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source electrodeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5825件
The source electrode 17 is grounded, and a voltage applied to the source electrode 19 of the second HEMT element 22 is set lower than that of the source electrode 17.例文帳に追加
そのソース電極17を接地し、第2のHEMT素子22のソース電極19に印加される電圧をソース電極17の電圧よりも低く設定する。 - 特許庁
POWER DEVICE HAVING SOURCE OF TRENCH BASE AND GATE ELECTRODE例文帳に追加
トレンチベースのソースおよびゲート電極を有するパワーデバイス - 特許庁
ELECTRON SOURCE ELECTRODE FOR FIELD EMISSION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRON SOURCE ELECTRODE ELEMENT FOR FIELD EMISSION例文帳に追加
電界放出用電子源電極およびその製造方法ならびに電界放出用電子源電極素子 - 特許庁
The power source supplier side electrode 53 is made contactable with a rail side electrode 92 for the power source supply.例文帳に追加
電源供給器側電極53は電源供給用レール側電極92に接触可能となっている。 - 特許庁
An emitter electrode of a transistor 11 is connected to the drain electrode of the EFT 3, a base electrode is connected to the source electrode of the EFT 5, and a collector electrode is connected to the gate electrode of the EFT 5.例文帳に追加
トランジスタ11のエミッタ電極はEFT3のドレイン電極、ベース電極はEFT5のソース電極、コレクタ電極はEFT5のゲート電極へ接続される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an electrode for a secondary power source, and a secondary power source.例文帳に追加
本発明は2次電源用電極の製造方法及び2次電源に関する。 - 特許庁
A TFT 24, a source electrode 221 and a drain electrode 222 are provided thereon.例文帳に追加
その上にTFT24、ソース電極221、ドレイン電極222が設けられている。 - 特許庁
The source electrode 101 has such a pattern that the electrode width gradually widens toward both side portions, connected to the main line of the source electrode 101, of the branched electrode portion 101a.例文帳に追加
ソース電極101は、ソース電極101の本線とつながる分岐電極部101aの両側部分に向かって電極幅が漸次広くなっている。 - 特許庁
A source electrode 17 and the positive electrode 2 are connected electrically with the coating film 20 interposed therebetween.例文帳に追加
ソース電極17と陽極2とを被覆膜20を介して電気接続する。 - 特許庁
A gate side insulating film, which is disposed apart from the source electrode and the drain electrode, is formed on the semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加
ソース電極とドレイン電極との間の半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極から離れて配置されたゲート横絶縁膜が形成されている。 - 特許庁
The MIM electron source includes a lower electrode, a tunnel insulation layer, and an upper electrode.例文帳に追加
MIM電子源は下部電極、トンネル絶縁層、上部電極で構成される。 - 特許庁
The pixel electrode 106 is formed prior to the formation of the drain electrode 104, the source electrode 105, a video signal line, and the like, and then, the source electrode 105 and the like are formed.例文帳に追加
画素電極106はドレイン電極104、ソース電極105、映像信号線等よりも先に形成され、その後、ソース電極105等を形成する。 - 特許庁
Films of drain electrode 4 and source electrode 5 are formed on the upper surface of TFT.例文帳に追加
TFTの上面に、ドレイン電極4とソース電極5の膜を形成する。 - 特許庁
The incandescent light source includes a first electrode, a second electrode and a thermoluminescent element.例文帳に追加
前記白熱光源は、第一電極と、第二電極と、熱発光素子と、を含む。 - 特許庁
The device includes a source electrode in contact with a source region of the MOSFET, a control electrode in a base region, and an SBD electrode in contact with the SBD.例文帳に追加
MOSFETのソース領域に接するソース電極と、ベース領域に制御電極と、SBDに接するSBD電極とを備える。 - 特許庁
A bend is formed by extending one end of a gate electrode and arranged between a first source electrode 13 and a second source electrode and a drain interconnect line or between a first drain electrode and a second drain electrode and a source interconnect line.例文帳に追加
ゲート電極の一端を延在して曲折部を形成し、曲折部を第1ソース電極13および第2ソース電極とドレイン配線間、または第1ドレイン電極および第2ドレイン電極とソース配線間に配置する。 - 特許庁
This thin film transistor includes: a source electrode; a drain electrode provided separately from the source electrode; a semiconductor layer electrically connected to the source electrode and the drain electrode; an insulating layer; and a gate electrode provided in a state insulated from the semiconductor layer, the source electrode and the drain electrode by the insulating layer.例文帳に追加
本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、絶縁層と、前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されるゲート電極と、を含む。 - 特許庁
This thin film transistor includes: a source electrode; a drain electrode provided separately from the source electrode; a semiconductor layer electrically connected to the source electrode and the drain electrode; an insulating layer; and a gate electrode provided in a state insulated from the semiconductor layer, the source electrode and the drain electrode by the insulating layer.例文帳に追加
本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、絶縁層と、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されるゲート電極を含む。 - 特許庁
