「solid-state circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device comprising a solid-state imaging element, together with its manufacturing method, where a pixel characteristics is improved by suppressing to get a hot carrier and a transition metal into a pixel region from a peripheral circuit region.例文帳に追加

周辺回路領域からのホットキャリアや遷移金属などが画素領域へ進入することを抑制して画素特性を向上できる固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which shortens a detection time by attaining high speed processing without using a large-scale arithmetic circuit, and suppresses detection of an optical flow in other directions.例文帳に追加

大規模な演算回路を用いることなく処理の高速化を図ることを可能にして検出時間の短縮化を図るとともに、他方向のオプティカルフローの検出を抑止することを可能にした固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a triple oxide process is required, thus resulting in cost-process increase, in the case of incorporating a logic circuit such as a timing generator and reducing the voltage in a solid-state imaging element with a gate oxide film thickness of an amplifying transistor of a pixel thinned.例文帳に追加

画素の増幅トランジスタのゲート酸化膜厚を薄膜化した固体撮像素子において、タイミングジェネレータ等の論理回路などを内蔵しかつ低電圧化する場合、トリプルオキサイドプロセスが必要となり、プロセスコストが上昇する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element where a noise component superimposed in the same direction as vertical transfer of smear and a dark current or the like can be eliminated without addition of any special circuit to a signal processing system and to provide its drive method and a camera system.例文帳に追加

電子スチルカメラにおいて、モニタリングモードでは、フレームレートを上げることを目的として間引き読み出しの駆動方法が採られるため、スミアや暗電流等の垂直転送と同方向に乗るノイズ成分が問題となる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus which increases the setting degree of freedom of a frequency of a clock, which is used for a circuit operation, than that of the prior arts and can continuously output a generated digital signal to the outside.例文帳に追加

回路動作に用いるクロックの周波数の設定自由度を従来よりも高めることができるとともに、生成されたデジタル信号を間断なく外部に出力することが可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device in which a multilayer wiring layer 22b in a peripheral circuit region 26 is formed above a multilayer wiring layer 22a in a pixel region 25 has a lateral groove 33 formed in a step portion side wall of the multilayer wiring layers 22a and 22b.例文帳に追加

周辺回路領域２６の多層配線層２２ｂが、画素領域２５の多層配線層２２ａよりも高層に形成された固体撮像装置において、多層配線層２２ａ，２２ｂの段差部側壁に横溝３３を形成する。 - 特許庁

To provide a signal processing circuit, a solid state image sensor, and a camera system capable of generating a reference signal having a linearity from right after starting, improving settling time remarkably, and expanding a dynamic range.例文帳に追加

開始直後から線形性のとれた参照信号を生成することが可能で、セトリング時間を大幅に改善することができ、ダイナミックレンジを拡大することが可能な信号処理回路、固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A timing generation circuit 4 of a solid-state imaging device 10 generates an exposure start pulse 23a and vertical transfer pulses 22a to 22c in synchronization with external trigger signals 4 and 21, and controls exposure of a photoelectric conversion element 1 and charge transfer.例文帳に追加

固体撮像装置１０のタイミング発生回路４は、外部トリガ信号４，２１に同期して露光開始パルス２３ａ、垂直転送パルス２２ａ〜２２ｃを生成し、光電変換素子１の露光と電荷転送を制御する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which can satisfy a required wide clamp adjustment range and fine clamp resolution while suppressing increase of a circuit area, and suppressing variation of a clamp level in a moving image, and a camera system.例文帳に追加

回路面積の増大を抑止しつつ、必要とされる広いクランプ調整レンジと、細かいクランプ分解能を満足することができ、動画中のクランプレベルの変動を抑えることが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A peripheral circuit part B of the solid-state imaging device comprises internal wiring 115 formed in the first insulating film 150 and a pad electrode 121 formed on the internal wiring 115 and electrically connected to the internal wiring 115.例文帳に追加

固体撮像装置の周辺回路部Ｂは、第１の絶縁膜１５０に形成された内部配線１１５と、該内部配線１１５の上に形成され、該内部配線１１５と電気的に接続されるパッド電極１２１とを有している。 - 特許庁

Vertical and horizontal scanning circuits 21, 22 for composing a peripheral circuit in the solid-state imaging element 3 simultaneously select a plurality of pixels 20a for AF and a plurality of pixels 20b for AF arranged in the same row.例文帳に追加

