と、画素領域２３の基板深さ方向の下部に形成され、能動素子を含む周辺回路部２５を有する。 - 特許庁

To provide an output circuit for an amplification solid-state image pickup device that can sufficiently ensure an operating margin with respect to fluctuation in a threshold voltage and a power supply voltage with a simple configuration and suppress fluctuation in current consumption and is stably operated at a low voltage.例文帳に追加

簡単な構成で、閾値電圧や電源電圧の変動に対して、動作マージンを十分確保できると共に、消費電流の変動を抑えることができ、安定した低電圧動作が可能な増幅型固体撮像装置用出力回路を提供する。 - 特許庁

To provide a noise elimination circut whose its occupied are and power consumption are reduced, no buffer circuit is required for an output of a solid-state image pickup element, the time constant can easily be set to a proper value and a reset noise can sufficiently be eliminated.例文帳に追加

占有面積と消費電力を小さくでき、固体撮像素子の出力にバッファ回路が不要で、時定数が容易に最適な値に設定可能でリセット雑音を充分に除去することができる、固体撮像素子用雑音除去回路を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS type solid-state image pickup element capable of accelerating the transfer speed of electric charges stored in a photoelectric conversion element, and easily forming the capacitor of a peripheral circuit part provided on the outer periphery of a light receiving part, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

光電変換素子に蓄積された電荷の転送速度を向上させるとともに、受光部の外周に設けた周辺回路部のキャパシタの形成を容易に行なうことができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a driver for transferring CCD electric charges where the number of terminals of a timing signal generating means and a vertical drive means of a solid-state image pickup means can be reduced and the circuit scale of the timing signal generating means and the vertical drive means increased by reducing the number of the terminals can be minimized.例文帳に追加

タイミング信号発生手段及び固体撮像素子の垂直駆動手段の端子数の削減を図るとともに、この端子数の削減のために増加するタイミング信号発生手段及び垂直駆動手段の回路規模を最小限に抑える。 - 特許庁

On the circuit board 3, an opening part 3a corresponding to the light receiving part 2a and a plurality of substrate through-holes 3b corresponding to the plurality of through-holes 2d are formed, and the solid-state imaging element 2 is mounted with the light receiving part 2a and the opening part 3a being faced to each other.例文帳に追加

回路基板３には、受光部２ａに対応する開口部３ａと複数の貫通孔２ｄに対応する複数の基板貫通孔３ｂとが形成され、受光部２ａと開口部３ａとを対向させて固体撮像素子２が実装される。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus comprises: photoelectric conversion parts 120r, 120g, and 120b for converting incident light into a signal charge, which are formed on an n-type semiconductor substrate 130; and a signal readout circuit for reading out the signal charge and outputting it as a pixel signal.例文帳に追加

固体撮像装置は、ｎ型半導体基板１３０上に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂと、信号電荷を読み出して画素信号として出力する信号読み出し回路とを備えている。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device for preventing phenomena of ghost and shading (decrease of light quantity in the peripheral region) by preventing a difference in level at a boundary between an effective pixel region and a peripheral circuit portion to thereby make the height of micro lenses constant.例文帳に追加

有効画素領域と周辺回路部との境界部の段差を防止し、マイクロレンズの高さを一定にすることにより、ゴースト及びシェーディング（周辺光量落ち）の現象を防止することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Further, the tap changing circuit 72 is provided with a reference lead-out line T0 of the primary winding 711, plural taps T1, T2, T3 and T4 led out at the different positions of the primary winding 711 and solid-state relays 77, 78, 79 and 80 connected to the taps T1, T2, T3 and T4.例文帳に追加

また、タップ切換回路７２は、一次巻線７１１の基準引出線Ｔ_0と、一次巻線７１１の互いに異なる位置から引き出された複数のタップＴ_1，Ｔ_2，Ｔ_3，Ｔ_4と、各タップＴ_1，Ｔ_2，Ｔ_3，Ｔ_4に接続されたソリッドステートリレー７７，７８，７９，８０を備える。 - 特許庁

To match linearity of a photoelectric conversion characteristic among a plurality of pixels shared by one pixel circuit, and to reproduce a clear image without having color collapse by improving the linearity of the photoelectric conversion characteristic, in a solid-state imaging device.例文帳に追加