A common source electrode and its interconnect line are shown at 805.例文帳に追加
805は共通のソース電極およびソース配線である。 - 特許庁
Then, a source electrode 8 is embedded into the first recess 6.例文帳に追加
ついで、第1凹部6の内部にソース電極8を埋め込む。 - 特許庁
This organic light emitting device (OLED) 400a includes a positive electrode 402, a hole source 403, the light emitting region 404, the electron source 405 and a negative electrode 406.例文帳に追加
本発明の有機発光装置(OLED)は、陽極、ホール源、発光領域、電子源及び陰極からなる。 - 特許庁
OUTPUT CONTROL METHOD OF POWER SOURCE IN CONSUMABLE ELECTRODE ARC WELDING例文帳に追加
消耗電極アーク溶接電源の出力制御方法 - 特許庁
METHOD OF CONTROLLING OUTPUT OF CONSUMABLE ELECTRODE ARC WELDING SOURCE例文帳に追加
消耗電極アーク溶接電源の出力制御方法 - 特許庁
Ion is formed by an ion source and introduced to a cylindrical electrode.例文帳に追加
イオン源でイオンを生成し、円筒電極に導入する。 - 特許庁
It is also preferred that the gate electrode is inclined toward the source side.例文帳に追加
また、ゲート電極をソース側へ傾けるのが好ましい。 - 特許庁
A gate electrode 7 and source and drain electrodes 8, 9 are formed.例文帳に追加
ゲート電極7、ソース・ドレイン電極8,9を形成する。 - 特許庁
The unit includes a transistor, the pixel electrode, and the source line.例文帳に追加
この単位は、トランジスタと、画素電極と、ソース線とを含む。 - 特許庁
The source electrode of a switching element 36 and the N^+ polysilicon part of the optical sensor 51 are made to be a common source electrode 41.例文帳に追加
スイッチ素子36のソース電極および光センサ51のN^+ポリシリコン部とを共通のソース電極41とする。 - 特許庁
The bundled electrode 3 is connected to a high-voltage power source 7.例文帳に追加
束状電極3は高圧電源7に接続される。 - 特許庁
The source electrode 224 and the drain electrode 230 are formed on the source region 214 and the drain region 218, respectively.例文帳に追加
そして、ソース領域214上とドレイン領域218上にソース電極224とドレイン電極230を形成する。 - 特許庁
The voltage of a power source Vbb is lower than the voltage of the source electrode of the second transistor Tr 2.例文帳に追加
電源Vbbの電圧は第2トランジスタTr2のソース電極の電圧より低い。 - 特許庁
The source electrode pad is connected to the source inner lead 37 by a plurality of joints 26.例文帳に追加
ソース用電極パッドはソース用インナリード37に複数個の接続部26で接続する。 - 特許庁
A power source for roughing and a power source for high frequency finish are connected to an electric discharge machining electrode in parallel.例文帳に追加
荒加工電源と高周波仕上電源を加工電極に並列に接続する。 - 特許庁
A source/drain electrode 114 is formed on the Schottky junction source/drain 115.例文帳に追加
ショットキー接合・ソース/ドレイン115上にソース/ドレイン電極114が形成されている。 - 特許庁
The contact layer 56 is also formed between the source region 54 and the source electrode 58.例文帳に追加
コンタクト層56は、ソース領域54とソース電極58の間にも形成されている。 - 特許庁
The upper surfaces of a source electrode 11 and a drain electrode 12 are formed so as to be higher than the upper surface of a silicide gate electrode 2.例文帳に追加
ソース電極及びドレイン電極11、12の上面が、シリサイドゲート電極2上面より高くする。 - 特許庁
Further, the device has a drain electrode, a gate electrode, and a source electrode and an interconnection connected to these electrodes, and all or almost all the electrodes and the interconnection are formed of copper.例文帳に追加
SiC半導体デバイスであって、電極と配線の全部あるいは殆ど全部を銅にする。 - 特許庁
On the compound semiconductor region 2, a gate electrode 6, a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed.例文帳に追加
化合物半導体領域2上に、ゲート電極6、ソース電極4及びドレイン電極5が形成されている。 - 特許庁
The first gate electrode 10 is provided between the source electrode 40 and the drain electrode 50 on the main surface.例文帳に追加
第1ゲート電極10は、主面上においてソース電極40とドレイン電極50との間に設けられる。 - 特許庁
The OFET has single layers of organic molecules formed between a gate electrode and a source electrode, a drain electrode.例文帳に追加
OFETは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の間に形成された有機分子の単層も有する。 - 特許庁
A device includes a III-nitride transistor 200 having a source electrode 202, a gate electrode 208 and a drain electrode 204.例文帳に追加
ソース電極202、ゲート電極208およびドレイン電極204を有するIII族窒化物トランジスタ200を含む。 - 特許庁
Between the source electrode and the drain electrode, a gate electrode is arranged on the upper side electron supply layer.例文帳に追加
ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。 - 特許庁
The first element has a gate electrode 3, and a first source electrode 5b and a first drain electrode 5a.例文帳に追加
第1の素子は、ゲート電極(3)と、第1のソース電極(5b)及び第1のドレイン電極(5a)とを有する。 - 特許庁
This MOSFET is provided with a drain electrode 22, a source electrode 38, a gate electrode 36, and a semiconductor area.例文帳に追加
MOSFETは、ドレイン電極22と、ソース電極38と、ゲート電極36と、半導体領域を備えている。 - 特許庁
On the substrate, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a gate dielectric layer are formed, in advance.例文帳に追加
この基板上にはゲート電極、ソース電極及びドレイン電極並びにゲート誘電体層を形成しておく。 - 特許庁
A gate electrode 124 is covered with a gate insulating film 140 on which a source electrode 193 and a drain electrode 195 are formed.例文帳に追加
ゲート電極(124)がゲート絶縁膜(140)で覆われ、その上にソース電極(193)とドレイン電極(195)とが形成されている。 - 特許庁
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