固体撮像素子３において周辺回路を構成する垂直走査回路２１および水平走査回路２２は、同一の行内に配置されたＡＦ用画素２０ａとＡＦ用画素２０ｂとを、それぞれ同時に複数ずつ選択する。 - 特許庁

The processor 11 is provided with a resetting part extraction circuit 77 which receives the output signal Vout from the signal line 48d and extracts the resetting part, which is caused by the resetting operation of the solid-state imaging element 42, from the output signal Vout.例文帳に追加

信号線４８ｄから出力信号Ｖｏｕｔを受信し、出力信号Ｖｏｕｔから固体撮像素子４２のリセット動作に起因するリセット部を抽出するリセット部抽出回路７７をプロセッサ装置１１に設ける。 - 特許庁

To provide a timing adjusting circuit adjusting the delay time which is independent for every data line without depending on the oscillating frequency of built-in PLL, and also to provide a solid state image pickup device and a camera system.例文帳に追加

データライン毎に独立した遅延時間の調節が可能で、しかも内蔵するＰＬＬの発振周波数に依存することなく、遅延時間を調節することが可能なタイミング調整回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A semi-cylindrical side through-hole solder land 56 that is a 1st connection section is placed to a side face of the signal line connection board 55 at a position opposite to each external lead 40 of the solid-state image pickup element 36 similarly to the case with the printed circuit board 50.例文帳に追加

この信号線接続基板５５の側面には回路基板５０同様に固体撮像素子３６の外部リード４０に対向する位置に第１の接続部である半円筒状のサイドスルーホール半田ランド５６が設けられている。 - 特許庁

The selection circuit 36 alternately captures first and second image signals Ya(t), Yb(t) output from the first and second CCD solid-state imaging devices 31a, 31b for each prescribed time and outputs the captured signal as an image signal Y(t).例文帳に追加

この選択回路３６は、第１及び第２のＣＣＤ固体撮像素子３１ａ、３１ｂから出力される第１及び第２の画像信号Ｙa(t)、Ｙb(t)を所定時間毎に交互に取り込んで画像信号Ｙ(t)として出力する。 - 特許庁

To provide a thermal type infrared solid-state imaging device which realizes a high amplification factor in an integral circuit by eliminating an offset distribution of each pixel before integral calculus and suppresses an increase in the sensitivity dispersion of the pixels.例文帳に追加

各画素のオフセット分布を積分前に除去することによって、積分回路での高い増幅率を可能にすると共に、画素の感度ばらつき増加を抑制可能な熱型赤外線固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁

When a recessed part 1a is provided on a circuit board 1 to contain an imaging element 2 in the recessed part in order to make the profile of the solid-state imaging apparatus small, since the plate of the recessed part is made thin, this causes deterioration in shading.例文帳に追加

固体撮像装置の薄型化を図るため、回路基板１に凹部１ａを設け、この凹部内に撮像素子２を収納するようにすると、この凹部の部分の板厚が薄くなるため、遮光性低下の原因となっている。 - 特許庁

To provide a driver and a driving method of a solid-state image sensor, in which the quantity of signal charges being handled by a vertical shift register can be prevented from being reduced at the application of a shutter pulse, without making the circuitry of a timing circuit complicated.例文帳に追加

タイミング回路の構成を複雑化することなく、シャッタパルス印加時における垂直シフトレジスタの取扱信号電荷量の低減を防止することができる固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法を提供すること。 - 特許庁

When the luminance range of a subject to be detected by a luminance detector 4 becomes larger than a fixed value (2.5 digits, e.g.) a switch judging circuit 5 judges that an area sensor (solid-state image pickup element) 3 should be made to execute logarithmic transformation.例文帳に追加

輝度検出装置４により検出する被写体の輝度範囲がある一定の値（例えば、２．５桁）よりも広くなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ（固体撮像素子）３を対数変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁

Light emission quantities of the LED groups 1x, 1y anti-parallely connected for structuring an LED unit 1 is independently controlled by generating a pulse signal at each half wave of a commercial power source from the driver circuit 3 to an SSR 2 (Solid State Relay).例文帳に追加

ドライバ回路３よりＳＳＲ２に対して、商用電源４の半波毎にパルス信号を発生し、ＬＥＤユニット１を構成する逆並列接続されたＬＥＤ群１ｘ，１ｙの発光量を独立して制御する。 - 特許庁

To provide a buffer circuit without requiring a bias generation circuit, with high gain of input/output characteristics, less noise, a wide voltage area, excellent linearity and less influence on the linearity of the input/output characteristics with respect to manufacturing variation and temperature environment variation and a solid-state imaging apparatus using the buffer circuit.例文帳に追加

