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source electrodeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5825件
A trench 15 is provided between a source electrode 4 and a gate electrode 5 as a ion migration preventing zone.例文帳に追加
ソース電極4とゲート電極5との間に、イオンマイグレーション防止帯として溝部15を設ける。 - 特許庁
The source electrode and the drain electrode are formed separately over the active layer with a predetermined interval.例文帳に追加
ソース電極及びドレイン電極はアクティブ層の上部に所定の間隔で離隔されて形成される。 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR HAVING HIGH ADHESIVE STRENGTH BETWEEN BARRIER FILM AND DRAIN ELECTRODE AND SOURCE ELECTRODE FILMS例文帳に追加
バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター - 特許庁
To increase flexibility in pattern layout of a gate extraction electrode and a source electrode without increasing chip thickness.例文帳に追加
チップ厚みの増加を招くことなく、ゲート引出電極とソース電極のパターンレイアウトの自由度を高くする。 - 特許庁
A control part 6 is a controller including a power source which applies a specific voltage between the electrode 2 and an electrode 5.例文帳に追加
6はこの電極2、電極5間に所定電圧を印加する電源を含む制御装置である。 - 特許庁
Further, a pixel electrode 28 is formed which is connected electrically to the source electrode via the contact hole.例文帳に追加
更に、コンタクトホールを介してソース電極に電気的に接続される画素電極28を形成する。 - 特許庁
The rod-shaped electrode 10 and the sample electrode 11 are connected to an AC power source 18 of 60 Hz.例文帳に追加
棒状電極10、試料電極11は60Hzの交流電源18に接続されている。 - 特許庁
The storage element includes a high-resistance layer 4 and an ion source layer 5 between an lower electrode 3 and an upper electrode 6.例文帳に追加
下部電極3と上部電極6の間に高抵抗層4とイオン源層5とを備える。 - 特許庁
On the undope AlGaN layer 604, a source electrode 609 and a drain electrode 610 are prepared.例文帳に追加
アンドープAlGaN層604上にはソース電極609及びドレイン電極610が設けられる。 - 特許庁
The semiconductor device is formed with a source electrode 6 and a drain electrode 7 respectively in contact with the electron supply layer 4.例文帳に追加
また、電子供給層4に接するソース電極6及びドレイン電極7が形成されている。 - 特許庁
A source electrode 24 and a drain electrode 25 which are laminated in contact holes 22 and 23 are laminated on the boundary parts 17 and 18.例文帳に追加
コンタクトホール22,23内に積層したソース電極24およびドレイン電極25を境界部17,18上に積層する。 - 特許庁
Then, an n^+-type amorphous silicon film 16, a source electrode 17a, and a drain electrode 17b are formed.例文帳に追加
その後、n^+ 型アモルファスシリコン膜16、ソース電極17a及びドレイン電極17bを形成する。 - 特許庁
A gate electrode 26 is formed through a gate dielectric film 25 on a channel region, and a source electrode 27 is formed.例文帳に追加
チャネル領域上にゲート絶縁膜25を介してゲート電極26を形成し、ソース電極27を形成する。 - 特許庁
The MIM electron source is composed of a lower electrode 11, an insulation film 12 and an upper electrode 13.例文帳に追加
MIM電子源は下部電極11、絶縁膜12、上部電極13によって構成される。 - 特許庁
The source electrode 201 and the drain electrode 202 are formed ohmic contact with one another.例文帳に追加
ソース電極201とドレイン電極202は、n−AlGaN層104とオーミックコンタクトを形成している。 - 特許庁
The third and fourth semiconductor layers 5, 6 are electrically connected to a source electrode 15 and a drain electrode 16.例文帳に追加
第3及び4半導体層にソース電極15及びドレイン電極16が電気的に接続される。 - 特許庁
In the mono-transistor model, the gate insulation film capacitor is connected between a gate electrode and a source electrode.例文帳に追加
モノトランジスタモデルでは、ゲート絶縁膜容量がゲート電極とソース電極との間に接続されている。 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT HAVING TWO-LAYER STRUCTURED SOURCE ELECTRODE AND DRAIN ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
2層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法 - 特許庁
Then, a data line 133, a source electrode 117 electrically connected to the data line 133, a drain electrode 119 which is arranged being separated from the source electrode 117, and a semiconductor pattern which is arranged above the gate electrode 118 and between the source electrode 117 and the drain electrode 119, are formed on the gate insulating film 126.例文帳に追加