固体撮像装置において、１つの画素回路により共有される複数の画素の間で、光電変換特性の線形性を一致させることができ、この光電変換特性の線形性の向上により、色潰れの無い鮮明な画像を再現可能とする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and the like comprising an ADC circuit for each column capable of reducing power consumption and improving actual operational precision by using a clock to be used for a counter with a clock of low frequency by using the counter having bits less than bits of an output digital signal.例文帳に追加

出力デジタル信号のビット数よりも少ないビット数のカウンタを用いることで、カウンタに用いるクロックを低い周波数のクロックを使用でき、それにより消費電力の低減と実動作の精度向上を実現できるカラム毎のＡＤＣ回路を備える。 - 特許庁

A signal processor circuit 4 previously measures the input/output characteristics (relation between the input and output levels of an incident light ) in nonlinear ranges around and above a knee point of a solid state imaging device 1 every pixel and stores the result in a memory 5.例文帳に追加

信号処理回路４により、予め固体撮像素子１のニーポイント前後及びニーポイント以上の直線性の無い領域の入出力特性（入力光の入力レベルと出力レベルとの関係）を画素毎に測定して記憶装置５に記憶しておく。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus compatible with color imaging on the same chip of which an A/D converter is mounted that supplies a reference signal suitable for imaging a color image to a comparator section for A/D conversion while making the circuit scale compact and decreasing the number of transmission signal lines.例文帳に追加

ＡＤ変換装置を同一チップ上に搭載したカラー撮像対応の固体撮像装置において、回路規模や伝送信号線の数をコンパクトにしつつ、カラー画像の撮像に適した参照信号をＡＤ変換用の比較部に供給する。 - 特許庁

To provide a binary conversion circuit which is compact and reduces power consumption so as to be easily integrated in an image sensor, converts clock phase information into a binary value and is capable of performing digital addition/subtraction, to provide a method for the same, and to provide an AD conversion apparatus, a solid-state imaging device, and a camera system.例文帳に追加

イメージセンサに集積しやすいよう小型で低消費電力であり、クロック位相情報をバイナリ値に変換し、かつデジタル加減算可能なバイナリ値変換回路およびその方法、ＡＤ変換装置、固体撮像素子、並びにカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A plurality of detection areas which are formed on different positions at least in the vertical direction are set on an imaging surface of a solid state imaging device and an AF detection processing circuit 20 extracts a high frequency component of each detection area from an image signal obtained by image.例文帳に追加

固体撮像素子の撮像面上に少なくとも垂直方向に対する位置の異なる複数の検波領域が設定され、ＡＦ検波処理回路２０は、撮像により得られた画像信号から検波領域ごとに高周波成分を抽出する。 - 特許庁

This solid-state imaging apparatus includes two charge-voltage conversion parts 14, 18; the respective charge-voltage conversion parts 14, 18 are reset based on two-phase reset pulse signals CK1 and CK2 having phases different from each other; and the respective output signals thereof are output by alternately changing over them to each other by a switch circuit 30.例文帳に追加

２つの電荷電圧変換部１４、１８を有し、位相の異なる２相のリセットパルス信号ＣＫ１、ＣＫ２に基づいて各電荷電圧変換部１４、１８をリセットし、それぞれの出力信号をスイッチ回路３０で交互に切り換えて出力する。 - 特許庁

When the luminance of a subject detected by a luminance signal sent from an area sensor (solid state image pickup element) 3 is brighter than a certain fixed value (e.g. 700 cd/m2), a switching judgment circuit 5 judges that the area sensor 3 is allowed to execute logarithmic transformation operation.例文帳に追加

エリアセンサ（固体撮像素子）３より送出される輝度信号によって検出される被写体の輝度がある一定の値（例えば、７００ｃｄ／ｍ^2）よりも明るくなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ３を対数変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁

A CDS circuit 100 samples a small signal outputted from a pixel with a small storage amount of signal charges by emitting R and B rays to the solid-state image pickup element provided with a complimentary color checkered filter so as to discriminate presence or absence of a transfer defect from the sampled data.例文帳に追加

補色市松フィルタを配置した固体撮像素子にＲ光やＢ光を照射して、信号電荷の蓄積量の小さい画素から出力される小信号をＣＤＳ回路１００でサンプリングし、そのデータ値から転送欠陥の有無を判定する。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.例文帳に追加

デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus with a column A/D conversion circuit 106 which converts a pixel signal S103 output by a pixel 101 into a digital signal, the column A/D conversion circuit 106 is provided with a comparator 107 which outputs a result (comparison result signal S123) of voltage comparison between the pixel signal S103 and analog lamp voltage S122.例文帳に追加

画素１０１が出力した画素信号Ｓ１０３をデジタル信号に変換するカラムＡ／Ｄ変換回路１０６を備えた固体撮像装置において、カラムＡ／Ｄ変換回路１０６に、画素信号Ｓ１０３とアナログランプ電圧Ｓ１２２との電圧比較の結果（比較結果信号Ｓ１２３）を出力する比較器１０７を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing a solid-state imaging device includes: a step for forming an imaging area and a peripheral circuit area on a substrate; a step for forming a plurality of wiring patterns so that the wiring pattern density of the peripheral circuit area may be higher than that of the imaging area; and a step for forming an insulation film to embed among the wiring patterns.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁

A bias voltage is applied to a source of a MOS transistor of a CMOS circuit section being a component of the solid-state imaging device and destruction of the device is prevented by escaping signal electric charges supplied from the photoelectric conversion film and stored in the drain of the transistor to a substrate of the CMOS circuit section when the voltage applied to the drain of the transistor reaches a prescribed voltage.例文帳に追加

固体撮像素子を構成するCMOS回路部のMOSトランジスタのソースにバイアス電圧を印加し、前記ドレインに印加される電圧が所定の電圧に達したときに、前記光電変換膜から供給され、及び前記ドレインに蓄積された信号電荷を、前記CMOS回路部の基板へ逃がすことにより素子の破壊を防止する。 - 特許庁

An acoustic apparatus comprising a voice coil 12 of concentric cylinders fixed to a speaker diaphragm 11 and a magnetic circuit magnetically coupled with the voice coil 12 is characterized in that the solid-state imaging apparatus 30 is placed in the center of the micro speaker 10 forming the magnetic circuit so as to be opposite to the speaker diaphragm 11.例文帳に追加

スピーカ振動板１１に固着された同心円筒状のボイスコイル１２と前記ボイスコイル１２と磁気的に係合する磁気回路からなる音響装置において、前記磁気回路を形成するマイクロスピーカ１０の中心部に固体撮像装置３０を前記スピーカの振動板１１と向き合うように配設したことを特徴とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a circuit board mounted with an imaging element and the case covering the circuit board, and also has the filter holding unit holding the IR cut filter, the IR cut filter bonded to the filter holding unit, and a lens in the case, wherein the IR cut filter is provided with the recessed part or an opening for preventing an adhesive from flowing out.例文帳に追加

撮像素子を実装した回路基板と、前記回路基板を覆う筐体とを有し、前記筐体内部にはＩＲカットフィルタを保持するフィルタ保持部と、フィルタ保持部に接着されたＩＲカットフィルタと、レンズとを有する固体撮像装置において、前記ＩＲカットフィルタに接着剤の流出を防止するための凹部または開口を設けた。 - 特許庁

The infrared solid state imaging device includes a detection array (502) which is arranged a plurality of arrays of a pixel containing the field effect transistor as the heat sensitive body which outputs the temperature change as the electric signal change, a predetermined load (704) forming the grounded source amplifier circuit connecting to the field effect transistor, a signal reading circuit (509) which reads the output signal of the grounded source amplifier circuit.例文帳に追加

赤外線固体撮像装置は、温度変化を電気信号の変化として出力する感熱体として電界効果トランジスタを含む画素が複数個アレイ状に配置されてなる検出器アレイ（５０２）と、電界効果トランジスタと接続され、ソース接地増幅回路を形成する所定の負荷（７０４）と、ソース接地増幅回路の出力信号を読み出す信号読み出し回路（５０９）とを備える。 - 特許庁

To provide a small connector for connecting a cable connected to a first circuit board provided on the distal end of an electronic endoscope and a second circuit board provided inside the electronic endoscope in order to process signals outputted from a solid-state imaging device of the electronic endoscope, wherein the connection work of the cable to the second circuit board is simplified so as to be able to shorten the work time.例文帳に追加

電子内視鏡の固体撮像素子から出力される信号を処理する為に電子内視鏡の先端部に設けられた第１の回路基板に接続されたケーブルとこの電子内視鏡内に設けられた第２の回路基板とを接続する小型コネクタであって、ケーブルの第２の回路基板への接続作業を簡単なものとし、作業時間の短縮化が可能となるものを提供することである。 - 特許庁