本発明は、バイアス生成回路を必要とすることなく、入出力特性の利得が高く、ノイズが少なく、広い電圧領域で線形性が良く、製造ばらつきや温度環境変化に対して入出力特性の線形性が受ける影響が少ないバッファ回路及び該バッファ回路を用いた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor laser stimulating solid-state laser for solid- state laser medium 13 by a laser beam L1 generated from the semiconductor laser 11 is provided with a photodetector 33 for detecting at least a part of the outputted laser beam L3 and an APC circuit 34 for controlling the driving current of the semiconductor laser 11 so as to fix the output of the laser beam L3 based on the output signal S1 of the photodetector 33.例文帳に追加

固体レーザー媒質13を半導体レーザー11から発せられたレーザービームL1によって励起する半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、出力されるレーザービームL3の少なくとも一部を検出する光検出器33と、この光検出器33の出力信号S1に基づいて、レーザービームL3の出力を一定化するように半導体レーザー11の駆動電流を制御するＡＰＣ回路34とを設ける。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus includes: a pixel array section 1 including pixels PC disposed in matrix; a sample/hold signal converting circuit 11 for detecting a signal component of each of the pixels PC by CDS; and a timing control circuit 9 for sampling a reference level of the analog CDS after a reference level of the digital CDS is converted into a digital value.例文帳に追加

トリックス状に画素ＰＣが配置された画素アレイ部１と、各画素ＰＣの信号成分をＣＤＳにて検出するサンプルホールド信号変換回路１１と、デジタルＣＤＳの基準レベルがデジタル値に変換された後にアナログＣＤＳの基準レベルをサンプリングさせるタイミング制御回路９とを設ける。 - 特許庁

The solid-state laser apparatus 100 is provided with an APC (Auto Power Control) circuit 11 for supplying a drive current to the semiconductor laser 1, a high frequency oscillator 12 for oscillating a high frequency of 100 kHz or more, and a high frequency superposing circuit 13 for superposing a high frequency current of 100 kHz or more on the drive current.例文帳に追加

半導体レーザ１に駆動電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌ）回路１１と、１００ｋＨｚ以上の高周波を発振する高周波発振器１２と、１００ｋＨｚ以上の高周波電流を駆動電流に重畳する高周波重畳回路１３とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device 3 such as a solid state imaging device is disposed upward the protruded part 8 of the circuit board 2 so as to permit an imaging face thereof to face the opening 3, and is electrically connected to an electrode 11 provided on an opposite face thereof on the side of the circuit board 2 through a gold bump 4 interposed between it and the electrode part 5.例文帳に追加

固定撮像素子のような半導体素子３は、その撮像面が開口部３に臨むように前記回路基板２の凸部８上方に配置されるとともに回路基板２側に対向する面に設けた電極１１と前記電極部５との間に金バンプ４を介在させて電気的に接合してある。 - 特許庁

On the inner surface of a circuit substrate 14, a dent 16 that is larger in area than the imaging area 12 is formed, due to which a space h1 between the solid-state imaging device 11 and the circuit substrate 14 becomes large, thus resulting in elimination of a capillary phenomenon, which keeps sealing resin 19 from entering the imaging surface 12.例文帳に追加

回路基板１４の内面には撮像面１２よりも広い面積の窪み１６が形成されており、その窪み１６によって固体撮像素子１１と回路基板１４との間の間隙ｈ１が大となって、毛細管現象が断ち切られることにより、封止樹脂１９の撮像面１２への浸入が停止される。 - 特許庁

A booster circuit is provided in a circuit comprising a comparator 104 and a memory 105 for converting an analog signal outputted from the pixel part 101 into a digital signal and storing the digital signal, so that the high-speed A/D converter which is free from voltage attenuation, is packaged in the NMOS solid-state image pickup device 100.例文帳に追加

画素部１０１から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して記憶する比較器１０４及び記憶器１０５を構成する回路には昇圧回路が設けられており、それによって、電圧減衰がなく高速なＡＤ変換器をＮＭＯＳ型固体撮像装置１００に搭載できる。 - 特許庁

A column scanning circuit 40 performs column scanning of An AD converter 31 and sequentially output AD conversion results, and the solid-state imaging apparatus includes a pixel signal detecting part 70 for detecting the output level of the column scanning circuit 40 and a reference voltage control part 80 for controlling a charging speed to the capacitative element 62 on the basis of detected brightness information Sa.例文帳に追加