続いて、ゲート絶縁膜126上にデータライン133、データライン133に電気的に接続されるソース電極117、ソース電極117と離隔されて配置されるドレイン電極119、及びゲート電極118上でソース電極117とドレイン電極119との間に配置される半導体パターンを形成する。 - 特許庁
An interval T1, between the tip of each tooth 7a and 8a of a drain electrode 7 and a source electrode 8 and each coupling part 8b and 7b of the source electrode 8 and the drain electrode 7 opposed to it, is longer than the interval T2 (the length of a channel) between the tooth 7a of the drain electrode 7 and the tooth 8a of the source electrode 8.例文帳に追加
ドレイン電極7及びソース電極8の各歯部7a、8aの先端部とこれに対向するソース電極8及びドレイン電極7の各連結部8b、7bとの間隔T1はドレイン電極7の歯部7aとソース電極8の歯部8aとの間隔T2(チャネル長)よりも大きくなっている。 - 特許庁
In an electric connector 20, an external power source is connected with the electrode terminal 26.例文帳に追加
電気コネクタ20は、外部電源を電極端子26に接続する。 - 特許庁
The source electrode of the transistor 611 is connected to a power line 324 and the source electrode of a transistor 612 is connected to a ground line 325.例文帳に追加
トランジスタ611のソース電極は電源線324に接続され、トランジスタ612のソース電極は接地線325に接続されている。 - 特許庁
For the second n-type thin-film transistor N2, its source electrode is connected to the second end of the second capacitor C2, its source electrode to the first reference voltage source YVDD, and its drain electrode to the second end of the first capacitor C1.例文帳に追加
第2のN型薄膜トランジスタN2は、そのゲート電極を第2キャパシタC2の第2端に、ソース電極を第1基準電圧源YVDDに、ドレイン電極を第1キャパシタC1の第2端にそれぞれ接続する。 - 特許庁
To accelerate response to the change of voltage of a source/drain electrode.例文帳に追加
ソース・ドレイン電極の電圧変化に対する応答性を高速化する。 - 特許庁
A source electrode comprises a main part, a overhang part, and a shielding part.例文帳に追加
ソース電極が、主部、オーバハング部、及びシールド部を含んで構成される。 - 特許庁
The source comprises an insulated counter-electrode and/or an AC magnetic system.例文帳に追加
このソースは絶縁対電極および/または交換磁気システムを有する。 - 特許庁
In addition, a thin conductive ribbon 6 is provided on the source electrode 4s, and it is bonded to the source electrode 4s by ultrasonic bonding.例文帳に追加
また、ソース電極4s上には薄い導電性リボン6が設けられており、超音波ボンディングによりソース電極4sに接合されている。 - 特許庁
As a result, since the metallic layer is laminated on the source electrode 6, the thickening of the source electrode 6 is attained easily by the metallic layer and the source electrode is made to have a sufficiently low resistance.例文帳に追加
従って、ソース電極6上に金属層が積層されているので、該金属層によってソース電極6の厚膜化を容易に図ることができ、ソース電極6を充分に低抵抗化することができる。 - 特許庁
A second light source 7 is arranged on the rear side of the detecting electrode 2.例文帳に追加
検知電極2の裏側には、第2光源7が配置されている。 - 特許庁
a negatively charged electrode that is the source of electrons entering an electrical device 例文帳に追加
電気装置に入っている電子源である負に荷電する電極 - 日本語WordNet
the electrode that is the source of electrons in a cathode-ray tube or electron microscope 例文帳に追加
ブラウン管または電子顕微鏡における電子源である電極 - 日本語WordNet
Via holes 13 and 14 are simultaneously formed immediately under the source electrode 18 and the source electrode pad 10, and the holes differ in dimensions.例文帳に追加
ソース電極18直下およびソース電極パッド10直下には同時にバイアホール13、14が形成されており、互いの大きさが異なる。 - 特許庁
A bit line 130 connects the source through the contact electrode 126.例文帳に追加
ビットライン130は、コンタクト電極126を通じてソースを連結する。 - 特許庁
To provide an ion implantation device capable of properly exchanging an ion source electrode in compliance with an individual difference of life of the ion source electrode.例文帳に追加
イオン電極装置において、イオン源電極の電極寿命の個体差に応じて、適切にイオン源電極を交換できるようにする。 - 特許庁
The trench 15 is formed so as to surround the source electrode 4.例文帳に追加
溝部15は、ソース電極4の周囲を取り囲むように形成する。 - 特許庁
