| 例文 |
transistor sensorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 325件
THIN-FILM TRANSISTOR SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR SENSOR例文帳に追加
薄膜トランジスタセンサー及び薄膜トランジスタセンサーの製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE ION SENSOR例文帳に追加
電界効果トランジスタ型イオンセンサ - 特許庁
GAS SENSOR WITH FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果トランジスターを有するガスセンサー - 特許庁
SENSOR USING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
有機電界効果トランジスタを用いたセンサ - 特許庁
N-TYPE TRANSISTOR, N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE TRANSISTOR CHANNEL例文帳に追加
n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法 - 特許庁
An amplification transistor T_AMP is connected to the sensor transistor T_SE, and amplifies a current flowing when the sensor transistor T_SE is off.例文帳に追加
増幅トランジスタT_AMPは、センサトランジスタT_SEと接続され、センサトランジスタT_SEがオフのとき流れる電流を増幅する。 - 特許庁
PROJECTION VIDEO DISPLAY DEVICE HAVING PHOTO TRANSISTOR SENSOR例文帳に追加
フォトトランジスタセンサを有する投写ビデオディスプレイ - 特許庁
TRANSISTOR OF IMAGE SENSOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
イメージセンサのトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
CMOS IMAGE SENSOR EQUIPPED WITH TRANSPARENT TRANSISTOR例文帳に追加
透明なトランジスタを備えたCMOSイメージセンサー - 特許庁
LOW-VOLTAGE IMAGE SENSOR AND TRANSFER TRANSISTOR DRIVING METHOD OF IMAGE SENSOR例文帳に追加
低電圧用イメージセンサ及びイメージセンサのトランスファートランジスタ駆動方法 - 特許庁
TRANSISTOR TYPE SENSOR, AND MEASUREMENT METHOD USING THE SAME例文帳に追加
トランジスタ型センサ、およびこれを用いた測定方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SENSOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加
センサ用電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
To provide a thin-film transistor (TFT) sensor and a method of manufacturing the TFT sensor.例文帳に追加
薄膜トランジスタセンサー及び薄膜トランジスタセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁
To significantly enhance sensitivity of a nucleic acid detecting sensor using an FET (field-effect transistor).例文帳に追加
FET(field-effect transistor)を用いた核酸検出センサにおいて感度を飛躍的に向上させる。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, SENSOR, AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁
ACTIVE PIXEL SENSOR USING TRANSMISSION TRANSISTOR WITH COUPLED GATE例文帳に追加
カップルドゲートを有した伝送トランジスタを用いたアクティブピクセルセンサ - 特許庁
A temperature sensor 30 is placed near the oscillation transistor 22.例文帳に追加
温度センサ(30)が発振トランジスタ(22)の近傍に設けられている。 - 特許庁
CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタセンサ及びその製造方法 - 特許庁
The temperature sensor 1 includes a transistor 2 and a capacitive element 3 connected to the transistor 2.例文帳に追加
トランジスタ2と、このトランジスタ2に接続された容量素子3と、を含む温度センサ1である。 - 特許庁
SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR, AND MANUFACTURING AND SENSING METHODS THEREOF例文帳に追加
単一電子型トランジスタ、電界効果型トランジスタ、センサー、センサーの製造方法ならびに検出方法 - 特許庁
The active type pixel sensor circuit includes a reset transistor, a silicon rich oxide (SRO) photosensor and a readout transistor.例文帳に追加
アクティブピクセルセンサ回路はリセットトランジスタ、SRO光検出器および読み出しトランジスタを含む。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, THIN-FILM TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, SENSOR, AND X-RAY DIGITAL PHOTOGRAPHING DEVICE例文帳に追加
薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、センサ及びX線デジタル撮影装置 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor equipped with a transparent transistor.例文帳に追加
透明なトランジスタを備えたCMOSイメージセンサーを提供する。 - 特許庁
ION-SENSITIVE MEMBRANE, ION-SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ION SENSOR例文帳に追加
イオン感応膜、イオン選択性電界効果型トランジスタ、イオンセンサ - 特許庁
GAS SENSOR USING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND GAS DETECTING METHOD例文帳に追加
有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ、およびガス検出方法 - 特許庁
ION-SENSITIVE FIELD-EFFECT TRANSISTOR-TYPE SENSOR WITH REFERENCE ELECTRODE FUNCTION例文帳に追加
比較電極機能付イオン感応性電界効果トランジスタ型センサ - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 - 特許庁
The transistor 12 is turned on based on the output of a temperature sensor 14.例文帳に追加
トランジスタ12を温度センサ14の出力に基づいてオンにする。 - 特許庁