列走査回路４０がＡＤ変換器３１を列走査してＡＤ変換結果を順次出力するが、その出力レベルを検出する画素信号検出部７０と、検出した明るさ情報Ｓａに基づいて容量素子６２に対する充電速度を制御する参照電圧制御部８０を備える。 - 特許庁

The stroboscopic light emission control circuit 114 controls the stroboscopic flash so as to perform light pre-emission before the actual light emission of the stroboscopic flash, and the sensor driving circuit 112 controls the solid-state imaging device 104 so as to mix and read electric charges stored in a plurality of pixels during the light pre-emission of the stroboscopic flash for each of the prescribed number of pixels.例文帳に追加

ストロボ発光制御回路１１４は、ストロボの本発光前にプリ発光を行うようにストロボを制御し、センサー駆動回路１１２は、ストロボのプリ発光中に複数の画素に蓄積された電荷を、所定個数の画素毎に混合して読み出すように固体撮像素子１０４を制御する。 - 特許庁

To provide a camera module which is connected to the main part of an electronic apparatus through the use of a flexible printed circuit board, the whole of which including the flexible printed circuit board can be shielded well, and moreover wherein a solid-state image pickup device can be shielded well from an image processing element, and an electronic apparatus on which the camera module is mounted.例文帳に追加

カメラモジュールと電子機器本体との接続にフレキシブルプリント基板を使用し、フレキシブルプリント基板も含めてカメラモジュール全体を良好にシールド可能とし、更にカメラモジュール内部の固体撮像素子と画像処理素子間も良好にシールド可能なカメラモジュール及び、同カメラモジュールを搭載した電子機器を提供する。 - 特許庁

In the state of closing the upper casing and the lower casing, on the other hand, an upper casing metal fitting 12 and a lower casing metal fitting 13 are contacted in a DC manner at distal end portions of the upper casing circuit board 17 and the lower casing circuit board 18, and a magnetic current is generated in a direction illustrated by an arrow solid line.例文帳に追加

一方、上部筐体と下部筐体を閉じた状態では、上部筐体回路基板１７と下部筐体回路基板１８の先端部にて上部筐体金属金具１２と下部筐体金属金具１３が直流的に接触されて、図中に矢印実線で示す方向に磁流が発生する。 - 特許庁

To provide a solid-state electrolytic capacitor and a method of manufacturing the same in order to stabilize electric characteristics by solving the problems of physical stress during assembling into capacitor element, increase in a leak current due to the thermal stress in the reflow of solder and generation of a short-circuit, and by preventing generation of the short-circuit through reduction of a leak current.例文帳に追加

コンデンサ素子への組み立て時の物理的ストレス、半田リフロー時の熱ストレスによる漏れ電流の増大とショート発生という問題を解決し、漏れ電流を小さくしてショートの発生を防止し、電気特性の安定化を図った固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The bridge circuit 15a can be used together with a traveling-wave tube amplifier and a solid-state power amplifier both of which which operate in an S, C, X, Ku, K, Ka, Q, V, or W frequency band or another desired RF frequency band.例文帳に追加

線形化ブリッジ回路は、Ｓ、Ｃ、Ｘ、Ｋｕ、Ｋ、Ｋａ、Ｑ、Ｖ、又はＷの周波数帯域、或いは他の所望のRF周波数帯域において動作する進行波管増幅器及び固体素子電力増幅器と共に用いられてもよい。 - 特許庁

A solid-state image pickup element chip 1 is mounted on the surface of a leafless chip carrier 12 on whose back face is provided with extended metallic wiring, and an anisotropy conductive film 15 is applied to the back face of the leadless chip carrier 12 and adhered to a circuit board through thermocompression bonding.例文帳に追加

裏面まで金属配線１３が延長されたリードレスチップキャリアー１２の表面に固体撮像素子チップ１を実装し、かつ、リードレスチップキャリアー１２の裏面に異方性導電膜１５を塗布し、熱圧着により回路基板と接着をさせる。 - 特許庁

To provide a smear removing circuit calculating information electric charge amount by calculating smear electric charge amount, even with a solid-state imaging element in which the information electric charge is mixed at prescribed mixing pixel unit numbers in transfer direction.例文帳に追加

本発明は、転送方向に所定の混合画素単位数で情報電荷を混合する固体撮像素子においても、スミア電荷量を算出して情報電荷量を算出することができるスミア除去回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device capable of preventing FPN based on dispersion by the characteristics of an element for composing a CDS circuit without installing any capacitive elements for phase compensation for ensuring a phase margin.例文帳に追加