The gate electrode 12 and the source region 14 are covered with interlayer insulating film, and a source electrode is formed on this interlayer insulating film.例文帳に追加
ゲート電極12およびソース領域14は、層間絶縁膜によって覆われ、この層間絶縁膜上にソース電極が形成されている。 - 特許庁
A switch 8 is installed between the electrode 4 and the power source device 7.例文帳に追加
電極4と電源装置7との間にはスイッチ8を介在させる。 - 特許庁
A Schottky source/drain 12 is formed so that a gate electrode 7 can be interposed.例文帳に追加
ゲート電極7を挟むように、ショットキーソース・ドレイン12を形成する。 - 特許庁
Source and drain areas are located on both sides of the gate electrode.例文帳に追加
ゲート電極の両側にソース及びドレイン領域が配置されている。 - 特許庁
ELECTRODE STRUCTURE OF FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
電界放出型電子源の電極構造及びその製造方法 - 特許庁
That is, a semiconductor device including the source electrode layer, an oxide semiconductor layer in contact with the source electrode layer, the drain electrode layer in contact with the oxide semiconductor layer, the gate electrode layer part of which overlaps with the source electrode layer, the drain electrode layer, and the oxide semiconductor layer, and a gate insulation layer in contact with entire surface of the gate electrode layer is provided.例文帳に追加
つまり、ソース電極層と、ソース電極層に接した酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接したドレイン電極層と、一部がソース電極層、ドレイン電極層および酸化物半導体層と重畳したゲート電極層と、ゲート電極層の全ての面に接するゲート絶縁層と、を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁
The switching circuit 100 includes: a normally-off switching element 130 having a gate electrode, a source electrode being connected with the ground, and a drain electrode being connected with a power supply potential V_dd; and a normally-off FET 132 having a drain electrode and a source electrode being connected, respectively, with the gate electrode and the source electrode of the switching element 130, and a gate electrode.例文帳に追加
スイッチング回路100は、ゲート電極、接地に接続されるソース電極、及び電源電位V_ddに接続されるドレイン電極を有するノーマリーオフ型のスイッチング素子130と、スイッチング素子130のゲート電極及びソース電極に、それぞれ接続される、ドレイン電極及びソース電極、並びに、ゲート電極を有するノーマリーオン型FET132とを含む。 - 特許庁
In a transistor comprising a gate electrode provided on a substrate, a gate insulating layer, a source electrode and a drain electrode provided sequentially on the gate electrode, and a semiconductor active layer provided between the source electrode and the drain electrode, a protective layer is provided on the surface of the semiconductor active layer excepting the parts touching the gate insulating layer, the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加
基材上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁層、ソース電極とドレイン電極を順次備え、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体活性層を設けたトランジスタにおいて、前記半導体活性層の、前記ゲート絶縁層、ソース電極、およびドレイン電極と接触する接触面以外の面に保護層を設けることにより解決した。 - 特許庁
A bump electrode 8s for a source electrode is provided as an oscillation shield between a bump electrode 8g for the gate electrode of a semiconductor chip 1 constituting an RF power module and a bump electrode 8d for a drain electrode.例文帳に追加
RFパワーモジュールを構成する半導体チップ1のゲート電極用のバンプ電極8gと、ドレイン電極用のバンプ電極8dとの間に、発振シールドとしてソース電極用のバンプ電極8sを設けた。 - 特許庁
The transparent electrode 13 functions as a common electrode and a positive electrode side of a power source 18 is connected thereto via a switch 17.例文帳に追加
透明性電極13は、共通電極として機能し、スイッチ17を介して電源18の正極側が接続されている。 - 特許庁
A source electrode (3), a drain electrode (4), and a gate electrode (5) are formed on one main surface of the main semiconductor area (1).例文帳に追加
主半導体領域(1)の一方の主面上にソース電極(3)及びドレイン電極(4)及びゲート電極(5)が形成されている。 - 特許庁
A gate electrode 43 is provided between the source electrode 41 and the drain electrode 42 above the second semiconductor layer 34.例文帳に追加
ゲート電極43は、ソース電極41とドレイン電極42との間であって第2の半導体層34の上方に設けられている。 - 特許庁
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