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source electrodeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5825件
A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.例文帳に追加
第3薄膜トランジスタは、第n+1ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第2サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁
The diode/ FET electrode 9 forms a second diode electrode for the first diode electrode 8 and a source or drain electrode for the FET gate electrode.例文帳に追加
ダイオード/FET電極9は、第1ダイオード電極8に対して第2ダイオード電極を形成し、且つ、FETゲート電極に対してソース又はドレイン電極を形成する。 - 特許庁
The negative electrode 1 for arc plasma source comprises a negative electrode body 2 having a gas outlet tube 3 which extends concentrically with the electrode.例文帳に追加
アーク・プラズマ源用陰極1は、同心的に延びたガス放出管3が形成された陰極本体2を有する。 - 特許庁
A gate electrode 7 is provided in the region between the source electrode 5 and the drain electrode 6 on the barrier layer 4.例文帳に追加
バリア層4上におけるソース電極5とドレイン電極6との間の領域にはゲート電極7が設けられている。 - 特許庁
A gate electrode 8 is formed between the source electrode 6 and the drain electrode 7 while being in contact with the electron supply layer 4.例文帳に追加
ゲート電極8は、ソース電極6とドレイン電極7の間で、電子供給層4に接して形成されている。 - 特許庁
A source electrode 106, a gate electrode 107 and a drain electrode 108 are formed on such a crystal structure.例文帳に追加
そして、このような結晶構造上に、ソース電極106、ゲート電極107、ドレイン電極108を形成する。 - 特許庁
The second gate electrode 20 is provided between the source electrode 40 and the first gate electrode 10 on the main surface.例文帳に追加
第2ゲート電極20は、主面上においてソース電極40と第1ゲート電極10との間に設けられる。 - 特許庁
Further, a source electrode 9s, a drain electrode 9d, and a gate electrode 9g are formed to form a semiconductor element.例文帳に追加
更に、ソース電極9s、ドレイン電極9d及びゲート電極9gを形成し、半導体素子を形成する。 - 特許庁
A source electrode 204, a drain electrode 206, and a gate electrode 208 are provided on a silicon substrate 202, and a carbon nanotube structure 131 is fixed so as to straddle over the source electrode 204 and the drain electrode 206.例文帳に追加
シリコン基板202上に、ソース電極204、ドレイン電極206およびゲート電極208を設け、ソース電極204とドレイン電極206にまたがるようにカーボンナノチューブ構造体131を固定する。 - 特許庁
A current flows between a negative electrode 305 and a positive electrode 320 from a voltage/current source 330.例文帳に追加
電圧/電流源330から陰極305と陽極320の間に電流を流す。 - 特許庁
Then the conductive film is etched to form a source electrode 16s and a drain electrode 16d.例文帳に追加
次に、導電膜をエッチングしてソース電極16sとドレイン電極16dとを形成する。 - 特許庁
The electrode board 13 is commonly connected to a plurality of electrode films for a source region.例文帳に追加
この電極板13はソース領域用の複数の電極膜に共通接続されている。 - 特許庁
A DC power source is connected to the electrode 63, then, a desired DC bias is applied to the electrode 63.例文帳に追加
電極63には,DC電源が接続されており,所望のDCバイアスが印加される。 - 特許庁
The rod-shaped electrode 10 and the sample electrode 11 are connected to a high pressure pulse power source 18.例文帳に追加
棒状電極10、試料電極11は高圧パルス電源18に接続されている。 - 特許庁
A surface electrode 23 formed by a plating method is formed on the source pad electrode 18.例文帳に追加
ソースパッド電極18には、メッキ法により形成された表面電極23が形成されている。 - 特許庁
A source electrode 22 and a drain electrode 23 are electrically connected to the channel layer 13.例文帳に追加
チャネル層13にはソース電極22およびドレイン電極23が電気的に接続されている。 - 特許庁
FORMING METHOD OF WIRING PATTERN AND FORMING METHOD OF SOURCE ELECTRODE AS WELL AS DRAIN ELECTRODE FOR TFT例文帳に追加
配線パターン形成方法、TFT用ソース電極およびドレイン電極の形成方法 - 特許庁