To provide a color separation circuit in a single plate color camera wherein smooth slanting lines can be obtained in a slanting line portion where a change of an R signal (or of a B signal) outputted from a solid-state image pickup device is remarkable but a change of a G signal is small.例文帳に追加

この発明は、固体撮像デバイスから出力されるＲ信号（またはＢ信号）の変化は大きいが、Ｇ信号の変化が小さい斜線部分において、滑らかな斜線が得られるようになる単板式カラーカメラにおける色分離回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the circuit 5, the pixel data A of the solid-state image pickup element 7 are divided in an effective pixel data region except a black reference data region in response to the array of the photoelectric conversion cells on the basis of the shading correction pixel data, and a predetermined offset is inputted to perform shading correction.例文帳に追加

データ処理回路５において、シェーディング補正用画素データＢを基に固体撮像素子７の画素データＡから、光電変換セルの配列に対応して黒基準データ領域を除く有効画素データ領域にて除算し、一定のオフセットを入力してシェーディング補正を行う。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor capable of covering an imaging region with an interlayer insulating film excellent in film thickness accuracy, suppressing sufficiently parasitic capacitance between wiring on the interlayer insulating film and a lower layer at a peripheral circuit region, and thus improving an imaging property.例文帳に追加

膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

By using the solid-state imaging device, potential of a node pd of a photodiode 1 is excluded from a transition region W of a comparator 2 by impressing voltage ΔV1 to a horizontal control line 6 as first control voltage by a variable voltage generation circuit 71 for a signal accumulation period T2.例文帳に追加

この固体撮像素子によれば、信号蓄積期間Ｔ２において、可変電圧発生回路７１が水平制御線６に第１の制御電圧として電圧ΔＶ１を印加することによって、フォトダイオード１のノードｐｄの電位をコンパレータ２の遷移領域Ｗから外す。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 200 is provided with a plurality of reading circuits 2 for generating pixel signals on the basis of signals to be provided from the pixels 1 of each of columns, a plurality of output channels 4, a plurality of column selecting switches 3, and a control circuit for controlling the column selecting switches 3.例文帳に追加

固体撮像装置２００は、各列の画素１から提供される信号に基づいて画素信号を生成する複数の読み出し回路２と、複数の出力チャネル４と、複数の列選択スイッチ３と、複数の列選択スイッチ３を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

The solid state imaging device of this embodiment comprises: a sample hold circuit 1 having a sampling transistor MT1 for sampling the output of the CCD and a capacitor C for holding sampled voltage; and a switching control unit 2 for controlling switching of the sampling transistor MT1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、ＣＣＤの出力をサンプリングするサンプリング用トランジスタＭＴ１およびサンプリングされた電圧を保持するキャパシタＣを有するサンプルホールド回路１と、サンプリング用トランジスタＭＴ１のスイッチングを制御するスイッチング制御部２と、を備えている。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element and its pixel signal processing method which can improve the amplification factor (sensitivity) of pixels while the linearity of a current-voltage converting circuit is maintained.例文帳に追加

電流電圧変換回路の十分な出力電圧レンジを確保するためにはバイアス電圧を電源電圧の約半分にしなければならなく、その結果、画素の増幅用トランジスタには電源電圧の約半分の電圧しかかからなくなるので、画素の増幅率が低下したり、リニアリティーが悪化する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a signal reading circuit for outputting a first drive signal on receiving a judgment signal indicating that a signal at a black level is normal and outputting a second drive signal on receiving a judgment signal indicating that the signal at the black level is abnormal.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、黒レベルの信号が正常であることを示す判定信号を受けて第１の駆動信号を出力し、黒レベルの信号が異常であることを示す判定信号を受けて第２の駆動信号を出力する信号読み出し回路を有する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element and an imaging apparatus, preventing both flowing of electric charges in an optical black pixel region, in the pixel of effective pixel region, and disturbance of image caused by fluctuation of power supply or non-uniformity of circuit configuration, at the same time, by arranging a dummy pixel region.例文帳に追加

ダミー画素領域を配置して有効画素領域の画素への光学的黒画素領域に電荷の流れ込みに加え、電源揺れや回路構成の非一様性に起因する画像の乱れを同時に防止することができる固体撮像素子及び撮像装置を提供すること。 - 特許庁