本発明は、位相余裕を確保するための位相補償用の容量素子を設置することなく、ＣＤＳ回路を構成する素子の特性によるバラツキに基づくＦＰＮを防ぐことができる固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To selectively correct defective pixels in a picture signal processing circuit to output a completely corrected image pickup signal in the case that a solid-state imaging device has defective pixels of which the number is larger than a maximum value of the estimated number of pixels which can be subjected to correction processing.例文帳に追加

固体撮像素子が想定した補正処理数の最大値を越えた欠陥画素を有する場合に、その画像信号処理回路内で欠陥画素の選択的な補正を行い、補正の完了した撮像信号を出力する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus in which trimming processing after photography by a photographer can be omitted by suppressing increase in circuit scale or photography time even when the output is raised locally by the dark current of a solid state image sensor.例文帳に追加

固体撮像素子の暗電流による局所的な出力の持ち上がりが生じた場合においても、回路規模又は撮影時間の増加を抑え、撮影者による撮影後のトリミング処理の手間を省くことが可能な撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element capable of suppressing the rounding of the edge shape of a first layer electrode, and preventing characteristic deterioration including deterioation in transfer efficiency and charge extraction characteristic, DC short circuit, and electric field concentration.例文帳に追加

第１層電極のエッジ形状が丸くなるのを抑制し、転送効率の低下、電荷引き抜き特性の低下ＤＣショートあるいは電界集中などの、特性劣化を生じるのを防止することのできる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A solid state imaging device 1 includes: a pixel 11 for performing photoelectric conversion on incident light; and an amplification circuit 16 to which a signal from the pixel 11 or a signal corresponding thereto is input, and which has a function for amplifying the input signal with a gain whose absolute value is smaller than 1.例文帳に追加

固体撮像素子１は、入射光を光電変換する画素１１と、画素１１からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が１よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路１６とを備える。 - 特許庁

To enable removing noise without causing excess or deficiency with a simple circuit, in an imaging apparatus which performs dynamic range compression by a DR compression section using a solid-state imaging device achieved as a CMOS sensor and having Linear-Log characteristics.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサとして実現されＬｉｎｅａｒ−Ｌｏｇ特性を有する固体撮像素子を用い、ＤＲ圧縮部でダイナミックレンジ圧縮を行う撮像装置において、ノイズ除去を、簡単な回路で、過不足なく行えるようにする。 - 特許庁

To always properly correct a signal of a defective pixel without increasing complexity of a defective pixel detection process or a circuit scale when using a solid-state imaging device capable of selecting a read mode for adding signals of a plurality of pixels.例文帳に追加

複数の画素の信号加算を伴う読み出しモードを選択可能な固体撮像素子を用いた場合に、欠陥画素の検出工程の複雑化や回路規模の増大を招くことなく、常に欠陥画素の信号を適切に補正できるようにする。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus includes three comparison parts 4, a ramp waveform generation circuit 5, three latch circuits 6 and a counter 7, etc., in order to A/D convert output signals from the pixel 1 of a pixel array 2 to digital signals using ramp waves and output them.例文帳に追加

この発明は、画素アレイ２の画素１からの出力信号をランプ波を用いてデジタル信号にＡ／Ｄ変換して出力するために、３つの比較部４と、ランプ波形発生回路５と、３つのラッチ回路６と、カウンタ７などを備える。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device and a camera system employing it, in which bias fluctuation suppressing effect can be enhanced for substrate current by increasing the current amplification factor hFE of the final stage emitter follower in a substrate bias circuit.例文帳に追加

基板バイアス回路をＣＣＤ撮像装置と同一基板上に搭載する場合に構造上制約があり、最終段のエミッタフォロワ部をラテラル型ｎｐｎトランジスタのみで構成したのでは、高い電流増幅率ｈ_FEを得ることができない。 - 特許庁

When the detection result of the motion detecting circuit 45 is the threshold or less, a regular illumination light source 50 and a special illumination light source 51 of a light source device 12 are alternately turned on and off at intervals of charge accumulation time of a solid-state image pick-up device 23.例文帳に追加

動き検出回路４５の検出結果が閾値以下の場合は、光源装置１２の通常照明光用光源５０、特殊照明光用光源５１が、固体撮像素子２３の蓄積期間単位で交互に点消灯される。 - 特許庁