Lastly, a source electrode 5 and a drain electrode 6 are formed on the organic semiconductor pattern 4.例文帳に追加
最後に、有機半導体パターン4の上にソース電極5およびドレイン電極6を形成する。 - 特許庁
The organic semiconductor layer 23 is formed between the source electrode 21s and drain electrode 21d.例文帳に追加
ソース電極21s−ドレイン電極21d間には、有機半導体層23が設けられている。 - 特許庁
On the semiconductor layer, a source electrode 110 or drain electrode 111 is formed.例文帳に追加
半導体層の上に、ソース電極110あるいはドレイン電極111が形成されている。 - 特許庁
A predetermined voltage is supplied to the source electrode 218 and the drain electrode 220 is grounded.例文帳に追加
ソース電極218が、所定の電圧を供給され、ドレイン電極220がグランドに接地される。 - 特許庁
A source electrode 5 and a gate electrode 6 are formed on the main surface of the semiconductor chip 1.例文帳に追加
半導体チップ1の主表面には、ソース電極5及びゲート電極6が形成される。 - 特許庁
A pixel electrode 14 consisting of a transparent electrode is disposed so as to overlap source signal lines 25.例文帳に追加
ソース信号線25と重なるように透明電極からなる画素電極14が配置される。 - 特許庁
However, the scanning lines are connected to the upper part electrode of an electron source 10 by the electrode pattern 39.例文帳に追加
しかし、走査線は電極パターン39によって、電子源10の上部電極と接続する。 - 特許庁
Then, a channel layer formed between the gate electrode and the source electrode is partially removed.例文帳に追加
このとき、ゲート電極とソース電極との間に介在されたチャンネル層は部分的に除去される。 - 特許庁
To obtain an MIS transistor which hardly generates electrical short circuit between a gate electrode and a source/drain electrode.例文帳に追加
ゲート電極とソース/ドレイン電極間で電気的短絡を起こし難いMISトランジスタを得る。 - 特許庁
Finally, a source electrode 7 and a drain electrode 8 are formed to complete an organic transistor 9.例文帳に追加
最後に、ソース電極7及びドレイン電極8を形成して有機トランジスタ9を完成させる。 - 特許庁
A source electrode 12 (surface electrode) is formed on a surface of a GaAs substrate 10 (substrate).例文帳に追加
GaAs基板10(基板)の表面上にソース電極12(表面電極)が形成されている。 - 特許庁
The gate electrode 6 is covered with an insulating film 7 for forming a source electrode 8 on it.例文帳に追加
ゲート電極6は絶縁膜7で被覆され、その上にはソース電極8が形成されている。 - 特許庁
The power source impressing member includes an inverter connecting part, a first lamp electrode supporting part, and an electrode part.例文帳に追加
電源印加部材は、インバータ接続部、第1ランプ電極支持部、及び電極部を含む。 - 特許庁
The contact layer 4 comes into contact with a source electrode 9 and the substrate 1 comes into contact with a drain electrode 10.例文帳に追加
コンタクト層4はソース電極9に接し、基板1はドレイン電極10に接している。 - 特許庁
The organic thin film transistor is equipped with: a gate electrode; a gate insulating film covering the gate electrode, in which a plurality of concaves are formed; a source electrode and a drain electrode which are arranged in the plurality of concaves; and an organic semiconductor layer which is arranged in a region between the source electrode and the drain electrode, and is connected to the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加
ゲート電極と、ゲート電極を覆い、複数の凹部が形成されるゲート絶縁膜と、複数の凹部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間の領域に配置され、ソース電極及びドレイン電極に接続される有機半導体層と、ソース電極及び、ドレイン電極、を有する有機薄膜トランジスタとする。 - 特許庁
The thin film transistor array comprises a substrate, a gate electrode, gate wiring, a gate insulating film, a source electrode, source wiring, a drain electrode, a pixel electrode, a semiconductor, an interlayer dielectric having an opening, a capacitor electrode, capacitor wiring, and an upper pixel electrode.例文帳に追加