To provide a pressure sensor comprising an organic field effect transistor single body.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ単体からなる圧力センサを提供する。 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, THIN FILM TRANSISTOR ARRAY, DISPLAY DEVICE AND SENSOR EQUIPMENT例文帳に追加
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタアレイ、および表示装置、およびセンサー装置 - 特許庁
The MIS sensor S11 is laminated on the thin film transistor T11, and a semiconductor layer 507 provided to the MIS sensor S11 is extended on the thin film transistor T11.例文帳に追加
また、薄膜トランジスタT11上にMIS型センサS11を積層して設け、MIS型センサの半導体層507が薄膜トランジスタ上に延在する。 - 特許庁
A retention capacitance Cse is connected with the sensor transistor T_SE and retains a prescribed potential.例文帳に追加
保持容量Cseは、センサトランジスタT_SEと接続され、所定の電位を保持する。 - 特許庁
BIPOLAR TRANSISTOR-BASED UNCOOLED INFRARED SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
バイポーラトランジスタ基盤の非冷却型赤外線センサ及びその製造方法 - 特許庁
SOLID IMAGE SENSOR ELEMENT HAVING NON-FLAT SURFACE TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法 - 特許庁
IMAGE SENSOR INCLUDING SENSING TRANSISTOR COMPRISING TWO GATES, AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加
二つのゲートからなるセンシングトランジスタを備えたイメージセンサー及びその駆動方法 - 特許庁
The solid state image sensor comprises hybrid photoelectric conversion part 14 and a pixel consisting of a pixel transistor.例文帳に追加
混成型の光電変換部14と画素トランジスタからなる画素を備える。 - 特許庁
To provide a photoelectric converter containing a two-dimensional Schottky type sensor and a thin-film transistor, or a two-dimensional PIN type photodiode sensor and a thin-film transistor.例文帳に追加
2次元ショットキー型センサと薄膜トランジスタや、2次元PIN型ホトダイオードセンサと薄膜トランジスタとを有する光電変換装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
The reflected light is received by the photoelectric transistor 43b of the infrared light sensor 43.例文帳に追加
この反射光を赤外線センサ43の光電トランジスタ43bが受光する。 - 特許庁
THREE TRANSISTOR ACTIVE PIXEL SENSOR STRUCTURE HAVING CORRELATION DOUBLE SAMPLING AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加
相関ダブルサンプリングを持つ3トランジスタアクティブピクセルセンサ構造及びその製造方法 - 特許庁
In this field effect transistor type ion sensor, an ion sensor for detecting ions and a field effect transistor for acquiring an electric signal are formed integrally.例文帳に追加
本発明の電界効果トランジスタ型イオンセンサは、イオンを検出するためのイオンセンサと電気信号を得るための電界効果トランジスタとを一体として形成している。 - 特許庁
Each pixel includes a photo-sensor(120) coupled to a thin-film switching transistor(130).例文帳に追加
各ピクセルは、薄膜スイッチングトランジスタ(130)に結合されるフォトセンサ(120)を含む。 - 特許庁
ELECTRIC FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR DRIVING GATE ELECTRODE, AND SENSOR DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加
ゲート電極が駆動する電界効果型トランジスタおよびそれを有するセンサデバイス - 特許庁
A touch panel includes a plurality of pixels each of which includes a photo sensor including a photodiode, a first transistor and a second transistor.例文帳に追加
タッチパネルは、フォトダイオードと第1及び第2のトランジスタとを有するフォトセンサが各々設けられた複数の画素を有する。 - 特許庁
The photosensor 40 comprises a sensor transistor Q1 to generate a photoelectric voltage corresponding to the light quantity when receiving external light, a selection transistor Q2 to selectively output a photoelectric voltage and a reference voltage, a current generating transistor Q3 to generate a sensor current corresponding to the output voltage of the transistor, and an output transistor Q4 to selectively output the sensor current.例文帳に追加
光センサ40は、外部光を受けて光量に対応する光電圧を生成するセンサトランジスタQ1、光電圧と基準電圧を選択的に出力する選択トランジスタQ2、該トランジスタの出力電圧に対応するセンサ電流を生成する電流生成トランジスタQ3、及びセンサ電流を選択的に出力する出力トランジスタQ4を含む。 - 特許庁
A unit pixel 10 in a pixel array of a CMOS image sensor is equipped with: a photodiode 1; a lead transistor 2; a floating diffusion FD; a reset transistor 3; and an amplification transistor 4.例文帳に追加
CMOSイメージセンサの画素アレイにおける単位画素10は、フォトダイオード1と、リードトランジスタ2と、フローティングディフュージョンFDと、リセットトランジスタ3と、増幅トランジスタ4とを具備する。 - 特許庁
To provide an optical sensor and an optical sensor array with the pixel structures simplified by eliminating a switching transistor for signal readout.例文帳に追加
光センサ、および光センサアレイにおいて、信号読出し用のスイッチングトランジスタを不要として、画素構造を簡素化する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|