薄膜トランジスタアレイは、基板、ゲート電極、ゲート配線、ゲート絶縁膜、ソース電極、ソース配線、ドレイン電極、画素電極、半導体、開口部を有する層間絶縁膜、キャパシタ電極、キャパシタ配線及び上部画素電極を備えている。 - 特許庁
Then the FET 5 is mounted having the gate electrode G and drain electrode D across the second slot line 3, the drain electrode D and source electrode S across the third slot line 4, and the source electrode S and gate electrode G across the first slot line 2.例文帳に追加
そして、ゲート電極Gとドレイン電極Dとが第2スロット線路3を、ドレイン電極Dとソース電極Sとが第3スロット線路4を、ソース電極Sとゲート電極Gとが第1スロット線路2をそれぞれ挟むように、FET5を実装した。 - 特許庁
By arranging the protective means between the pixel electrode of a light emitting element and the source electrode or drain electrode of a transistor, the rapid fluctuation of the potential of the source electrode or drain electrode of the transistor by electric charges charged in the pixel electrode is mitigated.例文帳に追加
前記保護手段を発光素子の画素電極とトランジスタのソース電極又はドレイン電極との間に配置することで、該画素電極に帯電した電荷によるトランジスタのソース電極又はドレイン電極の電位の急激な変動を緩和する。 - 特許庁
The first electrode 31 and the third electrode 33 are connected by a d.c. power source 20, and the second electrode 32 and the fourth electrode 34 are connected by a short-circuit line 22.例文帳に追加
第1電極31と第3電極33を直流電源20で繋ぎ、第2電極32と第4電極34を短絡線22で繋ぐ。 - 特許庁
Independently of the gate electrode, source electrode and drain electrode, the organic semiconductor element has an electrode for imparting the potential of an organic semiconductor film externally.例文帳に追加
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極とは別の、外部から有機半導体膜の電位を与える電極を有する有機半導体素子を提供する。 - 特許庁
A first electrode 7, a second electrode 9, a first gate electrode 12, a second gate electrode 14, a gate voltage source 17, and an electric potential means 11 are provided.例文帳に追加
本発明は、第一の電極(7)、第二の電極(9)、第一のゲート電極(12)、第二のゲート電極(14)、ゲート電圧源(17)、及び電位手段(11)を提供する。 - 特許庁
Each DG-Tr3 consists of bottom gate electrode 21, semiconductor film 23, drain electrode 27, source electrode 28, top gate electrode 30 and others.例文帳に追加
DG−Tr3は、ボトムゲート電極21、半導体膜23、ドレイン電極27、ソース電極28及びトップゲート電極30等から構成されている。 - 特許庁
In the protective element 90, a first drain electrode 14, a source electrode 2, a second drain electrode 6, a gate electrode 4, and an element separation trench 18 are formed.例文帳に追加
保護素子90には、第1ドレイン電極14とソース電極2と第2ドレイン電極6とゲート電極4と素子分離トレンチ18が形成されている。 - 特許庁
The semiconductor device 100 comprises a gate electrode 5a and gate wiring 5b, a source/drain electrode 7a and source/drain wiring 7b, and a pixel electrode line 9.例文帳に追加
半導体装置100は、ゲート電極5aおよびゲート配線5bと、ソース/ドレイン電極7aおよびソース/ドレイン配線7bと、画素電極線9とを備えている。 - 特許庁
The first resistor layer is electrically connected with the source electrode.例文帳に追加
第1抵抗体層は、ソース電極に電気的に接続されている。 - 特許庁
CONTROL POWER SOURCE FOR QUADRUPOLE ELECTRODE OF QUADRUPOLE MASS SPECTROMETER例文帳に追加
四極子質量分析計の四極子電極用制御電源 - 特許庁
The source electrode layer 23 is formed on the first silicide layer 31a.例文帳に追加
ソース電極層23を第1のシリサイド層31a上に設ける。 - 特許庁
A source electrode 21 is installed on the gallium nitride epitaxial layer 15.例文帳に追加
ソース電極21は、窒化ガリウムエピタキシャル層15上に設けられる。 - 特許庁
OUTPUT CONTROL METHOD OF CONSUMABLE ELECTRODE AC ARC WELDING POWER SOURCE例文帳に追加
消耗電極交流アーク溶接電源の出力制御方法 - 特許庁
FET3 for electric motor driving includes a source electrode 5.例文帳に追加
電動モータ駆動用のFET3は、ソース電極5を含んでいる。 - 特許庁
GATE ELECTRODE OF FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
電界放出型電子源のゲート電極およびその製造方法 - 特許庁
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